IRFB3607
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
IRFB3607 和FAN78883 Half-Bridge Gate-Drive ICFeaturesDescription. Floating Channel for Bootstrap Operation to +200VThe FAN7888 is a monolithic three half-bridge gate-driv...
电话:13777447311
手机:13777447311
IRFR4104TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)...
电话:0574-86096610
手机:13738460258
P75NF75
ST
TO-220
普通型
直插式
散装
*功率
*拆机件,电动车控制器*场管,75A 75V 大功率。也可以用在电瓶车转换器电路和调速电路中,管子*万用表测试好............... *拆机件,电动车控制器*场管,75A 75V 大功率。也可以用...
电话:0576-86994176
手机:13858675848
时间
*铠
JS14A-M
AC220
*率
3
220
常开型
产品参数S14A-M,A晶体管时间继电器的详细信息JS14A,JS14,JS14A-M,JS14A-Y,JSJ 深圳晶体管时间继电器 生产厂家/型号/价格JS14A晶体管时间继电器一、概述该系列晶体管时间继电器采用大...
电话:86 0577 27879531
时间
国产
DHC1
DHC1
*率
/
/
一开三闭
*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1:1997 电 源 AC220V (50Hz) 触点电寿命 ≥1×105...
电话:86 0571 85364285
新诚
N531
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V/前置(输入级)
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
简洁易用的MOS/IGBT 驱动器N531摘要:本文介绍了一种新型的通用功率开关驱动器N531,并与其它常见的MOS/IGBT 低端方式驱动电路进行了对比(因IGBT 具有MOS 特性,因此文中*以MOS 管为代...
电话:86 0574 87916433
CHIP/小型片状
50N03
GE-N-FET锗N沟道
MOS-HBM/半桥组件
NIKOS
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
柜台现货供应 单价为批量价格 谢谢合作。交易说明: 1.本店所有宝贝全部支持(支付宝、银行转账、现金)交易! 2.买家从收到货时起24小时内确认货款提供保质服务,超过24小时将不提供...
电话:86 0577 88224559
P-DIT/塑料双列直插
PTP/F8N80
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
PUOLOP
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
大量供应各种型号的MOS管、二三*管PTP高压场效应系列:1N60 TO-92PTU/D1N60 TO-251/TO-252PTU/D1N65 TO-251/TO-252PTU/D2N60 TO-251/TO-252PTU/D2N65 TO-251/TO-252PTU/D4N60 TO-251/...
手机:
特性图示仪
DW4824
DW
否
产品简介: DW4824型半导体管特性图示仪,是在DW4822型图示的基础上改进而成的大功率半导体管特性图示仪。它除保留了DW4822的基本功能外,还在电流、电压测试方面作了较大的扩展。并采用了内刻度示波管,使读数更加准确,具有交替显示。 技术参数: 集电*扫描...
手机:13738619959
时间
国产
JJ*1
JJ*1
*率
10
220
常开型
产品概述JJ*1系列晶体管时间继电器是电器自动化装置中的重要器件,它具有体积小、重量轻、高、寿命长、通用强性等优点,适用于交流50Hz,电压380V以下和直流220V以下自动控制电路中,...
手机:13325980330
IRF830
*童
TO-220
无铅*型
直插式
散装
*率
公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品:2SC3998(塑封:...
电话:0571-63342995
手机:13706813019
时间
CHINT/正泰
JS14P
js14p
*率
1
1
常开型
丰富的时间范围操作模式便利、对应各种应用的机型• 6种动态模式的多样化,以满足各项要求。• 设定环的安装,可解除因个人差异而产生的设定偏差。&...
手机:18958736811
AC127
晶体管闪烁继电器
220
10A
110
10
220
敞开式
JSZ-2闪烁继电器晶体管闪烁继电器为一般科学实验及工业生产之电路故障基本元件,是广泛应用于石油,化工,机电等故障报警闪烁指示的自动控制元件晶体闪烁继电器采用新颖的振荡电路,...
手机:
ST/意法
STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
场效应管规格:品牌ST型号STP75NF75FP种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电动车充电电路封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-P-FET锗P沟道 原装,现货! 品牌:ST 型号:STP...
手机:13858149001
12+
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IKW20N60T
CER-DIP/陶瓷直插
INFINEON/英飞凌
A/宽频带放大
N沟道
宁波瑞比电子科技有限公司是经*工商部门批准注册的*公司,具备一般纳税人资格,可开17%增值税票。 公司主要经营的品牌有:英飞凌,瑞萨,IR,EPCOS, IXYS 公司经营产品主要应用于:风力...
手机:13738877588
SMD(SO)/表面封装
AOD409
P-FET硅P沟道
SW-REG/开关电源
AOS/美国万代
P沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
杭州*鹄电子科技有限公司--------的电子元器件供应商,只做*原装长期为各广大终端工厂提供电子元器件配套服务。严格的质量把关,*质量100%*本公司供应的产品较多,无法一一上传,如有...
手机:
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
功率型
300
LWH300G603
SP/*外形
20KHZ
LS/产电
产品名称:LWH300G603--韩国LS IGBT模块价格:电谈/面谈 该模块是韩国LS产电(原LG电子)针对工业应用推出的2单元LS IGBT模块。其相对竞争优势主要体现在两方面:一、质高:模块内嵌静...
手机:15306589109
gy
10N60 12N60 8N60 5N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
批量供应MOS管2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60公司坐落于中国五金之都--浙江.永康,毗邻中国科技五金城.公司一直致力于电子元器件的配套经营,主营:1C,场效应管,电阻,电容,二*管,...
手机:
IR/国际整流器
IRF730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
供应IR 原装*MOS管。IRF740IRF730IRF9530IRF9540IRF640IRF540等等IR型号MOS管长期备有大量库存,欢迎来电咨询!
手机:13666606114
FAIRCHILD/*童
FQPF9N50/FQPF9N50C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
1(μS)
1(pF)
1(dB)
销售*原装 ,公司与多家*售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。宁波市鄞州弈鸣电子有限公司经销的功率器件、MOSFET、IGBT、可控硅、电源管理IC、稳压电路、光藕、二*管、三*管、等...
手机:
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...