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MOSFET

（共找到“24”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS MOSFET继电器 MOSFET驱动器 TL431 TLP181 TLP521

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
无锡
源头工厂
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无锡固电ISCBD681晶体管 无锡
无锡固电ISCBD681晶体管 无锡
  • 集电极耗散功率PCM：

    40

  • 集电极允许电流ICM：

    4

  • 封装形式：

    TO-126

  • 型号/规格：

    BD681

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    ISC、iscsmi

  • 封装材料：

    塑料封装

  • 应用范围：

    功率

DESCRIPTION ·Collector–Emitter Breakdown Voltage—: V(BR)CEO= 100V·DC Current Gain—: hFE= 750(Min) ...

开关电源-高压MOS管 三极管 8N65-TO-220F原装 全新
开关电源-高压MOS管 三极管 8N65-TO-220F原装 全新
  • 型号/规格：

    8N65

  • 品牌/商标：

    kevin

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

【购买须知】 1、小批量与整盘价格：整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁，暂不能实时更新在线价格，购买前请务必咨询客服后，再拍产品。 2、订单金额：当前总金额低于100元的订单...

华润华晶mos管CS1N60A3H
华润华晶mos管CS1N60A3H
  • 型号/规格：

    CS1N60

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 封装形式：

    TO-251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

联系：，： 华晶mos管CS1N60A3H，主要应用于LED驱动电源，充电器，电源逆变器，LED灯等，主要的客户有：浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽...

厂家6703 替代AO6604 sot-23-6封装 20V 3A N+P场效应管 原装进口
厂家6703 替代AO6604 sot-23-6封装 20V 3A N+P场效应管 原装进口
  • 型号/规格：

    OGFD6703

  • 品牌/商标：

    OGFD

  • 封装形式：

    sot-23-6

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    小功率

产品型号：OGFD6703（替代AO6604/MT2701）封装：SOT-26（TSOP6） N+P 双芯片 场效应管 我们在国内外均建有强大的经验丰富的自主研发科技团队,产品主要针对电源管理和功率器件领域。我...

  • 无锡羿胜华业科技公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：0510-82864500

    手机：18118913227

华晶MOS管5N60晶圆，5N60裸片，华晶5N60芯片
华晶MOS管5N60晶圆，5N60裸片，华晶5N60芯片
  • 品牌/商标：

    华晶

  • 型号/规格：

    CS5B6002A

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

注①:此处是「华晶」品牌*，可查看企业实名或公司诚信档案。注②:此处所标单价均为建设网站而虚构，并非真实价格，故不作为成交依据。注③如需产品资料,样品及报价，可以来电或咨询。...

原厂--中压MOS管晶圆（8寸）
原厂--中压MOS管晶圆（8寸）
  • 品牌/商标：

    NCE

  • 型号/规格：

    3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

原厂大量供应原装3050、3080、3010、3012、55H12、60H10、7080、7190、7578、7580、8290、8580......中压系列晶圆，型号*。采用的8英寸芯片制程工艺；器件电参数的稳定性好。 主要团...

场效应管 MOS管-IRF3205
场效应管 MOS管-IRF3205
  • 品牌/商标：

    YR

  • 型号/规格：

    IRF3205

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

无锡亚润半导体技术有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园，毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*，距离南京、上海、杭州各200多公里，距苏州、常州三十多公里。公司生产面...

批量MOS场效应管2N60
批量MOS场效应管2N60
  • 品牌：

    国产

  • 型号：

    2N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

*，批量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840产品特点】： 原装，*合欧洲ROHS条例，体积小，重量轻，耐温耐压高， 漏电流和介...

无锡华晶mos管CS4N60A3HD原厂*
无锡华晶mos管CS4N60A3HD原厂*
  • 型号/规格：

    CS4N60A3HD

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

注1:此处是「华晶」品牌*，请*网页的企业实名或查看公司诚信档案。 注2:此处所示单价均为网站建设需要，且单价随行就市,故不作为成交的依据。 注3如需产品资料,样品及报价，可以来电...

NCE75H21T场效应管
NCE75H21T场效应管
  • 品牌/商标：

    新洁能

  • 型号/规格：

    NCE75H21T

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压：

    2-4（V）

NCE75H21T (75V210A，TO247封装) "

FUJI富士通(高压MOS管)2SK3683-01MR*
FUJI富士通(高压MOS管)2SK3683-01MR*
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK3683-01MR

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

本月优惠活动，富士(高压MOS管)2SK3683-01MR，*出售，有需求的或者做相关产品的朋友请联系我！无锡纽斯特科技有限公司，电子元件销售，*品质与价格的优势，欢迎来电咨询洽谈！网址：w...

