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MOSFET

（共找到“11”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS MOSFET驱动器 TL431 东芝MOS管 东芝场效应管 东芝电子管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
宁波
源头工厂
场效应管 IRFR4104TRPBF IR/国际整流器 原装
场效应管 IRFR4104TRPBF IR/国际整流器 原装
  • 型号/规格：

    IRFR4104TRPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）...

N531 驱动能力强 三*管 MOS管
N531 驱动能力强 三*管 MOS管
  • 品牌/商标：

    新诚

  • 型号/规格：

    N531

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V/前置(输入级)

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

简洁易用的MOS/IGBT 驱动器N531摘要：本文介绍了一种新型的通用功率开关驱动器N531,并与其它常见的MOS/IGBT 低端方式驱动电路进行了对比(因IGBT 具有MOS 特性,因此文中*以MOS 管为代...

高压场效应管 PTP/F8N80
高压场效应管 PTP/F8N80
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    PTP/F8N80

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    PUOLOP

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

大量供应各种型号的MOS管、二三*管PTP高压场效应系列：1N60 TO-92PTU/D1N60 TO-251/TO-252PTU/D1N65 TO-251/TO-252PTU/D2N60 TO-251/TO-252PTU/D2N65 TO-251/TO-252PTU/D4N60 TO-251/...

FQPF9N50.*原装
FQPF9N50.*原装
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF9N50/FQPF9N50C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 跨导：

    1（μS）

  • *间电容：

    1（pF）

  • 低频噪声系数：

    1（dB）

销售*原装 ，公司与多家*售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。宁波市鄞州弈鸣电子有限公司经销的功率器件、MOSFET、IGBT、可控硅、电源管理IC、稳压电路、光藕、二*管、三*管、等...

现货T*420VOA
现货T*420VOA
  • 品牌/商标：

    MICROCHIP/微芯

  • 型号/规格：

    T*420VOA

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

Features• Latch-Up Protected: Will Withstand >1.5AReverse Output Current• Logic Input Will Withstand Negative Swing Up To5V&b...

IR MOS场效应管功率管
IR MOS场效应管功率管
  • 型号/规格：

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

IR(International Rectifier)成立于1947年,作为电源应用半导体领域的,IR提供电源管理及电源管理方案,IR的产品HEXEFT电源MOSFET,IGBT,DIODE,集成电路等,应用于自动华控制,汽车的电动系...

MOS管8N60
MOS管8N60
  • 品牌/商标：

    台湾芯片

  • 型号/规格：

    8N60

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DUAL/配对管

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

供应MOS系列8N60慈溪爱能电子科技有限公司位于浙江慈溪，爱能电子科技公司是一家以设计，开发，销售（集成电路）电子元器件、、水处理剂、净水絮凝剂等产品的公司。公司与多家国内外...

P沟道MOSFET系列增强型功率场效应管 ME2301 IC微盟
P沟道MOSFET系列增强型功率场效应管 ME2301 IC微盟
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    ME微盟

  • 型号/规格：

    ME2301M

  • 封装：

    SOT23-3L

  • 批号：

    09

宁海诚芯电子科技有限公司销售部位于中国浙江宁海西店，宁海诚芯电子科技有限公司销售部是一家驱动IC、升压IC、恒流IC、MOS管、驱动模块等产品的经销批发的私营合伙企业。宁海诚芯电...

AP 75N07GP 场效应MOS管
AP 75N07GP 场效应MOS管
  • 品牌：

    AP

  • 型号：

    AP75N07GP

品牌/商标 AP 型号/规格 AP75N07GP 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 75（V） 夹断电压 1.5（V） 低频跨导 22（μS） *间电容 2（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏*电流 800（mA） 耗散功率 3000（mW） 新版AP75N07 台湾富鼎品...

大量现货拆机场效应管75NF75
大量现货拆机场效应管75NF75
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

位于中国·浙江·余姚东海之滨、杭州湾南岸，地理环境*，交通便利，紧靠沪、杭、甬*公路，毗邻筹建中的杭州湾跨海大桥。经销国产及世界各品牌（FSC、HI...

原装STP60NF060
原装STP60NF060
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP60NF06

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

宁波海曙玖龙电子有限公司成立于2004年,公司代理分销国内外电子元器件。玖龙电子所提供的元器件用途广泛涉及汽车电子、工控、通信、电源、仪器仪表、计算机周边以及消费类电子等。玖...

MOSFET行业资讯

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

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