FDMC2523P
ON(安森美)
SMD
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
上海意淼电子科技有限公司,代理经销世界众多品牌IC:美国ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、alterA、 美信Maxim(Dallas)、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三...
电话:021-61316867
手机:15618836863
IPA60R1K0CE
INFINEON(英飞凌)
TO-220AB
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
大功率
产品信息 晶体管极性: N沟道 漏源电压, Vds: 650V 电流, Id 连续: 6.8A 在电阻RDS(上): 0.86ohm 晶体管封装类型: TO-220FP 晶体管安装: 通孔 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压 Vgs: 3V...
电话:021-39556353
手机:18930317393
2N7383
IR
TO-253
无铅环保型
直插式
盒装
大功率
12850.0
JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383 场效应抗辐射晶体管, P沟道,硅,类型2N7382和2N7383JANTXV M,D ,R和R 英文标准名称:Semiconductor Device, Field Effect Ra...
电话:02151035787
手机:13764678882
BCX5316TA
Diodes Inc.
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
制造商: Diodes Inc. 产品种类: Transistors Bipolar (BJT) RoHS: 详细信息 晶体管极性: PNP 集电极—发射极电压 VCEO: 80 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 直流电集电极电流: 1 A 配...
电话:021-39196661
手机:18964876562
ST/意法
STW77N65M5
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
5(V)
• VDS=710V • ID=69A• 导通电阻:R<0.038Ω• 总耗散功率:400W• 工作温度范围:-55 ~ 1...
电话:021-39121306
手机:13564001680
IXDN604SIATR
IXYS
原装
无铅环保型
贴片式
单件包装
公司主营的品牌有: BUSSMANN,英飞凌(infineon),欧派克(EUPEC),西门康 (SEMIKRON),三菱(MITSUBISHI),富士(FUJI),艾赛斯(IXYS), 三社, ABB,POWER 等。 主营系列的产品...
电话:021-51079866
手机:18616353678
IRFL4310TRPBF
IR
SOT223
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
原装IR公司产品,IRFL4310TRPBF,产地Malaysia,2500pcs per reel,无铅*,SOT223。
电话:021-62982735
手机:13621628436
电话:021-37831020
手机:18621552045
4N60-IRF3205-IRF840-IRF730-4N80-75N75-80N60
SEMIWILL
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
*率
功率MOS管-MOSFET-场效应管 概述: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输...
电话:021-54841001
电话:021-60971899
LM8S15P03
LEIDITECH/雷卯电子
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
雷卯电子已成立十周年,品牌Leiditech,是上海市高新技术企业,主要研发生产防静电TVS/ESD以及其它EMC元器件(放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二极管RECTIFIER、自恢...
电话:021-50828806
手机:18621985876
RURD660S9A_F085
ON(安森美)
TO-252
无铅环保型
贴片式
单件包装
硅
电子元器件IC 原装现货RURD660S9A_F085 RURD660S9A_F085 电子元器件IC 原装现货RURD660S9A_F085 货源品质 上海芯佳保障所售产品原装进口,每一片产品全部来自原厂。 产品保障 所有产...
电话:021-62330715
手机:15021417750
IRFR9120NTRPBF
INFINEON(英飞凌)
TO252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
6.6A
封装 / 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 100 V Id-连续漏极电流: - 6.5 A Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 2...
电话:02150811109
手机:13681876558
2N7002ET1G
ON(安森美)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
产品种类: MOSFET 制造商: ON Semiconductor RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60...
电话:021-34686571
手机:
FHF18N50
飞虹
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
广州飞虹电子科技有限公司成立于2007年,注册资本2880万元人民币。从事半导体器件设计、生产、销售为一体的高新技术型企业。公司坐落于广州增城区东区高科技工业园,厂区占地面积75亩...
电话:02153081573
手机:13321898385
VSD018N03MS
威兆
CER-DIP/陶瓷直插
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
大功率
增强型
品牌: 威兆 型号: VS3508AE 类型: 绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 沟道类型:N型沟道 导电方式: 增强型 适合频率: 高频 封装外形: SMDSO/表面封装 材质: N-FET硅N沟道 工作电压...
电话:17301628859
手机:17301628859
8N80L-TF1-T
UTC
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒装管装
中功率
N-MOS 8A 800V Rdson<1.45R(Max) FEATURES * Typically 35 nC Low Gate Charge * RDS(ON) = 1.45Ω @VGS = 10V * Typically 13 pF Low CRSS * Improved dv/dt Capability ...
电话:021-38230673
手机:13918390991
75N75,75N80
LS ,ST
TO-220
无铅*型
直插式
条装
长期大量供应电动车上使用的,MOS管,75N75,75N80.品质*,价格优势。有需求请速联系!
电话:021-34224535
手机:15800989225
AUK STK0260F/2A/600V
AUK
TO-220F
无铅*型
直插式
单件包装
*率
2011-11月新货,优势库存
电话:021-18964762947
手机:18964762947
AUIRFS4310ZTRL
INFINEON(英飞凌)
S0P
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
大功率
汽车级MOS
上海慧鲲电子有限公司长期供应充电汽车专用电源模块AUIRFS4310ZTRL上海现货原装电源芯片,现货1000K库存,欢迎! ,QQ: 22 4 0,:马经理 上海慧鲲电子有限公司成立于2002年,是一家...
电话:021-51685852
手机:13022111299
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...