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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET驱动器 mos管 TL431 TLP181 TLP521 大功率场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

生产企业
浙江
源头工厂
批发拆机场效应P75NF75、75NF75 大量现货，测好发货
批发拆机场效应P75NF75、75NF75 大量现货，测好发货
  • 型号/规格：

    P75NF75

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *功率

*拆机件，电动车控制器*场管，75A 75V 大功率。也可以用在电瓶车转换器电路和调速电路中，管子*万用表测试好............... *拆机件，电动车控制器*场管，75A 75V 大功率。也可以用...

  • 温岭东升电子
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:浙江台州

    • 电话：0576-86994176

    手机：13858675848

JS14A-M 电子式时间继电器 晶体管时间继电器
JS14A-M 电子式时间继电器 晶体管时间继电器
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    *铠

  • 型号/规格：

    JS14A-M

  • 产品系列：

    AC220

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    3

  • 触点切换电压：

    220

  • 触点形式：

    常开型

产品参数S14A-M,A晶体管时间继电器的详细信息JS14A,JS14,JS14A-M,JS14A-Y,JSJ 深圳晶体管时间继电器 生产厂家/型号/价格JS14A晶体管时间继电器一、概述该系列晶体管时间继电器采用大...

N531 驱动能力强 三*管 MOS管
N531 驱动能力强 三*管 MOS管
  • 品牌/商标：

    新诚

  • 型号/规格：

    N531

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V/前置(输入级)

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

简洁易用的MOS/IGBT 驱动器N531摘要：本文介绍了一种新型的通用功率开关驱动器N531,并与其它常见的MOS/IGBT 低端方式驱动电路进行了对比(因IGBT 具有MOS 特性,因此文中*以MOS 管为代...

*晶体管时间继电器JJ*1
*晶体管时间继电器JJ*1
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    JJ*1

  • 产品系列：

    JJ*1

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    10

  • 触点切换电压：

    220

  • 触点形式：

    常开型

产品概述JJ*1系列晶体管时间继电器是电器自动化装置中的重要器件，它具有体积小、重量轻、高、寿命长、通用强性等优点，适用于交流50Hz，电压380V以下和直流220V以下自动控制电路中，...

场效应管IRF830 *童*原装
场效应管IRF830 *童*原装
  • 型号/规格：

    IRF830

  • 品牌/商标：

    *童

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *率

公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品：2SC3998（塑封：...

厂家*JS14P系列晶体管/时间继电器
厂家*JS14P系列晶体管/时间继电器
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    CHINT/正泰

  • 型号/规格：

    JS14P

  • 产品系列：

    js14p

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    1

  • 触点切换电压：

    1

  • 触点形式：

    常开型

丰富的时间范围操作模式便利、对应各种应用的机型• 6种动态模式的多样化，以满足各项要求。• 设定环的安装，可解除因个人差异而产生的设定偏差。&...

/晶体管闪烁继电器/JSZ-2
/晶体管闪烁继电器/JSZ-2
  • 额定电压：

    AC127

  • 产品系列：

    晶体管闪烁继电器

  • 线圈电源：

    220

  • 额定电流：

    10A

  • 线圈功率：

    110

  • 触点切换电流：

    10

  • 触点切换电压：

    220

  • *护特征：

    敞开式

JSZ-2闪烁继电器晶体管闪烁继电器为一般科学实验及工业生产之电路故障基本元件，是广泛应用于石油，化工，机电等故障报警闪烁指示的自动控制元件晶体闪烁继电器采用新颖的振荡电路，...

生产大功率晶体管厂家重点推荐
生产大功率晶体管厂家重点推荐
  • 集电*耗散功率PCM：

    咨询1

  • 集电*允许电流ICM：

    维持电流180

  • 封装形式：

    功率型

  • 截止频率fT：

    咨询

  • 型号/规格：

    MTC200A

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    兴驰 兴正

  • 应用范围：

    振荡

MDS三相整流桥模块 SSR 固态继电器KBPC整流桥 KP可控硅 MTC可控硅模块 SQL三相整流桥 欢迎旺旺或QQ咨询 1、 桥堆，又名“整流桥”或者“整流...

代理美格纳场效应管MDP9N60
代理美格纳场效应管MDP9N60
  • 型号/规格：

    MDP9N60

  • 品牌/商标：

    Magnachip

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    *率

MDP9N60 TO-220F封装 VDS：600V ID:9A RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...

STP75NF75 MOSFET管
STP75NF75 MOSFET管
  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    原装

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    *率

品牌 ST 型号 STP75NF75 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 我公司现大量现货出售ST品牌STP75NF75,产地中国,摩洛哥.,*出售,欢迎来电洽谈

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护[2024-12-19]

    短路原点　　电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。　　负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...

  • 关于模拟布局中的堆叠 MOSFET[2024-12-11]

    这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。　　关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息　　图 1三个 MOSFET 串联堆叠，提供 3 um 的通道长度。来源：Pulsic...

  • 模拟布局：为什么孔、抽头和保护环至关重要[2024-12-10]

    这些结构由原理图隐含，但没有详细指定。这方面的主要示例是井、水龙头和保护环。这些结构对于任何 MOSFET 电路的工作都是必不可少的。　　这就是为什么了解基板在 MOSFET 电路中的作用对于创建有效的模拟设计至关重要的原因。为此，有必要首先了解 MOSFET 晶...

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

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