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MOSFET

（共找到“50”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS P沟道MOS管 TLP181 TLP521 场效应MOS管 大功率场效应管

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公司类型
北京
源头工厂
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【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
  • 型号/规格：

    1MI100H-025

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式：

    MODULE

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    中功率

产品信息(PRODUCT INFORMATION)： 品牌(BRAND)：富士（FUJI） 原产地（Place of Origin）：日本 规格(STANDARD)：100A/250V/MOS/1U ，详见pdf资料。 货品状况：全新 (100% NEW) 质保(...

质优价廉 ON BS107ARL1G MOSFET 200V 250mA 原厂原装
质优价廉 ON BS107ARL1G MOSFET 200V 250mA 原厂原装
  • 型号/规格：

    BS107ARL1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-92

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

安森美BS107ARL1G 场效应管 安森美BS107ARL1G场效应管相关资料： ds-漏源极击穿电压: 200V Id-连续漏极电流:250 mA Rds On-漏源导通电阻:6.4 Ohms 工作温度:+150C 场效应管：场效应晶...

三社可控硅模块PWB200A40
三社可控硅模块PWB200A40
  • 型号/规格：

    PWB200A40

  • 品牌/商标：

    三社

  • 封装形式：

    模块

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

北京恒达功率元器件代理:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR...

BSS119NH6327XTSA1场效应管INFINEON
BSS119NH6327XTSA1场效应管INFINEON
  • 型号/规格：

    BSS119NH6327XTSA1

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    Reel

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

供应BSS119NH6327XTSA1场效应管INFINEONBSS119NH6327XTSA1场效应管BSS119NH6327XTSA1场效应管BSS119NH6327XTSA1场效应管 东莞 0603B103K500NT 电容器 风华高科 2332 19826 东莞 RS-03...

IPW65R041CFD
IPW65R041CFD
  • 型号/规格：

    IPW65R041CFD

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

IPW65R041CFD是一款650V N沟道CoolMOS™功率MOSFET, 集成快速主体二极管并提高了能源效率. 该MOSFET具有更柔和的换向性能以及更好的EMI性能. CoolMOS™MOS...

ON原装MC7805CTG三端稳压器 直插TO-220
ON原装MC7805CTG三端稳压器 直插TO-220
  • 型号/规格：

    MC7805CTG

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    TO-220

型号：L7805CTG 品牌：ON 参数：5V 1A ±4% -0~125℃ 封装：TO-220 量多价格可商议！ 北京八达顺波电子技术有限公司是一家化的电子元器件供应商，具有十多年的电子元器件销售...

MOS场效应管FQA11N90C
MOS场效应管FQA11N90C
  • 型号/规格：

    FQA11N90C

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-3P

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

北京天智星科电子有限公司位于北京市海淀区阜石路甲69号院西山国际城，是电子元器件供应商，是多家国外半导体厂商在中国的分销商。 经营Infineon 、ON 、ST、 IR、 IXYS、 Fairchild...

IRFU120N
IRFU120N
  • 型号/规格：

    TO-251

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    DIP

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

专营,原装.,大量现货

NTJD4001NT1G ON Semiconductor (安森美) MOS管
NTJD4001NT1G ON Semiconductor (安森美) MOS管
  • 型号/规格：

    NTJD4001NT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT-363

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

技术参数 额定电压(DC) 30.0 V 额定电流 250 mA 漏源极电阻 1.50 Ω 极性 Dual N-Channel 耗散功率 0.272(W) 漏源极电压(Vds) 30.0 V 漏源击穿电压 30.0 V 栅源击穿电压 -20.0 V to 2...

美国仙童 FairChild MOS场效应管 FDH5500
美国仙童 FairChild MOS场效应管 FDH5500
  • 型号/规格：

    FDH5500

  • 品牌/商标：

    美国仙童 FairChild

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

FDH.0 0. TO-247 N沟道，适用于电机驱动、开关电源等 FDP.0 0. TO-220 N沟道，开关特性优越 FQP50N.0 0. TO-220 N沟道增强型，适于DC /DC、电池管理 FDP.0 0. TO-220 N沟道，适于电机...

