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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS MOSFET管 mos管 场效应MOSFET管 场效应晶体管 大功率场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
湖北
源头工厂
IRFP150N大功率场效应管
IRFP150N大功率场效应管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFP150N

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    AM/调幅

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

型号繁多，无法一一上传实物图片，请谅解，若有需要可向本公司要求提供图片，如搜索不到的型号可通过旺旺询问或联系哦。 电子行业价格变动快，请下单前先咨询当天的价格以免出现不愉...

场效应管SI3404 SOT-23
场效应管SI3404 SOT-23
  • 品牌/商标：

    MCC（美微科）

  • 型号/规格：

    SI3404

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 电子元器件：

    MOSFET

Features• High dense cell design for extremely low RDS(ON)• Rugged and reliable• Lead free product is acquired• SOT-23...

7*P150RA120
7*P150RA120
  • 品牌/商标：

    FJD日本富士电机

  • 型号/规格：

    7*P150RA120

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

公司简介武汉新瑞科电气技术有限公司成立于1996年，位于武汉市东湖开发区内，是集科、工、贸为一体的高新技术企业，本公司致力于功率半导体及军民用控制IC的销售与应用开发。在销售与...

英飞凌IGBT模块 *原装 FF200R12KS4
英飞凌IGBT模块 *原装 FF200R12KS4
  • 关断速度：

    普通

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

  • *数：

    二*

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格：

    FF200R12KS4

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型：

    N沟道

英飞凌KS4系列IGBT模块*武汉科琪电子有限公司代理功率半导体产品及配套器件，是功率半导体行业知名企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精*及良好的商业信誉，在电力电子行...

IR场效应管
IR场效应管
  • 型号/规格：

    IRFP460PBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-247

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

TO-220封装、TO-247封装，用于放大、电子开关、阻*变换、可调电阻、恒流源。

现货原装STP75NF75
现货原装STP75NF75
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

[产品说明] 本产品为全新原装进口无铅现货,价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆ 捷保(香港)有限公司是我国的电子元器件供应商之一，主要进行电子公司电子...

功率MOSFET管IPW60R045CP
功率MOSFET管IPW60R045CP

    品牌:Infineon英飞凌 型号:IPW60R045CP 应用范围:功率功率MOSFET,600V,TO-247,IPW60R045CP,infineon*原装制造商: INFINEON 制造商编号: IPW60R045CPRoHS协从产品:是描述晶体管类型:Power MOSFET晶体管*性:N Channel电压, Vds 典型值:650V电流, Id 连续:60A开态电阻, Rds(on):0.045ohm电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, V...

    场效应管 IRLML6302TR SOT - 23封装 *原装 现货库存
    场效应管 IRLML6302TR SOT - 23封装 *原装 现货库存
    • 品牌：

      IR美国国际整流器公司

    • 型号：

      IRLML6302TR

    品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLML6302TR 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 --（V） 夹断电压 --（V） 跨导 --（μS） *间电容 --（pF） 低频噪声系数 --（dB） 漏*电流 --（mA） 耗散功率 --（m...

    （MOSFET)场效应管
    （MOSFET)场效应管
    • 型号/规格：

      IXFN48N50

    • 品牌/商标：

      IXYS

    • 封装形式：

      塑料封装

    • *类别：

      无铅*型

    • 安装方式：

      直插

    • 包装方式：

      散装

    • 功率特征：

      大功率

    场效应管系列: IRFBC20 IRFBC30 IRFB*0 IRF530 IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRFZ20 IRFZ24 IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 IRFZ46 ...

    MOSFET行业资讯

    什么是MOSFET?

    • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

    • 目录

      MOSFET

    MOSFET技术资料

    • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

      “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

    • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

      绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

    • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

      新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

    • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

      新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

    • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

      MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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