45N03
MOT
TO-252/220
普通型
贴片式
散装
长期供应集成电路ic,二*管,三*管,肖特基,快恢复二*管,场效应管,电容硅桥,排桥,等电子元件,有意请来电咨询洽谈 http://www.rightdz.com
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4N60
*原装拆机
TO-220
无铅*型
直插式
散装
我公司主要经营:*原装拆机铝电解电容,光电藕合,肖特基,快恢复二*管,三*管,场效应管,集成电路IC等电子元配件。 公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户”的原则...
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8N60
TL
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
大功率
MOSFET 型 号 TYPE 脚位 Pin BVDSS Min (V) ID (A) RDS(ON) VGS(th) (V) 封装形式 PACKAGE 对 应 型 号 EQUIVALENTTYPE MAX VGS ID (Ω) (V) (A) IRF540 GDS. TO-220 IRF630 GD...
电话:0663-3563968
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INFINEON/英飞凌
35N60C3 15N60C3 11N80C3 17N80C3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
三蒲电子生产加工拆机IC,旧IC翻新,拆机场效应管,拆机二三*管,拆机光耦拆机肖特基,快恢复,可控硅,模块,各类封装为DIP,SOP,PLCC,QFP,TQFP,TO-251,TO-252,TO-262,TO-263,T0-220,...
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其他IC
ST,英飞凌
15N60C3
N沟道
结型(JFET)
增强型
供应各种拆机场效应管,欢迎咨询惠顾!!IRFBC20 IRFBC30 IRFB*0 IRF530 IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRFZ20 IRFZ24 IRFZ30 IRFZ3...
电话:0663-2341984
SOT-227-4,miniBLOC
IXFN44N50
N-FET硅N沟道
MOS-HBM/半桥组件
IXYS/艾赛斯
MOSFET N 通道,金属氧化物
结型(JFET)
耗尽型
本公司主要经营金封螺丝型二*管/可控硅/KBPC桥堆/硅桥//TO-92三*管/13001三*管/TO-126三*管/SOT-227B场效应/整流管/平板可控硅/固态继电器/电子传感器和各种金封镙旋型(STUDPACKAGE),...
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随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...