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IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3

IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3

IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3

型号/规格：
IPDH4N03LA-G
品牌/商标：
INFINEON（英飞凌）
封装形式：
SMD
环保类别：
普通型
安装方式：
直插式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
大功率

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IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3

VIP会员第 10 年

企业名：现代芯城（深圳）科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82542579

手机：18098996457

联系人：董先生

QQ：

微信：

邮箱：forsales001@163.com

地址：广东深圳深圳市福田区振中路华强广场C座26J

产品分类

集成电路(IC)(12)
∟ 逻辑IC(6)∟ 射频IC(1)∟ 其他IC(2)∟ 处理器MPU(3)
场效应管MOSFET(1)
∟ MOSFET(1)
其他未分类(38)

新品上架

商品信息

IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性

IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Pd-功率耗散: 94 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 小值: 90 S / 45 S
下降时间: 4.6 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 4 g

IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性产品图片

IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3

联系方式

企业名：现代芯城（深圳）科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82542579

手机：18098996457

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