IRFR4104TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)...
电话:0574-86096610
手机:13738460258
新诚
N531
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V/前置(输入级)
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
简洁易用的MOS/IGBT 驱动器N531摘要:本文介绍了一种新型的通用功率开关驱动器N531,并与其它常见的MOS/IGBT 低端方式驱动电路进行了对比(因IGBT 具有MOS 特性,因此文中*以MOS 管为代...
电话:86 0574 87916433
P-DIT/塑料双列直插
PTP/F8N80
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
PUOLOP
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
大量供应各种型号的MOS管、二三*管PTP高压场效应系列:1N60 TO-92PTU/D1N60 TO-251/TO-252PTU/D1N65 TO-251/TO-252PTU/D2N60 TO-251/TO-252PTU/D2N65 TO-251/TO-252PTU/D4N60 TO-251/...
手机:
FAIRCHILD/*童
FQPF9N50/FQPF9N50C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
1(μS)
1(pF)
1(dB)
销售*原装 ,公司与多家*售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。宁波市鄞州弈鸣电子有限公司经销的功率器件、MOSFET、IGBT、可控硅、电源管理IC、稳压电路、光藕、二*管、三*管、等...
手机:
MICROCHIP/微芯
T*420VOA
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
SMD(SO)/表面封装
GaAS-FET砷化镓
Features• Latch-Up Protected: Will Withstand >1.5AReverse Output Current• Logic Input Will Withstand Negative Swing Up To5V&b...
电话:86 0574 87737972
IRF4905PBF
IR/国际整流器
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
IR(International Rectifier)成立于1947年,作为电源应用半导体领域的,IR提供电源管理及电源管理方案,IR的产品HEXEFT电源MOSFET,IGBT,DIODE,集成电路等,应用于自动华控制,汽车的电动系...
电话:0574-86897190
手机:18667837937
台湾芯片
8N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DUAL/配对管
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
供应MOS系列8N60慈溪爱能电子科技有限公司位于浙江慈溪,爱能电子科技公司是一家以设计,开发,销售(集成电路)电子元器件、、水处理剂、净水絮凝剂等产品的公司。公司与多家国内外...
电话:0574-56334168
其他IC
ME微盟
ME2301M
SOT23-3L
09
宁海诚芯电子科技有限公司销售部位于中国浙江宁海西店,宁海诚芯电子科技有限公司销售部是一家驱动IC、升压IC、恒流IC、MOS管、驱动模块等产品的经销批发的私营合伙企业。宁海诚芯电...
电话:0574-189678335
AP
AP75N07GP
品牌/商标 AP 型号/规格 AP75N07GP 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 75(V) 夹断电压 1.5(V) 低频跨导 22(μS) *间电容 2(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏*电流 800(mA) 耗散功率 3000(mW) 新版AP75N07 台湾富鼎品...
电话:0574-27660920
ST/意法
75NF75
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
位于中国·浙江·余姚东海之滨、杭州湾南岸,地理环境*,交通便利,紧靠沪、杭、甬*公路,毗邻筹建中的杭州湾跨海大桥。经销国产及世界各品牌(FSC、HI...
电话:0574-63804151
ST/意法
STP60NF06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
宁波海曙玖龙电子有限公司成立于2004年,公司代理分销国内外电子元器件。玖龙电子所提供的元器件用途广泛涉及汽车电子、工控、通信、电源、仪器仪表、计算机周边以及消费类电子等。玖...
电话:0574-87296446
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...