FDMC2523P
ON(安森美)
SMD
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
上海意淼电子科技有限公司,代理经销世界众多品牌IC:美国ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、alterA、 美信Maxim(Dallas)、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三...
电话:021-61316867
手机:15618836863
2N7383
IR
TO-253
无铅环保型
直插式
盒装
大功率
12850.0
JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383 场效应抗辐射晶体管, P沟道,硅,类型2N7382和2N7383JANTXV M,D ,R和R 英文标准名称:Semiconductor Device, Field Effect Ra...
电话:02151035787
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ST/意法
STW77N65M5
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
5(V)
• VDS=710V • ID=69A• 导通电阻:R<0.038Ω• 总耗散功率:400W• 工作温度范围:-55 ~ 1...
电话:021-39121306
手机:13564001680
IXDN604SIATR
IXYS
原装
无铅环保型
贴片式
单件包装
公司主营的品牌有: BUSSMANN,英飞凌(infineon),欧派克(EUPEC),西门康 (SEMIKRON),三菱(MITSUBISHI),富士(FUJI),艾赛斯(IXYS), 三社, ABB,POWER 等。 主营系列的产品...
电话:021-51079866
手机:18616353678
电话:021-60971899
IRFL4310TRPBF
IR
SOT223
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
原装IR公司产品,IRFL4310TRPBF,产地Malaysia,2500pcs per reel,无铅*,SOT223。
电话:021-62982735
手机:13621628436
电话:021-37831020
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4N60-IRF3205-IRF840-IRF730-4N80-75N75-80N60
SEMIWILL
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
*率
功率MOS管-MOSFET-场效应管 概述: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输...
电话:021-54841001
IPA60R1K0CE
INFINEON(英飞凌)
TO-220AB
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
大功率
产品信息 晶体管极性: N沟道 漏源电压, Vds: 650V 电流, Id 连续: 6.8A 在电阻RDS(上): 0.86ohm 晶体管封装类型: TO-220FP 晶体管安装: 通孔 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压 Vgs: 3V...
电话:021-39556353
手机:18930317393
LM8S15P03
LEIDITECH/雷卯电子
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
雷卯电子已成立十周年,品牌Leiditech,是上海市高新技术企业,主要研发生产防静电TVS/ESD以及其它EMC元器件(放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二极管RECTIFIER、自恢...
电话:021-50828806
手机:18621985876
RURD660S9A_F085
ON(安森美)
TO-252
无铅环保型
贴片式
单件包装
硅
电子元器件IC 原装现货RURD660S9A_F085 RURD660S9A_F085 电子元器件IC 原装现货RURD660S9A_F085 货源品质 上海芯佳保障所售产品原装进口,每一片产品全部来自原厂。 产品保障 所有产...
电话:021-62330715
手机:15021417750
IRFR9120NTRPBF
INFINEON(英飞凌)
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
6.6A
封装 / 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 100 V Id-连续漏极电流: - 6.5 A Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 2...
电话:02150811109
手机:13681876558
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
产品种类: MOSFET 制造商: ON Semiconductor RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60...
电话:021-34686571
手机:
FHF18N50
飞虹
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
广州飞虹电子科技有限公司成立于2007年,注册资本2880万元人民币。从事半导体器件设计、生产、销售为一体的高新技术型企业。公司坐落于广州增城区东区高科技工业园,厂区占地面积75亩...
电话:02153081573
手机:13321898385
VSD018N03MS
威兆
CER-DIP/陶瓷直插
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
大功率
增强型
品牌: 威兆 型号: VS3508AE 类型: 绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 沟道类型:N型沟道 导电方式: 增强型 适合频率: 高频 封装外形: SMDSO/表面封装 材质: N-FET硅N沟道 工作电压...
电话:17301628859
手机:17301628859
8N80L-TF1-T
UTC
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒装管装
中功率
N-MOS 8A 800V Rdson<1.45R(Max) FEATURES * Typically 35 nC Low Gate Charge * RDS(ON) = 1.45Ω @VGS = 10V * Typically 13 pF Low CRSS * Improved dv/dt Capability ...
电话:021-38230673
手机:13918390991
75N75,75N80
LS ,ST
TO-220
无铅*型
直插式
条装
长期大量供应电动车上使用的,MOS管,75N75,75N80.品质*,价格优势。有需求请速联系!
电话:021-34224535
手机:15800989225
AUK STK0260F/2A/600V
AUK
TO-220F
无铅*型
直插式
单件包装
*率
2011-11月新货,优势库存
电话:021-18964762947
手机:18964762947
AUIRFS4310ZTRL
INFINEON(英飞凌)
S0P
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
大功率
汽车级MOS
上海慧鲲电子有限公司长期供应充电汽车专用电源模块AUIRFS4310ZTRL上海现货原装电源芯片,现货1000K库存,欢迎! ,QQ: 22 4 0,:马经理 上海慧鲲电子有限公司成立于2002年,是一家...
电话:021-51685852
手机:13022111299
IRFP250N
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
本公司从事电源模块、IGBT,IRMOS管及相关配件、元器件产品的代理、分销。渠道正规,。 公司建立三年多,一直配有的技术、销售及物流团队,一直坚持“和谐、诚信、卓越、效率,以的服...
电话:021-64832037
手机:13391193711
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...