INFINEON/英飞凌
FF300R12MS4
增强型
其他
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT绝缘栅比极
TR/激励、驱动
绝缘栅(MOSFET)
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容<span style="font-size:26pt;font-family:'Ti...
电话:0592-5710719
手机:18106931969
PowerMos
PMS740P
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管(N-channel Mosfet)特点:&bull; 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53&Omega; @VGS = 10 V&bull; 低栅电荷&bull; *度&...
电话:86 592 5925389
德国法勒
LTE/LTE-U10
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...
手机:
其他
HFS12N65S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商;至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴;是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一;自公司...
电话:86 0592 6021896
国产
MOS-P LY5801
结型(JFET)
P沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
工作原理 场效应管工作原理用一句话说,就是&ldquo;漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID&rdquo;。更正确地说,ID流经通路的宽度...
电话:0592-5933267
1N60
TR
TO92/TO251
无铅*型
直插式
*条装
*率
产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...
电话:0592-6219390
手机:13860116760
品牌/商标 TRR MW 型号/规格 DSR0.3 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 0.3(A) 反向电压 1000(V) 0.3A0.5A1A400V DSR0.5GDSR1G600V DSR0.5JDSR1J800VDSR0.3KDSR0.5KDSR1K1000VDSR0.3MDSR0.5MDSR1M SurfaceMountStandardRecti...
电话:0592-5712416
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...