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MOSFET

（共找到“2086”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET管 MOSFET继电器 P沟道MOS管 TLP521 拆机场效应管 场效应晶体管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
广东
源头工厂
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固锝GMP01104D中低压MOSFET
固锝GMP01104D中低压MOSFET
  • 型号/规格：

    GMP01104D

  • 品牌/商标：

    GOOD-ARK

  • 封装形式：

    TO-252(D-PAK)

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

低电压MOSFET通常适用于低压电源和信号调节。它们的工作电压通常低于100V，开关电流相对较低。这类MOSFET广泛应用于消费电子设备、计算机和通信设备中。固锝GMP01104D中低压MOSFET参...

FSC仙童 BS170 TO-92 场效应管
FSC仙童 BS170 TO-92 场效应管
  • 品牌：

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号：

    BS170

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CC/恒流

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 货号：

    1

深圳市波光电子有限公司，起源于1985年，正式成立于2002年，是一家国际品牌半导体代理分销公司，主要服务于中小型电子制造企业。我可提供一系列的元器件服务，包括现货供应，期货订货...

MOSFET场效应管AM2329P-T1-PF
MOSFET场效应管AM2329P-T1-PF
  • 型号/规格：

    AM2329P-T1-PF

  • 品牌/商标：

    ANALOGPOW

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    编带

产品描述： MOSFET场效应管AM2329P-T1-PF / 原装现货新年份品牌ANALOGPOW厂家型AM2329P-T1-PF封装形式SOT-23内部结构：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEFET 类型：P-CHANNEL商品目录 MOSFE...

场效应管IRF4905PBF 原装 假一罚十
场效应管IRF4905PBF 原装 假一罚十
  • 型号/规格：

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

IRF4905PBF产品详细规格生产商:Ir规格书:RohsLead free / RoHS Compliant标准包装50FET 型MOSFET P-Channel, Metal OxideFET特点Standard漏极至源极电压（VDSS）55V电流-连续漏极（编...

SI2305 P沟道增强型MOSFET
SI2305 P沟道增强型MOSFET
  • 型号/规格：

    SI2305

  • 品牌/商标：

    CJ/长电

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS（ON），Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...

IRFH5300TRPBF 低压MOS管 现货库存
IRFH5300TRPBF 低压MOS管 现货库存
  • 型号/规格：

    IRFH5300TRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    DFN56

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的...

2N7002ET1G 场效应管 SOT23
2N7002ET1G 场效应管 SOT23
  • 型号/规格：

    2N7002ET1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 数量：

    100000

类型 描述 类别 集成电路（IC） 场效应管 制造商 ON 系列 包装 卷带 输出配置 正 输出类型 可调式 稳压器数 ...

场效应管IRF3007S 全新现货
场效应管IRF3007S 全新现货
  • 型号/规格：

    IRF3007S

  • 品牌/商标：

    国际品牌

  • 封装形式：

    SMD/DIP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/DIP

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际知名的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...

原装场效应管IPB072N15N3G
原装场效应管IPB072N15N3G
  • 型号/规格：

    IPB072N15N3G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

原装场效应管IPB072N15N3G产品信息 深圳驰源科技长期供应原装场效应管IPB072N15N3G <img style="max-width:700px;" src="http://file3.dzsc.com/product/20/06/03/...

WPM2026-3/TR芯瑞SReleics 场效应管MOS
WPM2026-3/TR芯瑞SReleics 场效应管MOS
  • 型号/规格：

    WPM2026-3/TR

  • 品牌/商标：

    SReleics芯瑞

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

The WPM2026 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench<div class="...

全新原装RU1E002SPTCL ROHM/罗姆
全新原装RU1E002SPTCL ROHM/罗姆
  • 型号/规格：

    RU1E002SPTCL

  • 品牌/商标：

    ROHM（罗姆）

  • 封装形式：

    SOT-323FL

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商：Rohm Semiconductor 系列：- 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 产品状态：在售 FET 类型：P 通道 技术：MOSFET（金属氧化物...

BSB280N15NZ3 优势 英飞凌
BSB280N15NZ3 优势 英飞凌
  • 型号/规格：

    BSB280N15NZ3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    WDSON-2-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

----- 致力于中小微客户提供全方位的现货供应链服务：请在线QQ联系或拨打电话联系下单快2小时发货 ,20000+型号，9000万+常备现...

IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3
IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3
  • 型号/规格：

    IPDH4N03LA-G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    SMD

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...

IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)
  • 型号/规格：

    IRFP260NPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247AC-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    小功率

IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)产品描述： 类别分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET制造商Infineon Technologies包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化...

原装英飞凌场效应管IRF530NPBF
原装英飞凌场效应管IRF530NPBF
  • 型号/规格：

    IRF530NPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

深圳市维科创电子有限公司 ----在线一站式配单BOM表实时报价---- 因电子产品众多，无法全部上传，找不到型号的可以联系客服咨询报价 电话 13723751947 （ 微信同号） 深圳市维科创电...

XBLW/芯伯乐 50P06D TO-252 MOS管
XBLW/芯伯乐 50P06D TO-252 MOS管
  • 型号/规格：

    50P06D

  • 品牌/商标：

    XBLW/芯伯乐

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销，致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳，由一批具有海内外企业...

场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
  • 型号/规格：

    BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    5000/盘

BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展，公...

N沟道增强型功率MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
  • 型号/规格：

    AP1A003GMT

  • 品牌/商标：

    APEC/富鼎

  • 封装形式：

    QFN5x6

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市汇莱威科技有限公司是国内首批斥巨资开发的电子元器件小批量采购电商之一。2017年拿到众山海润资产管理首轮天使投资，自营品牌：TI、ADI、XILINX、ALTERA/Intel汇聚中小企业殷...

NTR4003NT1G场效应管MOSFET
NTR4003NT1G场效应管MOSFET
  • 型号/规格：

    NTR4003NT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市博睿海科技电子有限公司 主营 TI（德州仪器）、ADI（亚德诺）、MAXIM（美信）、ON（安森美）、ARTERY雅特力、INFINEON（英飞凌)、NXP(恩智浦)、VISHAY（威世）、DIODES（美台）...

射频MOSFETs,BLC9G27LS-151AV
射频MOSFETs,BLC9G27LS-151AV
  • 型号/规格：

    BLC9G27LS-151AV

  • 品牌/商标：

    AMPLEON

  • 封装形式：

    SOT-1275-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    托盘

  • 功率特征：

    大功率

  • 起订量：

    1

BLC9G27LS-151AV：特性和优势专为宽带应用设计（1805 MHz至2025 MHz）采用去耦引脚，提高视频带宽性能出色的耐用性高效很好的热稳定性内部匹配，便于使用高功率增益集成ESD保护符合欧...

MOSFET行业资讯

  • Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列[2024-10-23]

    Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件...

  • Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列[2024-10-17]

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    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满...

  • ST推出第四代SiC MOSFET[2024-09-27]

    意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。　　新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引逆变器进行了优化，这是电动汽车 (EV) 动力系统的关键部件。该公司计划在 2027 年之前...

  • 英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET[2024-09-23]

    英飞凌推出了适用于 72V 和 84V 电池供电设备的 135V 功率 MOSFET。　　英飞凌 135V OptiMOS 6 封装　　其中有 10 种封装可供选择：7 针 D2PAK（TO-263）、3.3 x 3.3mm PQFN、SuperSO8、TO-220、TO-Leadless（HSOF-8）、TOLG（HSOG-8）或 TOLT（HDSOP-16）。...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

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    MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

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