  • 北京韶光科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：贸易/代理/分销
  • 地区:北京北京市

    • 电话：010-62105512-171

    手机：18500501980

MOSFE TO-220 ST STP110N7F6 原装现货
MOSFE TO-220 ST STP110N7F6 原装现货
  • 型号/规格：

    STP110N7F6

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    Through Hole

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 工厂包装数量：

    1000

  • 产品类型：

    MOSFET

本公司供应MOSFE TO-220 ST STP110N7F6 原装现货 MOSFE TO-220 ST STP110N7F6 原装现货 型号/规格：STP110N7F6 品牌/商标：ST 封装 / 箱体:TO-220-3 安装风格:Through Hole 系列:STP1...

MOS(场效应管) CJQ7328，全新现货CJQ7328
MOS(场效应管) CJQ7328，全新现货CJQ7328
  • 型号/规格：

    CJQ7328

  • 品牌/商标：

    CJ（江苏长电/长晶）

  • 封装形式：

    SOP-8_150mil

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

品牌：CJ（江苏长电/长晶） 厂家型号：CJQ7328 封装规格：SOP-8_150mil 商品毛重：0.193克(g) 包装方式：编带 漏源电压（Vdss）：-30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A ...

场效应管2SK2071
场效应管2SK2071
  • 型号/规格：

    2SK2071-01L

  • 品牌/商标：

    FUJI

  • 封装形式：

    TO-251

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    袋装

  • 功率特征：

    中功率

场效应管2SK2071-01L,2A/600V,用途：功率放大，日本FUJI原包装，现货。 北京萌兴电子是一家主营世界品牌电子元件的经销商，主要经营二三极管、集成电路、光耦，过流过压保护器件，各...

共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3
共赢MOS管SI2305CDS-T1-GE3
  • 型号/规格：

    SI2305CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）8V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.8A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）1.8V，4.5V不同 Id，Vgs 时的 Rds On...

FF450R12ME4 假一赔十
FF450R12ME4 假一赔十
  • 型号/规格：

    FF450R12ME4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    IGBT

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

原厂直销德国英飞凌IGBT模块,全新原装质量保证 IGBT 保管时的注意事项： 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左...

  • 北京威尚科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：贸易/代理/分销
  • 地区:北京北京市

    • 电话：010-62624632

    手机：13810309694

原装进口IR公司场效应管
原装进口IR公司场效应管
  • 型号/规格：

    10BQ040PBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    全新原装进口

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    全新原装进口

1/93-M50 100MT160PA 100MT160PB 10BQ015 10BQ015. 10BQ015PBF 10BQ015TR 10BQ030 10BQ040 10BQ040. 10BQ040PBF 10BQ040TR 10BQ060 10BQ060PBF 10BQ060TR 10BQ100 10BQ100PBF 10BQ100...

MOS管
MOS管
  • 型号/规格：

    FUD3N40TU

  • 品牌/商标：

    FSC

  • 封装形式：

    TO-251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

FDU3N40 批号10+ 数量60K，此货为客户订货，但因为客户的订单出现问题，所以无法白日提货，现在做库存处理*出售，有意请致电：陈

东芝原装MOS管 2SK2608
东芝原装MOS管 2SK2608
  • 型号/规格：

    2SK2608

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-220AB

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

东芝原装*2SK2608为我司常备库存, 长期备有大量现货, 无须订货,交货方便. 为满足工程及采购要求,本公司针对工厂客户可提供少量样品以助开发之用, 欢迎索样! : QQ: 品名: 2SK2608 *性:...

进口原装IR IRFM460 TO-254 N沟
进口原装IR IRFM460 TO-254 N沟
  • 型号/规格：

    IRFM460

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-254

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • BVDSS：

    500V

  • ID：

    19A

以下是我司的其他优势产品-IR场效应管，都为原厂，种类齐全，欢迎前来采购！ IRFM460 IRFV140 IRF5M5210 IRFF130 IRFF230 IRFM250 IRFM440 IRFY240 IRFY9130 IRF5Y1310CM IRF044 IRF0...

IGBT模块FP10R12YT3_B4
IGBT模块FP10R12YT3_B4
  • 品牌：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号：

    FP10R12YT3_B4

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

北京浩诚嘉泰科技有限公司是一家以研发、销售、系统集成项目、配套电子的企业.电子元器件代理:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块，快恢复二*管，场效应及驱动电路.品牌三菱、...

MOSFET行业资讯

  • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

    随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

  • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

  • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

    电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

  • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

    GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

  • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

    英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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