IRFP250N
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
本公司从事电源模块、IGBT,IRMOS管及相关配件、元器件产品的代理、分销。渠道正规,。 公司建立三年多,一直配有的技术、销售及物流团队,一直坚持“和谐、诚信、卓越、效率,以的服...
电话:021-64832037
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12N60
semiHow
TO-220
无铅*型
直插式
卷带编带包装
大功率
semiHow介绍: SemiHow是以在*半导体技术和中国奠定的*生产为基础,以中国企业坚实的 Partnership为*, 与 Partner一起用其他企业无法*衡的竞争力, 扩大中国市场的 Market企业. semiHow...
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手机:18962647589
APM9435KC-TRG
茂达
封装: SOP-8 Vds(V): -30 Vgs(V): ±25 Id(A): -4.9 R@Vgs=10: 60(53) R@Vgs=4.5: 95(80) R@Vgs=2.5: - Qg(Vgs=4.5V): 22.6(10v) V(th): -1.5
电话:021-64957967
手机:13916098262
Mitsubishi/三菱
*60AM-18F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
欢迎垂询上海资发半导体有限公司 上海资发半导体有限公司位于中国,上海资发半导体有限公司是一家IGBT、可控硅、GTR、平板GTO、英飞凌、ABB、场效应管等等产品的经销批发的。上海资发...
电话:021-68361005
手机:18916576762
1N60
NEC/日本电气
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
V(BR)DSS 漏源击穿电压 : 600V (VGS = 0V, ID = 250μA)RDS(on) 静态漏源导通电阻 : 9 Ω (VGS=10V,ID = 0.5A)VGS(th) 阈值电压 : 3V (VDS = VGS, ID = 250&a...
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随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...