P75NF75
ST
TO-220
普通型
直插式
散装
*功率
*拆机件,电动车控制器*场管,75A 75V 大功率。也可以用在电瓶车转换器电路和调速电路中,管子*万用表测试好............... *拆机件,电动车控制器*场管,75A 75V 大功率。也可以用...
电话:0576-86994176
手机:13858675848
时间
*铠
JS14A-M
AC220
*率
3
220
常开型
产品参数S14A-M,A晶体管时间继电器的详细信息JS14A,JS14,JS14A-M,JS14A-Y,JSJ 深圳晶体管时间继电器 生产厂家/型号/价格JS14A晶体管时间继电器一、概述该系列晶体管时间继电器采用大...
电话:86 0577 27879531
新诚
N531
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V/前置(输入级)
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
简洁易用的MOS/IGBT 驱动器N531摘要:本文介绍了一种新型的通用功率开关驱动器N531,并与其它常见的MOS/IGBT 低端方式驱动电路进行了对比(因IGBT 具有MOS 特性,因此文中*以MOS 管为代...
电话:86 0574 87916433
时间
国产
JJ*1
JJ*1
*率
10
220
常开型
产品概述JJ*1系列晶体管时间继电器是电器自动化装置中的重要器件,它具有体积小、重量轻、高、寿命长、通用强性等优点,适用于交流50Hz,电压380V以下和直流220V以下自动控制电路中,...
手机:13325980330
IRF830
*童
TO-220
无铅*型
直插式
散装
*率
公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品:2SC3998(塑封:...
电话:0571-63342995
手机:13706813019
时间
CHINT/正泰
JS14P
js14p
*率
1
1
常开型
丰富的时间范围操作模式便利、对应各种应用的机型• 6种动态模式的多样化,以满足各项要求。• 设定环的安装,可解除因个人差异而产生的设定偏差。&...
手机:18958736811
AC127
晶体管闪烁继电器
220
10A
110
10
220
敞开式
JSZ-2闪烁继电器晶体管闪烁继电器为一般科学实验及工业生产之电路故障基本元件,是广泛应用于石油,化工,机电等故障报警闪烁指示的自动控制元件晶体闪烁继电器采用新颖的振荡电路,...
手机:
咨询1
维持电流180
功率型
咨询
MTC200A
硅(Si)
兴驰 兴正
振荡
MDS三相整流桥模块 SSR 固态继电器KBPC整流桥 KP可控硅 MTC可控硅模块 SQL三相整流桥 欢迎旺旺或QQ咨询 1、 桥堆,又名“整流桥”或者“整流...
手机:13868748021
MDP9N60
Magnachip
TO-220
无铅*型
直插式
盒带编带包装
*率
MDP9N60 TO-220F封装 VDS:600V ID:9A RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...
电话:0571-89902046
手机:13738103737
STP75NF75
ST
原装
普通型
直插式
单件包装
*率
品牌 ST 型号 STP75NF75 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 我公司现大量现货出售ST品牌STP75NF75,产地中国,摩洛哥.,*出售,欢迎来电洽谈
电话:0571-88009976
手机:13575450990
ST 的用于 SiC MOSFETs 和 IGBT 的隔离式汽车栅极驱动器提供了灵活性,可以控制不同功率等级的逆变器,具备可编程保护和诊断功能,允许进行 ISO 26262 ASIL D 认证。 集成了 ADC 和反激控制器,STGAP4S 为可扩展的电动汽车动力总成设计提供了功能丰富且符...
英飞凌推出了其 CoolSiC MOSFET 750 V G2 技术,旨在提高汽车和工业电力转换应用中的系统效率和功率密度。 该技术提供了具有典型 R DS(on) 值高达 60 mΩ(25°C 时)的精细产品组合,适用于包括车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器、电动汽车(xEV)辅助设备...
SemiQ 致力于针对 1,200V 碳化硅 MOSFET 太阳能逆变器,这些 MOSFET 经过 800mJ 雪崩测试,部分与碳化硅肖特基二极管共封装——所有产品均具有内置反向二极管。 有四种设备: GCMS008C120S1-E1 8.4mΩ 配有肖特基二极管 GCMS016C120S1-E1 16.5...
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的 600 V CoolMOS8高压超结(SJ)MOSFET产品系列,简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太...
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的 600 V CoolMOS 8高压超结(SJ)MOSFET产品系列,简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的...
增强型(Enhancement-mode)和耗尽型(Depletion-mode)MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式,它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析: 1. 阈值电压(VGS(th)VGS(th))与导通机制特性增强型MOSFET耗尽型M...
低压技术 与N通道MOSFET相比,P通道MOSFET代表相对较小的份额,低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性,以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实现,这可以使抗性改善...
低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行,通常低于100 V,但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用,即使电源电压很低。关键功能包括以下内容: 低抗性(RDS(ON))以减少传导过程中的功率损失,从而提高能源效率。当设...
短路原点 电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起,包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。 负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...
这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如,将三个 1 um MOSFET 串联起来,可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件(图 1)。 关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息 图 1三个 MOSFET 串联堆叠,提供 3 um 的通道长度。来源:Pulsic...
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