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MOSFET

（共找到“17”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS TLP181 场效应MOSFET管 场效应MOS管 东芝MOS管 功率MOSFET

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

生产企业
上海
源头工厂
原厂场效应管（IR）-IRFL4310
原厂场效应管（IR）-IRFL4310
  • 型号/规格：

    IRFL4310TRPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    SOT223

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

原装IR公司产品，IRFL4310TRPBF，产地Malaysia，2500pcs per reel，无铅*，SOT223。

功率MOS管-MOSFET-场效应管
功率MOS管-MOSFET-场效应管
  • 型号/规格：

    4N60-IRF3205-IRF840-IRF730-4N80-75N75-80N60

  • 品牌/商标：

    SEMIWILL

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    *率

功率MOS管-MOSFET-场效应管 概述： 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输...

贴片MOSFET
贴片MOSFET
  • 型号/规格：

    BUK7240-100A

  • 品牌/商标：

    NXP

  • 封装形式：

    DPAK

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    管状

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

N沟道增强型场效应晶体管FHF18N50
N沟道增强型场效应晶体管FHF18N50
  • 型号/规格：

    FHF18N50

  • 品牌/商标：

    飞虹

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

广州飞虹电子科技有限公司成立于2007年，注册资本2880万元人民币。从事半导体器件设计、生产、销售为一体的高新技术型企业。公司坐落于广州增城区东区高科技工业园，厂区占地面积75亩...

大量MOS管，75N75,75N80
大量MOS管，75N75,75N80
  • 型号/规格：

    75N75,75N80

  • 品牌/商标：

    LS ,ST

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    条装

长期大量供应电动车上使用的，MOS管，75N75,75N80.品质*，价格优势。有需求请速联系！

通用高压板N+P沟道MOS管 4606
通用高压板N+P沟道MOS管 4606
  • 型号/规格：

    PMD4606S8

  • 品牌/商标：

    PN silicon

  • 封装形式：

    SOP-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

品牌/商标：PN Silicon 规格/型号：PM4606S8 种类：结型（JEFT） 沟道类型：N+P沟道 导电方式：增强型 用途：S/开关 封装外形：SMD(SO)/表面贴装 材料：N-FET硅N道沟 产品型号：PM460...

*童场效应管 FQPF10N60C 塑封 TO-220
*童场效应管 FQPF10N60C 塑封 TO-220
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF10N60C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

亲，因公司项目更改，现*出售，需求者请联系： 陈 为上传方便，产品没有一一拍图片，请谅解！

MOS管 FQPF19N20C
MOS管 FQPF19N20C
  • 型号/规格：

    FQPF19N20C

  • 品牌/商标：

    FSC

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装箱子包装

原装现货，优势库存。

T替代IR4410 大电流中电压MOSXG11N10
T替代IR4410 大电流中电压MOSXG11N10
  • 型号/规格：

    XG11N10

  • 品牌/商标：

    上海芯硅高科

  • 封装形式：

    TO220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

供应ST/意法 替代 XG11N10 XG11N10是用在72V控制器上的大电流场效应管，由自主设计并从台湾流片厂流片，耐压到120v，ID到120A，EAS到70A，是专门针对电动三轮车设计的一款MOS。 三轮...

  • 上海芯硅高科有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:上海上海市

    • 电话：021-57761910

    手机：18658321836

场效应管/MOS管
场效应管/MOS管
  • 型号/规格：

    SE2N7002

  • 品牌/商标：

    SI*-IC

  • 封装形式：

    SOT23

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    *功率

品牌: SI*-IC 型号: SE2N7002 种类: *缘栅(MOSFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 增强型 用途: S/开关 封装外形: SP/*外形 材料: GE-N-FET锗N沟道 开启电压: 20（V） 夹断电压: 60（V）...

场效应管透视仪
场效应管透视仪
  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格：

    BJI-1

  • 材料：

    MES金属半导体

  • 用途：

    MIX/混频

  • 品牌/商标：

    博竟

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

操作是三维可控制，X轴Y轴Z轴,设备为全防护，上下、前后、左右移动控制，箱式带可视窗。 可检测0.1毫米金属颗粒，操作台检测面积可根据要求定制。1.成像器面积为40*40, 20*20, 32*28...

  • 上海博竟实业有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:上海上海市

    • 电话：021-60511979

    手机：13916818075

PQFN 封装的20V MOSFET
PQFN 封装的20V MOSFET
  • 型号/规格：

    IRFH6200TRPbF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    PQFN 5x6mm

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    散装

器件编号 封装 电压 Vgs Rdson max @ Vgs=4.5 Rdson max @ Vgs=2.5 Id @ Tc=25 IRFH6200TRPbF PQFN 5x6mm 20 V ±2V 1.2 mΩ 1.4 mΩ 100 A 另外出售20V、25V 及30V MOSFET ...

美国*童飞兆电力半导体
美国*童飞兆电力半导体
  • 型号/规格：

    FQPF6N80C

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

*童电力半导体 *童功率晶体管 *童功率模块 *童IGBT模块*童IGBT单管 *童二*管 *童快恢复二*管 *童*快二*管*童可控硅 *童MOSFET *童MOS管 *童功率MOSFETFairchild电力半导体 Fairchild...

SE2305 场效应管 MOS管
SE2305 场效应管 MOS管
  • 型号/规格：

    SE2305

  • 品牌/商标：

    SI*-IC

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

低压MOS的型号：SE8205，SE8205A，SE8810，SE8810A，SE8209，SE8209A，SE2301，SE2305，SE3400，SE2N7002，SE9435，SE4953，SE4606，SED5852，SED5853等等。 主要产品类别： 1、TVS/*...

SE4946 MOSFET管
SE4946 MOSFET管
  • 型号/规格：

    SE4946

  • 品牌/商标：

    SI*-IC

  • 封装形式：

    SP/*外形

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

品牌 SI*-IC 型号 SE4946 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 60...

*率MOSFET（SI*-IC)
*率MOSFET（SI*-IC)
  • 型号/规格：

    SE8205

  • 品牌/商标：

    SI*-IC

  • 封装形式：

    N沟道

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

品牌 SI*-IC 型号 SE8205 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 if(!properExist){ displayOfferProperties("middlePropertyData", "prope...

东芝产MOSFET TK8A50D
东芝产MOSFET TK8A50D
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    TK10A50D

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DIFF/差分放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)TK10A50DSwitching Regulator Applications• Low drain-source ON-resistance: RDS ...

MOSFET行业资讯

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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