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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型

河南

源头工厂

晶体管大小型功率高频炉中频炉 *音频加热设备 **锋牌放心

加工定制：
否
品牌/商标：
*锋电气
型号/规格：
60Kw
电压：
380（V）
功率：
60K（W）
额定温度：
1000（℃）
主要用途：
金属加热齿轮轴加热淬火
产品：
CE

晶体管大小型功率高频炉中频炉 **锋牌放心大小型功率高频炉**锋牌3、矿山工具的焊接，如&ldquo;一&rdquo;字钎头、柱齿钎头、燕尾型煤钻头、铆杆钻头、各种采煤机截...

河南超锋电气设备贸易有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:河南许昌

电话：86 0374 2355679

手机：15993692891

75n75场效应管

品牌/商标：
双阳
型号/规格：
P75NF75@
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
FM/调频
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
GaAS-FET砷化镓

P75NF75@管1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选...

郑州市管城区双阳电子店
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:河南

电话：86 0394 6490058

手机：13838617100

话筒管2SK596（咪头*场效应管）测试仪

重量：
12（Kg）
产品用途：
话筒管（咪头*场效应管）测试分选
型号/规格：
CS2006-1
品牌/商标：
晶鑫
加工定制：
否
外形尺寸：
400X300180（mm）

话筒管K596（咪头*场效应管）测试仪品牌: 晶鑫型号: CS2006-1 产品说明：话筒管测试仪是为生产CSK596、J35、CSK600、CSK800（微型、片式）...2SK1109、2SP1109、2SK596等系列单栅结...

新乡市晶鑫电声自动化有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:河南新乡

电话：86 0373 5836308

SEC*童原装IGBT-160N60

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
160N60
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MW/微波
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
N-FET硅N沟道

耐电压600V,耐电流160A场效应G60N100 场效应IRFP4227 场效应IRF540 场效应20N60 场效应12N60 场效应10N60 场效应7N60 场效应8N60 场效应12N60 场效应10N60 场效应7N60 场效应8N60 场...

张培阳
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:河南郑州

电话：0371-66930171

MOSFET行业资讯

英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7[2024-04-16]
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品非常适合...
80V 对称双 N 沟道 MOSFET，尺寸为 3 x 3mm[2024-04-03]
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。　　Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct　　据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于...
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效[2024-04-01]
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。　　　这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度[2024-03-21]
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...
Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准[2024-03-21]
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...

什么是MOSFET?

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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MOSFET技术资料

功率 MOSFET 特性双脉冲测试[2024-03-07]
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。　　双脉冲有什么用？　　图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。　　图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...
MOSFET工作原理和特点[2024-03-04]
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点：工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...
MOSFET 共源放大器的频率响应[2024-02-29]
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。　　在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
MOSFET共源放大器简介[2024-02-22]
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。　　在本文中，我们将讨论共源（CS）放大器，它使用栅极作为输入端，漏极作为输出。就交流信...
什么是耗尽型 MOSFET？[2024-01-18]
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。　　耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供　　pn结二极管是最基本的...

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