本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极最大电压VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.15 V
正极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：40 A
Pd-功率耗散：160 W
IGBT晶体管最小工作温度：-55 C
IGBT晶体管最大工作温度：+ 150 C
封装：Tube
集电极最大连续电流Ic：20 A
高度：20.7毫米（最大）
长度：15.87毫米（最大）
宽度：5.31毫米（最大）
商标：Infineon / IR
正极—射极漏泄电流：100 nA
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
零件号别名：IRG4PC40UDPBF SP001532594
单位重量：38 g
特性

UltrFast：优化高工作频率8-40KHZ在硬开关，>200KHZ在谐振模式

第四代IGBT设计提供了比第三代更紧凑的参数分布和更高的效率

IGBT与HEXFREDTM更快的用于桥接结构的软恢复反复线二极管

工业标准的TO-247AC封装

好处

第四代IGBT提供了最高的可用效率IGBT优化为特定的应用条件六边形二极管

的性能优化与IGBT的最小化恢复特性需要更少/没有冷却的设计，是一个

”完全代替“的等效行业标准的第三代IGBT

绝对最大额定值

	Parameter	Max.	Units
VCES	Collector-to-Emitter Breakdown Voltage	600	V
IC @ TC = 25°C	Continuous Collector Current	55	A
IC @ TC = 100°C	Continuous Collector Current	27
ICM	Pulsed Collector Current CD	220
ILM	Clamped Inductive Load Current 0	220
VGE	Gate-to-Emitter Voltage	士 20	V
EARV	Reverse Voltage Avalanche Energy ®	170	mJ
PD @ TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	200	W
PD @ TC = 100°C	Maximum Power Dissipation	78
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (0.063 in. (1.6mm from case )
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw.	10 lbf•in (1.1N•m)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-28892811

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