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MOSFET

（共找到“24”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS P沟道MOS管 TLP181 拆机场效应管 场效应MOSFET管 场效应MOS管

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公司类型
无锡
源头工厂
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无锡固电ISCBD681晶体管 无锡
无锡固电ISCBD681晶体管 无锡
  • 集电极耗散功率PCM：

    40

  • 集电极允许电流ICM：

    4

  • 封装形式：

    TO-126

  • 型号/规格：

    BD681

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    ISC、iscsmi

  • 封装材料：

    塑料封装

  • 应用范围：

    功率

DESCRIPTION ·Collector–Emitter Breakdown Voltage—: V(BR)CEO= 100V·DC Current Gain—: hFE= 750(Min) ...

开关电源-高压MOS管 三极管 8N65-TO-220F原装 全新
开关电源-高压MOS管 三极管 8N65-TO-220F原装 全新
  • 型号/规格：

    8N65

  • 品牌/商标：

    kevin

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

【购买须知】 1、小批量与整盘价格：整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁，暂不能实时更新在线价格，购买前请务必咨询客服后，再拍产品。 2、订单金额：当前总金额低于100元的订单...

华润华晶mos管CS1N60A3H
华润华晶mos管CS1N60A3H
  • 型号/规格：

    CS1N60

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 封装形式：

    TO-251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

联系：，： 华晶mos管CS1N60A3H，主要应用于LED驱动电源，充电器，电源逆变器，LED灯等，主要的客户有：浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽...

厂家6703 替代AO6604 sot-23-6封装 20V 3A N+P场效应管 原装进口
厂家6703 替代AO6604 sot-23-6封装 20V 3A N+P场效应管 原装进口
  • 型号/规格：

    OGFD6703

  • 品牌/商标：

    OGFD

  • 封装形式：

    sot-23-6

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    小功率

产品型号：OGFD6703（替代AO6604/MT2701）封装：SOT-26（TSOP6） N+P 双芯片 场效应管 我们在国内外均建有强大的经验丰富的自主研发科技团队,产品主要针对电源管理和功率器件领域。我...

  • 无锡羿胜华业科技公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：0510-82864500

    手机：18118913227

华晶MOS管5N60晶圆，5N60裸片，华晶5N60芯片
华晶MOS管5N60晶圆，5N60裸片，华晶5N60芯片
  • 品牌/商标：

    华晶

  • 型号/规格：

    CS5B6002A

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

注①:此处是「华晶」品牌*，可查看企业实名或公司诚信档案。注②:此处所标单价均为建设网站而虚构，并非真实价格，故不作为成交依据。注③如需产品资料,样品及报价，可以来电或咨询。...

原厂--中压MOS管晶圆（8寸）
原厂--中压MOS管晶圆（8寸）
  • 品牌/商标：

    NCE

  • 型号/规格：

    3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

原厂大量供应原装3050、3080、3010、3012、55H12、60H10、7080、7190、7578、7580、8290、8580......中压系列晶圆，型号*。采用的8英寸芯片制程工艺；器件电参数的稳定性好。 主要团...

场效应管 MOS管-IRF3205
场效应管 MOS管-IRF3205
  • 品牌/商标：

    YR

  • 型号/规格：

    IRF3205

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

无锡亚润半导体技术有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园，毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*，距离南京、上海、杭州各200多公里，距苏州、常州三十多公里。公司生产面...

批量MOS场效应管2N60
批量MOS场效应管2N60
  • 品牌：

    国产

  • 型号：

    2N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

*，批量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840产品特点】： 原装，*合欧洲ROHS条例，体积小，重量轻，耐温耐压高， 漏电流和介...

无锡华晶mos管CS4N60A3HD原厂*
无锡华晶mos管CS4N60A3HD原厂*
  • 型号/规格：

    CS4N60A3HD

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

注1:此处是「华晶」品牌*，请*网页的企业实名或查看公司诚信档案。 注2:此处所示单价均为网站建设需要，且单价随行就市,故不作为成交的依据。 注3如需产品资料,样品及报价，可以来电...

