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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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公司类型

西安

源头工厂

长期PMOS管SI9948AEY

型号/规格：
SI9948AEY
品牌/商标：
VISHAY
封装形式：
SO8
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
型号：
SI9948AEY
制造商：
VISHAY

制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: N 技术: Si 商标名: TrenchFET 系列: SI9 商标: Vishay / Siliconix 产品类型: ...

西安卓一电子科技有限公司
供应商等级：
企业类型：生产制造商
地区:陕西西安

电话：029-87546875

手机：13289230882

vishay威世MosFET场效晶体管2N6660

型号/规格：
2N6660
品牌/商标：
vishay
封装形式：
金属封装
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
超大功率

vishay威世MosFET场效晶体管 2N6660 2N6660-E3 2N6660-2 2N6660JTX02 2N6661 2N6661-E3 2N6661-2 2N6661JTXEA MEA DG409AK-E3 2N6660JANTX 2N6660JANTXV vishay威世CMOS模拟开关 9073...

西安中航高新技术科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:陕西西安

电话：029-88252591-803

手机：13629208773

矿用隔爆兼本安型电源

品牌/商标：
广腾
型号/规格：
GT-KDW127
外形尺寸：
过压保护额定值: ≤13V（mm）
重量：
充电电流: ≤400mA（Kg）
产品用途：
场效应晶体管漏*输出电路等技术并具有快速关断、过压、过流、短路、电平过充、过放电等保护措施。该机具有
规格：
环境温度：-5℃～+40℃

名称：陕西广腾电子科技有限公司：卓先生手机：：（转）805传真：： Q Q:3地址：陕西省西安市含光南路232号公司网址：http://sxgt.cn/ 矿用隔爆兼本安型电源采用集电路控制,场效应...

陕西广腾电子科技有限公司
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企业类型：经销商
地区:陕西西安

电话：81 029 84506813

手机：13259916003

*原装俄罗斯电子元器件晶体管 П217А

封装形式：
DO
型号/规格：
П217А
品牌/商标：
俄罗斯*
材料：
硅(Si)
属性：
95
应用范围：
功率

我公司主要经营俄罗斯、乌克兰、欧美及国产*电子元器件；经销产品系列具体如下：二*管、三*管、电阻、电容、继电器、连接器、集成电路、电源模块、接触器、电子管、可控硅、晶体管...

西安航霆电子科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:陕西西安

手机：15809253089

1*H60D-100

品牌/商标：
FU
型号/规格：
1*H60D-100
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型

1.厂价提供恒流管：2DH1，2DH2，2DH3，2DH4，2DH5，2DH6，2DH7，2DH8，2DH9，2DH10，2DH11，2DH12，2DH13，2DH15，2DH16，2DH17，2DH18，2DH19，2DH20，2DH21，2DH22，2DH23，2DH30，...

西安国正电子科技有限公司
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企业类型：生产加工
地区:陕西西安

电话：86 029 85361257

手机：13572063766

卫光/FHD100E/NPN/硅达林顿/大功率/晶体管

加工定制：
否
品牌/商标：
国产
型号/规格：
FHD100E
应用范围：
达林顿
材料：
硅(Si)
*性：
NPN型
集电*允许电流ICM：
10（A）
集电*耗散功率PCM：
100（W）

特点：该产品采用三重扩散台面结构，具有输出电流大，驱动功率小，放大倍数，反压高等优点。使用范围：该产品可广泛应用于电流输出，电压调整及数控机床的词服电路。适用温度范围：-5...

西安金钻电子科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：其他
地区:陕西西安

电话：029-87650236

N沟道MOS双栅场效应管

型号/规格：
4DO2
品牌/商标：
MOS
封装形式：
其它
*类别：
普通型

用于电视机、调频调幅收音机及各种接受机高频电路。质量等级可分为：*、工业级、民品等封装形式：TO-18-4 产品*原装，现货供应，在价格方面相当具有优势。另外，对于本公司出售的产...

西安佰特电子科技有限公司
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企业类型：经销商
地区:陕西西安

电话：029-84037322

手机：13572429004

MOSFET行业资讯

Infineon - 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-08-21]
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS S7T...
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器[2024-08-21]
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘...
Infineon - 英飞凌推出全新600 V CoolMO 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用[2024-08-20]
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本...
Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-08-20]
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时...
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-08-20]
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

什么是MOSFET?

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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MOSFET技术资料

SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]
氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻（RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]
绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

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