场效应管(图)
场效应管(图)
  • 品牌/商标：

    SR

  • 型号/规格：

    1-100A/50-600V

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

生产厂家,采用*和国内品牌生产商芯片,全自动生产线,产品*,通过质量管理体系和*,期待与您合作!"

场效应管 MOS管-50N06 65N06 75N08
场效应管 MOS管-50N06 65N06 75N08
  • 品牌/商标：

    YR

  • 型号/规格：

    50N06 65N06 75N08

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

无锡亚伦科技有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园，毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*，距离南京、上海、杭州各200多公里，距苏州、常州三十多公里。公司生产面积12000...

  • 无锡亚伦科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产加工
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：86 510 68937001

    手机：13951562276

电动三轮车 摩托车控制器用MOS管8680 86V 80A (替代75NF75)厂家
电动三轮车 摩托车控制器用MOS管8680 86V 80A (替代75NF75)厂家
  • 品牌/商标：

    OGFD

  • 型号/规格：

    8680

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

实际价格请电询或旺旺！注：厂家直销 量大优惠 欢迎选购！ 产品型号：8680 参数：86V 80A 6.8mΩ 封装：To-220备注：60V、64V电动自行车控制器、电动三轮车控制器，电动...

MOS管 32N20 200V 32A 高压MOS管 原厂生产
MOS管 32N20 200V 32A 高压MOS管 原厂生产
  • 型号/规格：

    32N20

  • 品牌/商标：

    OGFD

  • 封装形式：

    220

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

*MOS管 国外投片 *芯片 原厂* Product BVDSS ID RDSON 50N06PL 60V 50A 0.022Ω 80N08TR 80V 80A 0.008 Ω 3205TR 55V 108A 0.008 Ω 3205PL...

  • 无锡市谷峰科技
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：18951514840

LM324 S8050 Z1815
LM324 S8050 Z1815
  • 品牌/商标：

    Collmer美国

  • 型号/规格：

    324

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

本公司诚接配套业务经营范围如下：配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*，价格优惠。*： : 何先生,陈 【运费说明】★方案1：顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...

  • 陈淑青
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：86 0510 82264488

    手机：13914246839

代理美格纳场效应管MDD1654
代理美格纳场效应管MDD1654
  • 型号/规格：

    MDD1654

  • 品牌/商标：

    美格纳

  • 封装形式：

    TO-252

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场效应管 IRF840 IRF830 IRF540N IRFZ44N HFA08TB60 MUR860G HFP8N60 IRF3710 IRF3205 IRF2807 HFP5N60 HFP10N60 HFP830 K3404 HFP50N06 ...

MOS管60N06
MOS管60N06
  • 品牌：

    台湾

  • 型号：

    台湾EK60N06

品牌/商标 台湾 型号/规格 台湾EK60N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 *肖特基势垒栅 开启电压 3（V） 夹断电压 3（V） 跨导 1（μS） *间电容 3（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏*电流 3（mA） 耗散功率 3（mW）

原厂NCE20N65T场效应管 MOS管 650V/20A
原厂NCE20N65T场效应管 MOS管 650V/20A
  • 品牌/商标：

    NCE 新洁能

  • 型号/规格：

    NCE20N65T

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

产品特征：卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A） 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100%Eas测试） 产品应...

二*管WBFBP-03A(1.6*1.6*0.5)
二*管WBFBP-03A(1.6*1.6*0.5)
  • 品牌/商标：

    CJ

  • 型号/规格：

    2301

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CHOP/斩波、限幅

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

供应各类消费类电子用MOSFET，如主板用及便携式产品用，如有需求请与刘联系:传真号：MSN：:5372520 江苏长电科技股份有限公司是国内的二、三*管制造商，中国集成电路封装生产基地，中...

MOSFET行业资讯

  • Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列[2024-10-23]

    Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件...

  • Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列[2024-10-17]

    Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC） MOSFET栅极免受过压...

  • 英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET 2功率MOSFET 30V产品组合[2024-09-29]

    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满...

  • ST推出第四代SiC MOSFET[2024-09-27]

    意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。　　新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引逆变器进行了优化，这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...

  • 英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET[2024-09-23]

    英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET。　　英飞凌 135V OptiMOS 6 封装　　其中有 10 种封装可供选择：7 针 D2PAK（TO-263）、3.3 x 3.3mm PQFN、SuperSO8、TO-220、TO-Leadless（HSOF-8）、TOLG（HSOG-8）或 TOLT（HDSOP-16）。...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

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