PA110BDA
NIKO-SEM尼克森
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
15A
NIKO-SEM台湾尼克森 MOSFET PA110BDA MOS管 场效应管 漏极电流:15A 漏源电压:100V 内阻:105毫欧 类型:NMOS 场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效...
电话:025-84653330
ABL
95(%)
通用型导热硅脂
适用于电子元器件的热传递,如晶体管、镇流器、热传感器、电脑风扇等,大功率晶体管(塑封管)、二极管与基材(铝、铜板)接触的缝隙的传热介质、整流器和电气的导热绝缘
供应导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性本公司生产的导热硅胶(又名散热硅胶、电子硅胶、散热胶、导热胶)是一种导热又绝缘的单组分室温硅胶,接触空气中的水份自行固化成弹性固体。● 产品特点※产品具有良好的导热能力;※较宽的温度适用范围(固化胶能在...
电话:025-87116545
手机:15251766019
FAIRCHILD/*童
FGA25N120ANTD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
南京诚开电子科技有限公司 翟凌云 传真:部件编号说明封装FGH30T65UPDT650V,30A场截止沟道IGBTTO-247 3*H25T120SMD1200 V、25 A 场截止沟道 IGBTTO-247 3*H40T120SMD1200 V、40 A 场...
电话:86 025 68150265
手机:15251825816
FAIRCHILD/仙童
FQA11N90
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
联系方式: 详细参数选型请查看规格书,若有需要请索要。所有产品为原装进口全新!本公司所有上传产品都是现货,欢迎订购所有价格为参考价格,具体另行咨询!深圳市顺威达电子有限公...
电话:025-66688077
手机:15150542065
STD4NK60ZT4
ST(意法半导体)
D2PAK
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
绝缘栅(MOSFET)
选择耀坤科技的五大理由 1. 优势价格:耀坤科技巨大的产品销售量保证了议价能力,我们供货的产品可以提供优势的价格。 2. 专注:行业,我们专注于电子元件行业数年;致力于以过硬的品...
电话:025-66661049
手机:13675185817
CER-DIP/陶瓷直插
IDW100E60
ALGaAS铝镓砷
UHF/*频
INFINEON/英飞凌
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
南京和默电子科技有限公司从事代理*童 功率器件产品,公司主要致力于新功率半导体器件的推广,包括MOFET, IGBT单管及模块, *快恢复二*管。公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电...
电话:025-66723087
手机:15601580681
IR/国际整流器
IRF3808PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DIFF/差分放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
南京见田机电有限公司是IR、GEFRAN、SMC、RECOM、COSEL、VICOR、OMRON、Schneider、Delta等国际知名品牌的合作伙伴。主要从事*的工控及电气产品的销售与应用,包括工业自动化、系统集...
电话:025-86200765
AUK
SMK1350F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SP/*外形
N-FET硅N沟道
SMK1350F TO-220F AUK韩国原装 代用FQPF13N50韩国AUK出品 韩国原产*。品质*,价格优惠。 该产品部分相关参数如下:VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):500 V(Min.)ID(连...
电话:025-87771568
IR/国际整流器
Si5999EDU
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
南京江泉电子有限公司 nanjing jiangquanelec co., ltd宗保列 先生 (销售部经理)地址:中国 江苏 南京市白下区 光华东街18号邮编:213000传真:258 试用电子传真移动::660公司主页...
电话:025-52389660
CER-DIP/陶瓷直插
FGH60N60SMD
GE-N-FET锗N沟道
A/宽频带放大
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎来电咨询我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎来电咨询我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎...
电话:25-66039101
TOSHIBA/东芝
2SK3878,2SK2611
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
2SK3878:TOS 10+无铅 原装现货!2SK2611:TOS 10+无铅 原装现货!"
电话:025-84535686
IR/国际整流器
IR2118PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
IR2118PBF
电话:025-86935166
SILAN/士兰微
1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
SVD2N60M/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。...
电话:86 0512 68208871
手机:13402666798
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。 Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct 据《纽约客》报道,该器件名为 SiZF4800LDT,“为设计人员提供了用于...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高,可实现更长的行驶距离或更小的高压电池,从而为消费者带来好处。 ROHM自2012年获...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在本文中,我们将讨论共源(CS)放大器,它使用栅极作为输入端,漏极作为输出。就交流信...