IR/国际整流器
IRFP150N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
P-DIT/塑料双列直插
ALGaAS铝镓砷
型号繁多，无法一一上传实物图片，请谅解，若有需要可向本公司要求提供图片，如搜索不到的型号可通过旺旺询问或联系哦。 电子行业价格变动快，请下单前先咨询当天的价格以免出现不愉...
手机：13871050908
MCC（美微科）
SI3404
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
MOSFET
Features• High dense cell design for extremely low RDS(ON)• Rugged and reliable• Lead free product is acquired• SOT-23...
电话：18986251187
手机：18986251187
FJD日本富士电机
7*P150RA120
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
公司简介武汉新瑞科电气技术有限公司成立于1996年，位于武汉市东湖开发区内，是集科、工、贸为一体的高新技术企业，本公司致力于功率半导体及军民用控制IC的销售与应用开发。在销售与...
电话：027-87166570
普通
IGBT*缘栅比*
二*
*缘栅(MOSFET)
FF200R12KS4
INFINEON/英飞凌
MOS-HBM/半桥组件
N沟道
英飞凌KS4系列IGBT模块*武汉科琪电子有限公司代理功率半导体产品及配套器件，是功率半导体行业知名企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精*及良好的商业信誉，在电力电子行...
电话：027-87267972
IRFP460PBF
IR
TO-247
无铅*型
直插式
单件包装
大功率
TO-220封装、TO-247封装，用于放大、电子开关、阻*变换、可调电阻、恒流源。
电话：027-87267971
手机：13907155687
ST/意法
STP75NF75
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
[产品说明] 本产品为全新原装进口无铅现货,价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆ 捷保(香港)有限公司是我国的电子元器件供应商之一，主要进行电子公司电子...
电话：027-85722807
手机：13871094320
品牌:Infineon英飞凌 型号:IPW60R045CP 应用范围:功率功率MOSFET,600V,TO-247,IPW60R045CP,infineon*原装制造商: INFINEON 制造商编号: IPW60R045CPRoHS协从产品:是描述晶体管类型:Power MOSFET晶体管*性:N Channel电压, Vds 典型值:650V电流, Id 连续:60A开态电阻, Rds(on):0.045ohm电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, V...
电话：27-88866685
IR美国国际整流器公司
IRLML6302TR
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLML6302TR 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 --（V） 夹断电压 --（V） 跨导 --（μS） *间电容 --（pF） 低频噪声系数 --（dB） 漏*电流 --（mA） 耗散功率 --（m...
电话：027-87865582
IXFN48N50
IXYS
塑料封装
无铅*型
直插
散装
大功率
场效应管系列: IRFBC20 IRFBC30 IRFB*0 IRF530 IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRFZ20 IRFZ24 IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 IRFZ46 ...
电话：027-51854223
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。 Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct 据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用？ 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点： 工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在本文中，我们将讨论共源（CS）放大器，它使用栅极作为输入端，漏极作为输出。就交流信...
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供 pn结二极管是最基本的...
