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MOSFET

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型

常州

源头工厂

MOS管批发

型号/规格：
全系列
品牌/商标：
中光
封装形式：
SMD
*类别：
无铅*型
安装方式：
贴片式
包装方式：
盒带编带包装

mos管的概述mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型bac...

常州市中光电器有限公司/安徽中鑫半导体有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：原厂制造商
地区:江苏常州

电话：0519-69806757

手机：

场效应管

品牌/商标：
尼克森
型号/规格：
各类型号
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插

各类场效应，原装现货，长期供应！有需要请联系！常州尼桑电子科技有限公司，成立于2006年。主营整流二*管、肖特基二*管稳压二*管，并且三*管、整流桥堆等也有很大的优势，公司秉...

常州尼桑电子贸易公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:江苏常州

手机：

开关电源场效应管（740-220C)

封装外形：
SMD(SO)/表面封装
型号/规格：
TR740-220C
材料：
N-FET硅N沟道
用途：
SW-REG/开关电源
品牌/商标：
TIANRUI
沟道类型：
N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
导电方式：
增强型

我司生产场效应管，通过ISO9001体系，欢迎致电咨询，！

常州市天睿电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产加工
地区:江苏常州

电话：0519-88763133

IXYS沟道MOSFET管

品牌:IXYS 型号:IXTA200N075T 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:D/变频换流封装外形:SMD(SO)/表面封装材料:GE-P-FET锗P沟道开启电压:75（V）夹断电压:75（V）低频跨导:0.031（&mu;S）漏*电流:0.2（mA）耗散功率:430000（mW）T*e: Trench Gate Power MOSFETs Part NoVdssIdRds(on)Pac...

常州港利国际贸易有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:江苏常州

电话：519-8128855

固态铝电解电容25SVP56M

品牌/商标：
SANYO/三洋
型号/规格：
25SVP56M
介质材料：
铝电解
应用范围：
晶体管电路
外形：
圆柱形
功率特性：
*率
频率特性：
低频
调节方式：
固定

买家*读：1.为避免运输过程中造成货物损坏或丢失给您带来损失，请您在收到货物时认真检查，如有问题请勿签收，并时间与我联系，共同解决问题，勿在签收后提出数量不足、货不对板的情...

陈杰
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产加工
地区:江苏常州

电话：0519-86320173

现货销售Silikron硅能MOSFET SSF11NS60F，TO-220F封装

品牌/商标：
Silikron硅能
型号/规格：
SSF11NS60F
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
L/功率放大
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
N-FET硅N沟道

现货销售MOSFET SSF11NS60F，封装：TO-220F，品牌：Silikron硅能VDSS：650VRDS(on)：0.36ohm(t*.)ID：11A

常州奕辰电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:江苏常州

电话：519-88099996

VDMOS器件

型号/规格：
MM01A6A2
品牌/商标：
宏微
封装形式：
*
*类别：
无铅*型
安装方式：
直插式
包装方式：
卷带编带包装

导通电阻低—通态损耗低开关速度快—开关损耗低脉冲电流高—耐电流冲击能力强高温下工作稳定—*性高雪崩耐量高—*性高

江苏宏微科技有限公司销售部
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:江苏常州

电话：0519-85166088-8086

手机：15961201711

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威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
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什么是MOSFET?

金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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MOSFET技术资料

MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下，栅源电压要么足够低以防止电流流动，...
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试[2024-04-26]
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比，SiC MOSFET 的效率更高，可实现更长的行驶距离或更小的高压电池，从而为消费者带来好处。　　ROHM自2012年获...
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IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。　　双脉冲有什么用？　　图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图，图 2 中显示了测量数据。　　图 1. 基本双脉冲设置，包括两个...
MOSFET工作原理和特点[2024-03-04]
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点：工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gate）、漏极（Source）...
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之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查其频率响应。　　在本文中，我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...

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