IRFB3607
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
IRFB3607 和FAN78883 Half-Bridge Gate-Drive ICFeaturesDescription. Floating Channel for Bootstrap Operation to +200VThe FAN7888 is a monolithic three half-bridge gate-driv...
电话:13777447311
手机:13777447311
时间
国产
DHC1
DHC1
*率
/
/
一开三闭
*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1:1997 电 源 AC220V (50Hz) 触点电寿命 ≥1×105...
电话:86 0571 85364285
IRF830
*童
TO-220
无铅*型
直插式
散装
*率
公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品:2SC3998(塑封:...
电话:0571-63342995
手机:13706813019
ST/意法
STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
场效应管规格:品牌ST型号STP75NF75FP种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电动车充电电路封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-P-FET锗P沟道 原装,现货! 品牌:ST 型号:STP...
手机:13858149001
SMD(SO)/表面封装
AOD409
P-FET硅P沟道
SW-REG/开关电源
AOS/美国万代
P沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
杭州*鹄电子科技有限公司--------的电子元器件供应商,只做*原装长期为各广大终端工厂提供电子元器件配套服务。严格的质量把关,*质量100%*本公司供应的产品较多,无法一一上传,如有...
手机:
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
功率型
300
LWH300G603
SP/*外形
20KHZ
LS/产电
产品名称:LWH300G603--韩国LS IGBT模块价格:电谈/面谈 该模块是韩国LS产电(原LG电子)针对工业应用推出的2单元LS IGBT模块。其相对竞争优势主要体现在两方面:一、质高:模块内嵌静...
手机:15306589109
IR/国际整流器
IRF730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
供应IR 原装*MOS管。IRF740IRF730IRF9530IRF9540IRF640IRF540等等IR型号MOS管长期备有大量库存,欢迎来电咨询!
手机:13666606114
SILAN/士兰微
SVF12N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
:余开权 手机:A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF12N60T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计...
手机:
ALE美国
TY8205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DC/直流
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
20V, 6A, RDS(on) (Max 25 mΩ) @ VGS=4.5VRDS(on) (Max 37 mΩ) @ VGS=2.5V■ Performance and Cost Competitive■ Advanced Trench Technology■ Low RD...
电话:86 571 85459810
手机:13735431139
FEIHONG
FHP7N80
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
所报价格可能会随市场有所波动,具体请来电面议,祝合作愉快!目前杭州利普电子科技有限公司涉及配套领域:各种电源充电器及控制器、仪器仪表、*性照明类、汽车电子、音响设备、通讯...
电话:86 571 88009772
手机:15088650833
MDP9N60
Magnachip
TO-220
无铅*型
直插式
盒带编带包装
*率
MDP9N60 TO-220F封装 VDS:600V ID:9A RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...
电话:0571-89902046
手机:13738103737
ST/意法
STP75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
ST公司原装MOS管,此型号MOS管有多个封装地,目前我司分销*封装地的产品,产品以条管包装,50PCS一条,此型号具体参数为:电压=75V、电流=80A、RDS〈0.011Ω,封装为TO-...
电话:0571-88009842
电话:86 571 88009256
手机:13805746642
IR/国际整流器
IRFP460
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
LMP-C/阻*变换
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
杭州供应*大功率直插场效应管IRFP460A TO-247 【杭州丰登电子有限公司】 销售可控硅,二*管,三*管,肖特基,场效应管,达林顿管,三端稳压,集成IC等各种电子元器件。网络*,批发,...
电话:86 0571 88009135
矽利康
SSF6010 IRFZ44
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
MOSFETPart NumberPackageConfigurationVDSS min(V)VGS(V)VGS(th) min(V)RDS(on) maxQg t* @Vgs=10V(nC)Qg t* @Vgs=4.5V(nC)Qgs(nC)Qgd(nC)ID(A)Pd max(W)Rg t*(Ω)at V...
电话:0571-81959128
CEN美国*半导体
MUR120A
品牌/商标 CEN美国*半导体 型号/规格 MUR120A 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 销售IR、APT、HAR、MOT、ST、FUJ、TOS、GI、NEC、FSC、HIT等厂家的集成芯片、二三*管、发光管、光敏管、大小功率场效应管IGBT、贴片元件及其它电子元件。 信誉是我们经营的宗旨。配套、品种*、货源稳定,良好的信誉,使我们...
电话:571-88009114
品牌:IR 型号:IRFP150N 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:100(V) 低频跨导:1(μS) *间电容:145(pF)供原装*IRFP150N,本公司真正优势库存产品,价优货足
电话:571-86092636
P-DIT/塑料双列直插
IRFP264
N-FET硅N沟道
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
杭州富阳奥星电子有限公司生产三*管(大功率)、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。三*管:2SC3320 2SC5200 2SC3998 2S*237 2SC2922 3DD5686 3DF50...
电话:0571-63342995
FRE*CALE/飞思卡尔
FQD13N10L
TO-252
其他IC
其他
其他
杭州鼎玛电子经营:集成电路IC(主营贴片SMD),场效应管MOSFET,光电耦合器,可控硅,二三*管等电子元器件配套。(~~可开具17%增值税*!~~)主营品牌:TI,IR,FSC,PHI,ST,ON,JRC,TOS,NS,HT...
电话:0571-56789189
SILAN
SVF10N65F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
原装现货SVF10N65F,TO-220F塑封该产品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动 *说明: 1、本公司所出售商品*原装*品,包客诉。 2、公司可开具17%增值税**,税...
电话:571-87550591
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...