4N60
HOMSEMI
全系列封装
普通型
直插式
散装
小功率
本公司代理销售品牌MOS管,质量保证,欢迎来电咨询! 公司主导产品是径向和轴向引线独石电容器、片式电阻器、绕线型片式电感器、贴片铝电解电容。另代理直销、国巨、三星、TDK、村田...
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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥(DAB)、HE...
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的...
三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池,可实现业界先端的6.5W输出功率,有望扩大商用...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在本文中,我们将讨论共源(CS)放大器,它使用栅极作为输入端,漏极作为输出。就交流信...
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供 pn结二极管是最基本的...