IXFN80N50Q2
IXYS/艾赛斯
树脂封装
普通型
直插式
散装
大功率
IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...
电话:0512-57600323
手机:18602223500
MEK600-04DA
艾赛斯
标准封装
无铅环保型
螺丝型
盒带编带包装
中功率
苏州新杰邦电子技术有限公司: 代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的...
电话:051257718939
手机:19951266678
40
4
TO-126
BD681
硅(Si)
ISC、iscsmi
塑料封装
功率
DESCRIPTION ·Collector–Emitter Breakdown Voltage—: V(BR)CEO= 100V·DC Current Gain—: hFE= 750(Min) ...
电话:0510-85346300
手机:15961889150
IPB120P04P4-04
INFINEON(英飞凌)
PG-TO263-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
特英飞凌Infineon场效应管MOS管IPB120P04P4-04 P 通道 - 正常电平 - 增强模式 符合AEC MSL1 峰值回流温度高达 260°C 175°C 的工作温度 环保封装(符合 RoHS) 100%...
电话:051265564717
手机:13382107513
PA110BDA
NIKO-SEM尼克森
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
15A
NIKO-SEM台湾尼克森 MOSFET PA110BDA MOS管 场效应管 漏极电流:15A 漏源电压:100V 内阻:105毫欧 类型:NMOS 场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效...
电话:025-84653330
APM2300CAC-TRG
茂达ANPEC
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
茂达原装原厂产品, APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原厂产品, APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原厂产品, APM2300CAC-TRG SOT23茂达原装原厂产品, APM2300CAC-TRG SOT23.茂达原装原...
电话:0512-68029812
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UF730L/TO-220
UTC
TO-220
普通型
直插式
盒带编带包装
买家须知: 1)网站上标价为未税价格,请购买前咨询当前价格和运费。 2)网站上的货期为无货时的最长货期,下单前请咨询实时货期。 2)本公司产品繁多,网站上不能全部展现,若有相关...
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NCE6003
NCE
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
品牌NCE型号NCE6003种类绝缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途SW-REG/开关电源封装外形CHIP/小型片状材料ALGaAS铝镓砷是否跨境货源否货号NCE6003NCE代理,原装,可开17%增票,...
电话:0512-50710709
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全系列
中光
SMD
无铅*型
贴片式
盒带编带包装
mos管的概述mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型bac...
电话:0519-69806757
手机:
8N65
kevin
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
【购买须知】 1、小批量与整盘价格:整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁,暂不能实时更新在线价格,购买前请务必咨询客服后,再拍产品。 2、订单金额:当前总金额低于100元的订单...
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OR7090
ORTECH
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
中功率
苏州奥泰盛电子科技有限公司研发、生产、销售各种功率半导体器件,品种多型号全库存量大,可为您的产品更新换代提供全方位的技术及元器件的快速、准确、全面、优质的配套服务。 专营:...
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IPP045N10N3
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
小功率
数据列表 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G 产品相片 TO-220-3 标准包装 500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 OptiMOS™ 包装 管件 FET 类型 MO...
电话:0512-65561918
手机:13222986678
CS1N60
华晶
TO-251
无铅*型
直插式
盒带编带包装
联系:,: 华晶mos管CS1N60A3H,主要应用于LED驱动电源,充电器,电源逆变器,LED灯等,主要的客户有:浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽...
电话:0510-13812020156
手机:13812020156
ABL
95(%)
通用型导热硅脂
适用于电子元器件的热传递,如晶体管、镇流器、热传感器、电脑风扇等,大功率晶体管(塑封管)、二极管与基材(铝、铜板)接触的缝隙的传热介质、整流器和电气的导热绝缘
供应导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性本公司生产的导热硅胶(又名散热硅胶、电子硅胶、散热胶、导热胶)是一种导热又绝缘的单组分室温硅胶,接触空气中的水份自行固化成弹性固体。● 产品特点※产品具有良好的导热能力;※较宽的温度适用范围(固化胶能在...
电话:025-87116545
手机:15251766019
FAIRCHILD/*童
FGA25N120ANTD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
南京诚开电子科技有限公司 翟凌云 传真:部件编号说明封装FGH30T65UPDT650V,30A场截止沟道IGBTTO-247 3*H25T120SMD1200 V、25 A 场截止沟道 IGBTTO-247 3*H40T120SMD1200 V、40 A 场...
电话:86 025 68150265
手机:15251825816
*
0.33UF63V
铝电解
晶体管电路
方块状
*率
中频
固定
公司主营: 全系列铝电解电容、贴片旺全厚声风华三星电容/电阻、(0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2512大小功率一系列)、钽电容.(P型、A型、B型、C型、D型、E型...
电话:86 0512 68184096
手机:13222208693
OGFD6703
OGFD
sot-23-6
普通型
贴片式
单件包装
小功率
产品型号:OGFD6703(替代AO6604/MT2701)封装:SOT-26(TSOP6) N+P 双芯片 场效应管 我们在国内外均建有强大的经验丰富的自主研发科技团队,产品主要针对电源管理和功率器件领域。我...
电话:0510-82864500
手机:18118913227
FAIRCHILD/仙童
FQPF2N60C
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
S/开关
TO-220-3 整包
N-FET硅N沟道
FQPF2N60C:600V,4700mO,2A,23W 昆山海驰电子代理,批发原装品牌:IC-可控硅-光耦-场效应管-单片机-二极管-三极管等。授权代理:长电-ST先科-UTC-亿光分销:TOSHIBA(东芝),FAIRCHILD(...
电话:0512-50111115
手机:13456331233
华晶
CS5B6002A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
注①:此处是「华晶」品牌*,可查看企业实名或公司诚信档案。注②:此处所标单价均为建设网站而虚构,并非真实价格,故不作为成交依据。注③如需产品资料,样品及报价,可以来电或咨询。...
电话:86 0510 81805625
手机:13771500160
NCE
3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
原厂大量供应原装3050、3080、3010、3012、55H12、60H10、7080、7190、7578、7580、8290、8580......中压系列晶圆,型号*。采用的8英寸芯片制程工艺;器件电参数的稳定性好。 主要团...
手机:13510096050
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...