ON/安森美
RU190N08Q
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
RU190N08Q 190A 80V TO-247场效应管 原装 适用于焊机,逆变器等。 沈阳电子市场先科电子商店 经销批发的电子元件,二三*管,场效应管,可控硅消费者市场,在消费者当中享有较高的*,...
电话:86 024 24146223
手机:13842089682
WAFER/裸芯片
3N50
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
*
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50,质量*。芯片基本性质:芯片型号Model3N50 芯片尺寸:2.55*2.55 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电*金属铝 背面电*金属银 VD...
手机:
TW
IRF640
品牌/商标 TW 型号/规格 IRF640 种类 *缘栅 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 夹断电压 200(V) 饱和漏*电流 18(mA) 我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF640,质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展! 芯片基本性质::芯片型号ModelIRF640芯片尺寸:3.59*4.59VDSS200VRDS(on)0.18...
电话:0415-2188181
DE
2N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
MOSFET场效应管,1N60,TO-251详情 我司为几十年晶体管生产厂家,有着多年场效应管封测经验,现引进进口封测MOSFET设备和进口芯片,高性价比。欢迎采购。 订购:高经理产品图片公司介...
电话:8604156135907
手机:13941517731
TW
2N60芯片
绝缘栅(MOSFET)
P沟道
耗尽型
UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
ALGaAS铝镓砷
2N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET,具有快速开关的特点。芯片基本性质::芯片型号Model2N60芯片尺寸:2.30*2.89 VDSS600VRDS(on)4.5(max)ID2.1A 正面电极金属铝 ...
电话:8604152188181
手机:13904956321
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...