NCE75H21T场效应管
NCE75H21T场效应管
  • 品牌/商标：

    新洁能

  • 型号/规格：

    NCE75H21T

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压：

    2-4（V）

NCE75H21T (75V210A，TO247封装) "

FUJI富士通(高压MOS管)2SK3683-01MR*
FUJI富士通(高压MOS管)2SK3683-01MR*
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK3683-01MR

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

本月优惠活动，富士(高压MOS管)2SK3683-01MR，*出售，有需求的或者做相关产品的朋友请联系我！无锡纽斯特科技有限公司，电子元件销售，*品质与价格的优势，欢迎来电咨询洽谈！网址：w...

场效应管(图)
场效应管(图)
  • 品牌/商标：

    SR

  • 型号/规格：

    1-100A/50-600V

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

生产厂家,采用*和国内品牌生产商芯片,全自动生产线,产品*,通过质量管理体系和*,期待与您合作!"

场效应管 MOS管-50N06 65N06 75N08
场效应管 MOS管-50N06 65N06 75N08
  • 品牌/商标：

    YR

  • 型号/规格：

    50N06 65N06 75N08

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

无锡亚伦科技有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园，毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*，距离南京、上海、杭州各200多公里，距苏州、常州三十多公里。公司生产面积12000...

  • 无锡亚伦科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产加工
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：86 510 68937001

    手机：13951562276

电动三轮车 摩托车控制器用MOS管8680 86V 80A (替代75NF75)厂家
电动三轮车 摩托车控制器用MOS管8680 86V 80A (替代75NF75)厂家
  • 品牌/商标：

    OGFD

  • 型号/规格：

    8680

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

实际价格请电询或旺旺！注：厂家直销 量大优惠 欢迎选购！ 产品型号：8680 参数：86V 80A 6.8mΩ 封装：To-220备注：60V、64V电动自行车控制器、电动三轮车控制器，电动...

MOS管 32N20 200V 32A 高压MOS管 原厂生产
MOS管 32N20 200V 32A 高压MOS管 原厂生产
  • 型号/规格：

    32N20

  • 品牌/商标：

    OGFD

  • 封装形式：

    220

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

*MOS管 国外投片 *芯片 原厂* Product BVDSS ID RDSON 50N06PL 60V 50A 0.022Ω 80N08TR 80V 80A 0.008 Ω 3205TR 55V 108A 0.008 Ω 3205PL...

  • 无锡市谷峰科技
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：18951514840

LM324 S8050 Z1815
LM324 S8050 Z1815
  • 品牌/商标：

    Collmer美国

  • 型号/规格：

    324

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

本公司诚接配套业务经营范围如下：配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*，价格优惠。*： : 何先生,陈 【运费说明】★方案1：顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...

  • 陈淑青
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：86 0510 82264488

    手机：13914246839

代理美格纳场效应管MDD1654
代理美格纳场效应管MDD1654
  • 型号/规格：

    MDD1654

  • 品牌/商标：

    美格纳

  • 封装形式：

    TO-252

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场效应管 IRF840 IRF830 IRF540N IRFZ44N HFA08TB60 MUR860G HFP8N60 IRF3710 IRF3205 IRF2807 HFP5N60 HFP10N60 HFP830 K3404 HFP50N06 ...

MOS管60N06
MOS管60N06
  • 品牌：

    台湾

  • 型号：

    台湾EK60N06

品牌/商标 台湾 型号/规格 台湾EK60N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 *肖特基势垒栅 开启电压 3（V） 夹断电压 3（V） 跨导 1（μS） *间电容 3（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏*电流 3（mA） 耗散功率 3（mW）

原厂NCE20N65T场效应管 MOS管 650V/20A
原厂NCE20N65T场效应管 MOS管 650V/20A
  • 品牌/商标：

    NCE 新洁能

  • 型号/规格：

    NCE20N65T

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

产品特征：卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A） 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100%Eas测试） 产品应...

二*管WBFBP-03A(1.6*1.6*0.5)
二*管WBFBP-03A(1.6*1.6*0.5)
  • 品牌/商标：

    CJ

  • 型号/规格：

    2301

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CHOP/斩波、限幅

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

供应各类消费类电子用MOSFET，如主板用及便携式产品用，如有需求请与刘联系:传真号：MSN：:5372520 江苏长电科技股份有限公司是国内的二、三*管制造商，中国集成电路封装生产基地，中...

MOSFET行业资讯

  • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

    随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

  • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

  • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

    电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

  • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

    GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

  • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

    英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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