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MOSFET

（共找到“60”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET驱动器 P沟道MOS管 TLP181 场效应MOSFET管 场效应MOS管 大功率场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
浙江
源头工厂
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IRFB3607
IRFB3607
  • 型号/规格：

    IRFB3607

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    中功率

IRFB3607 和FAN78883 Half-Bridge Gate-Drive ICFeaturesDescription. Floating Channel for Bootstrap Operation to +200VThe FAN7888 is a monolithic three half-bridge gate-driv...

场效应管 IRFR4104TRPBF IR/国际整流器 原装
场效应管 IRFR4104TRPBF IR/国际整流器 原装
  • 型号/规格：

    IRFR4104TRPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）...

批发拆机场效应P75NF75、75NF75 大量现货，测好发货
批发拆机场效应P75NF75、75NF75 大量现货，测好发货
  • 型号/规格：

    P75NF75

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *功率

*拆机件，电动车控制器*场管，75A 75V 大功率。也可以用在电瓶车转换器电路和调速电路中，管子*万用表测试好............... *拆机件，电动车控制器*场管，75A 75V 大功率。也可以用...

  • 温岭东升电子
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:浙江台州

    • 电话：0576-86994176

    手机：13858675848

JS14A-M 电子式时间继电器 晶体管时间继电器
JS14A-M 电子式时间继电器 晶体管时间继电器
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    *铠

  • 型号/规格：

    JS14A-M

  • 产品系列：

    AC220

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    3

  • 触点切换电压：

    220

  • 触点形式：

    常开型

产品参数S14A-M,A晶体管时间继电器的详细信息JS14A,JS14,JS14A-M,JS14A-Y,JSJ 深圳晶体管时间继电器 生产厂家/型号/价格JS14A晶体管时间继电器一、概述该系列晶体管时间继电器采用大...

杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    DHC1

  • 产品系列：

    DHC1

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    /

  • 触点切换电压：

    /

  • 触点形式：

    一开三闭

*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1：1997 电 源 AC220V （50Hz） 触点电寿命 ≥1×105...

N531 驱动能力强 三*管 MOS管
N531 驱动能力强 三*管 MOS管
  • 品牌/商标：

    新诚

  • 型号/规格：

    N531

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V/前置(输入级)

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

简洁易用的MOS/IGBT 驱动器N531摘要：本文介绍了一种新型的通用功率开关驱动器N531,并与其它常见的MOS/IGBT 低端方式驱动电路进行了对比(因IGBT 具有MOS 特性,因此文中*以MOS 管为代...

场效应管50N03
场效应管50N03
  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格：

    50N03

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标：

    NIKOS

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

柜台现货供应 单价为批量价格 谢谢合作。交易说明: 1.本店所有宝贝全部支持（支付宝、银行转账、现金）交易！ 2.买家从收到货时起24小时内确认货款提供保质服务，超过24小时将不提供...

高压场效应管 PTP/F8N80
高压场效应管 PTP/F8N80
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    PTP/F8N80

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    PUOLOP

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

大量供应各种型号的MOS管、二三*管PTP高压场效应系列：1N60 TO-92PTU/D1N60 TO-251/TO-252PTU/D1N65 TO-251/TO-252PTU/D2N60 TO-251/TO-252PTU/D2N65 TO-251/TO-252PTU/D4N60 TO-251/...

大功率晶体管特性图示仪DW4824(可议价)
大功率晶体管特性图示仪DW4824(可议价)
  • 类型：

    特性图示仪

  • 型号/规格：

    DW4824

  • 品牌/商标：

    DW

  • 加工定制：

    否

产品简介： DW4824型半导体管特性图示仪，是在DW4822型图示的基础上改进而成的大功率半导体管特性图示仪。它除保留了DW4822的基本功能外，还在电流、电压测试方面作了较大的扩展。并采用了内刻度示波管，使读数更加准确，具有交替显示。 技术参数： 集电*扫描...

*晶体管时间继电器JJ*1
*晶体管时间继电器JJ*1
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    JJ*1

  • 产品系列：

    JJ*1

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    10

  • 触点切换电压：

    220

  • 触点形式：

    常开型

产品概述JJ*1系列晶体管时间继电器是电器自动化装置中的重要器件，它具有体积小、重量轻、高、寿命长、通用强性等优点，适用于交流50Hz，电压380V以下和直流220V以下自动控制电路中，...

