东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。　　随着AI处理需求持续扩大，数据中...

ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 ...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。　　新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm...

绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS 8 100V功率MOSFET技术，针对电机...

Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27%　　该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅 (SiC) 功率器件、赋能实现真正耐久系统的坚定承诺　　 依托 Wolfspeed 已完成...

MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为现代集成电路的核心单元，其结构设计的每一个环节都直接决定着器件的性能、功耗与集成度。在 MOSFET 的漫长发展历程中，poly（多晶硅）材料凭借其独特的物理与电学特性，成为了结构中的关键核心材料，广泛应...

近日，行业聚焦于汽车电子领域中 MOSFET 的栅极驱动设计。若将 MOSFET 比作汽车功率驱动的 “肌肉”，那么栅极驱动电路就是控制这块 “肌肉” 的 “神经信号”，其设计直接影响 MOSFET 的开关速度、开关损耗和 EMI 表现。　　栅极驱动的本质是给 MOSFET 的容...

在电力电子拓扑领域，各类感性负载如电机绕组、变压器漏感、继电器线圈等十分常见。当硅基 MOSFET 高速关断时，若这些感性负载产生的反电动势无法及时释放，就会迫使 MOSFET 进入雪崩击穿状态，这种工况被称为 UIS（Unclamped Inductive Switching，非钳位感...

在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核心材质多为二氧化硅（SiO），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重任，隔离栅极与沟道的电信号，防止电流泄漏；另一方面让外部栅电压精准调控沟道的导电...

在电子电路的广阔领域中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）无疑是一颗璀璨的明星，被广泛应用于开关电源、驱动电路、功率控制电路等众多场景。熟悉硬件电路与半导体器件的专业人士都清楚，MOSFET 本质上是一种四端器件，它包含栅极（G）、漏极（...