类别：分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商：Rohm Semiconductor
系列：-
包装：卷带（TR）剪切带（CT）
产品状态：在售
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）：4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）：1.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）：2.5V @ 1mA
Vgs（zui大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）：30 pF @ 10 V
FET 功能：-
功率耗散（zui大值）：200mW（Ta）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：UMT3F

封装/外壳：SC-85

基本产品编号：RU1E002

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