P75NF75
ST
TO-220
普通型
直插式
散装
*功率
*拆机件,电动车控制器*场管,75A 75V 大功率。也可以用在电瓶车转换器电路和调速电路中,管子*万用表测试好............... *拆机件,电动车控制器*场管,75A 75V 大功率。也可以用...
电话:0576-86994176
手机:13858675848
时间
*铠
JS14A-M
AC220
*率
3
220
常开型
产品参数S14A-M,A晶体管时间继电器的详细信息JS14A,JS14,JS14A-M,JS14A-Y,JSJ 深圳晶体管时间继电器 生产厂家/型号/价格JS14A晶体管时间继电器一、概述该系列晶体管时间继电器采用大...
电话:86 0577 27879531
新诚
N531
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V/前置(输入级)
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
简洁易用的MOS/IGBT 驱动器N531摘要:本文介绍了一种新型的通用功率开关驱动器N531,并与其它常见的MOS/IGBT 低端方式驱动电路进行了对比(因IGBT 具有MOS 特性,因此文中*以MOS 管为代...
电话:86 0574 87916433
时间
国产
JJ*1
JJ*1
*率
10
220
常开型
产品概述JJ*1系列晶体管时间继电器是电器自动化装置中的重要器件,它具有体积小、重量轻、高、寿命长、通用强性等优点,适用于交流50Hz,电压380V以下和直流220V以下自动控制电路中,...
手机:13325980330
IRF830
*童
TO-220
无铅*型
直插式
散装
*率
公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品:2SC3998(塑封:...
电话:0571-63342995
手机:13706813019
时间
CHINT/正泰
JS14P
js14p
*率
1
1
常开型
丰富的时间范围操作模式便利、对应各种应用的机型• 6种动态模式的多样化,以满足各项要求。• 设定环的安装,可解除因个人差异而产生的设定偏差。&...
手机:18958736811
AC127
晶体管闪烁继电器
220
10A
110
10
220
敞开式
JSZ-2闪烁继电器晶体管闪烁继电器为一般科学实验及工业生产之电路故障基本元件,是广泛应用于石油,化工,机电等故障报警闪烁指示的自动控制元件晶体闪烁继电器采用新颖的振荡电路,...
手机:
咨询1
维持电流180
功率型
咨询
MTC200A
硅(Si)
兴驰 兴正
振荡
MDS三相整流桥模块 SSR 固态继电器KBPC整流桥 KP可控硅 MTC可控硅模块 SQL三相整流桥 欢迎旺旺或QQ咨询 1、 桥堆,又名“整流桥”或者“整流...
手机:13868748021
MDP9N60
Magnachip
TO-220
无铅*型
直插式
盒带编带包装
*率
MDP9N60 TO-220F封装 VDS:600V ID:9A RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...
电话:0571-89902046
手机:13738103737
STP75NF75
ST
原装
普通型
直插式
单件包装
*率
品牌 ST 型号 STP75NF75 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 我公司现大量现货出售ST品牌STP75NF75,产地中国,摩洛哥.,*出售,欢迎来电洽谈
电话:0571-88009976
手机:13575450990
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET,预计该尺寸产品未来需求将不断增长,可以轻松替代...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款采用无引线键合(BWL)封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW,旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比,Vishay Silico...
-四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET...
随着图形处理器(GPU)的性能日益强大,对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器(IBC)可将48 V输入电压转换为较低的总线电压,这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布,其采...
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术,并采用紧凑型DFN8×8封装,适用于开关电源、光伏...
在电力电子领域的不断发展进程中,SiC MOSFET 模块由于其优异的性能,如高开关速度、低导通电阻等,被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时,能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而,受器件参数、寄生参数等诸多因素...
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)都是现代电力电子中的核心开关器件,但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比: 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极型晶体管(BJT)组合...
增强型(Enhancement-mode)和耗尽型(Depletion-mode)MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式,它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析: 1. 阈值电压(VGS(th)VGS(th))与导通机制特性增强型MOSFET耗尽型M...
低压技术 与N通道MOSFET相比,P通道MOSFET代表相对较小的份额,低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性,以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实现,这可以使抗性改善...
低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行,通常低于100 V,但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用,即使电源电压很低。关键功能包括以下内容: 低抗性(RDS(ON))以减少传导过程中的功率损失,从而提高能源效率。当设...
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