场效应管IRF830 *童*原装
场效应管IRF830 *童*原装
  • 型号/规格：

    IRF830

  • 品牌/商标：

    *童

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *率

公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品：2SC3998（塑封：...

厂家*JS14P系列晶体管/时间继电器
厂家*JS14P系列晶体管/时间继电器
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    CHINT/正泰

  • 型号/规格：

    JS14P

  • 产品系列：

    js14p

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    1

  • 触点切换电压：

    1

  • 触点形式：

    常开型

丰富的时间范围操作模式便利、对应各种应用的机型• 6种动态模式的多样化，以满足各项要求。• 设定环的安装，可解除因个人差异而产生的设定偏差。&...

/晶体管闪烁继电器/JSZ-2
/晶体管闪烁继电器/JSZ-2
  • 额定电压：

    AC127

  • 产品系列：

    晶体管闪烁继电器

  • 线圈电源：

    220

  • 额定电流：

    10A

  • 线圈功率：

    110

  • 触点切换电流：

    10

  • 触点切换电压：

    220

  • *护特征：

    敞开式

JSZ-2闪烁继电器晶体管闪烁继电器为一般科学实验及工业生产之电路故障基本元件，是广泛应用于石油，化工，机电等故障报警闪烁指示的自动控制元件晶体闪烁继电器采用新颖的振荡电路，...

我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

场效应管规格：品牌ST型号STP75NF75FP种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电动车充电电路封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-P-FET锗P沟道 原装，现货！ 品牌:ST 型号:STP...

* 英飞凌原装*IGBT单管IKW20N60T K20T60 20A/600V
* 英飞凌原装*IGBT单管IKW20N60T K20T60 20A/600V
  • 批号：

    12+

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格：

    IKW20N60T

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 沟道类型：

    N沟道

宁波瑞比电子科技有限公司是经*工商部门批准注册的*公司，具备一般纳税人资格，可开17%增值税票。 公司主要经营的品牌有:英飞凌，瑞萨，IR,EPCOS, IXYS 公司经营产品主要应用于:风力...

IC *原装AOD409
IC *原装AOD409
  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    AOD409

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    AOS/美国万代

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

杭州*鹄电子科技有限公司--------的电子元器件供应商，只做*原装长期为各广大终端工厂提供电子元器件配套服务。严格的质量把关，*质量100%*本公司供应的产品较多，无法一一上传，如有...

LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 封装形式：

    功率型

  • 集电*允许电流ICM：

    300

  • 型号/规格：

    LWH300G603

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 截止频率fT：

    20KHZ

  • 品牌/商标：

    LS/产电

产品名称：LWH300G603--韩国LS IGBT模块价格：电谈/面谈 该模块是韩国LS产电(原LG电子)针对工业应用推出的2单元LS IGBT模块。其相对竞争优势主要体现在两方面：一、质高：模块内嵌静...

场效应管10N60 12N60
场效应管10N60 12N60
  • 品牌/商标：

    gy

  • 型号/规格：

    10N60 12N60 8N60 5N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

批量供应MOS管2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60公司坐落于中国五金之都--浙江.永康,毗邻中国科技五金城.公司一直致力于电子元器件的配套经营,主营:1C,场效应管,电阻,电容,二*管,...

优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF730

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

供应IR 原装*MOS管。IRF740IRF730IRF9530IRF9540IRF640IRF540等等IR型号MOS管长期备有大量库存，欢迎来电咨询！

FQPF9N50.*原装
FQPF9N50.*原装
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF9N50/FQPF9N50C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 跨导：

    1（μS）

  • *间电容：

    1（pF）

  • 低频噪声系数：

    1（dB）

销售*原装 ，公司与多家*售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。宁波市鄞州弈鸣电子有限公司经销的功率器件、MOSFET、IGBT、可控硅、电源管理IC、稳压电路、光藕、二*管、三*管、等...

MOSFET行业资讯

  • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

    随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

  • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

  • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

    电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

  • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

    GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

  • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

    英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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