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MOSFET

(共找到“3”条查询结果)
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泉州
源头工厂
  • 型号/规格:

    DW-JTG4-NPN-8

  • 输出频率:

    2(kHz)

  • 品牌/商标:

    多威

  • 工作电压:

    DC24(V)

  • 加工定制:

  • 属性:

    属性值

全国诚招经销商!您身边的工业电气系统集成商:泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品,集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发,设计,生产比例阀放...

  • 封装形式:

    直插型

  • 型号/规格:

    2SC3638

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    JM

  • 应用范围:

    功率

锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管:2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...

    型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

    MOSFET行业资讯

    • 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7[2024-04-16]

      英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...

    • 80V 对称双 N 沟道 MOSFET,尺寸为 3 x 3mm[2024-04-03]

      New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。  Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct  据《纽约客》报道,该器件名为 SiZF4800LDT,“为设计人员提供了用于...

    • 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效[2024-04-01]

      STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。   这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...

    • Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度[2024-03-21]

      英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...

    • Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率树立行业新标准[2024-03-21]

      英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...

    什么是MOSFET?

    • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
    • MOSFET

    MOSFET技术资料

    • 功率 MOSFET 特性双脉冲测试[2024-03-07]

      IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。  双脉冲有什么用?  图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。  图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...

    • MOSFET工作原理和特点[2024-03-04]

      MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...

    • MOSFET 共源放大器的频率响应[2024-02-29]

      之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。  在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...

    • MOSFET共源放大器简介[2024-02-22]

      放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。  在本文中,我们将讨论共源(CS)放大器,它使用栅极作为输入端,漏极作为输出。就交流信...

    • 什么是耗尽型 MOSFET[2024-01-18]

      金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。  耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供  pn结二极管是最基本的...

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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