东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电...

中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）最新推出的CoolMOS 8超...

ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的...

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。　　随着AI处理需求持续扩大，数据中...

ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 ...

在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个著名的 “台阶”，也就是 “米勒台阶” 或者 ...

超级结 MOSFET（SJ - MOSFET）是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时，易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 AC - DC 电源、PFC、LLC、反激式转换器以及各种工业电源中，超级结 MOSFET 对于同时实...

功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有显著优势。在高频环境下，功率 MOSFET 能够...

在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。　　然而，目前市场上商用 p 型 4H - SiC 衬底具有相对较高的电...

功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中，它展现出了显著的优势，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）更为适用。这是因为功率 MOSFET ...