INFINEON/英飞凌
FF300R12MS4
增强型
其他
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT绝缘栅比极
TR/激励、驱动
绝缘栅(MOSFET)
IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容<span style="font-size:26pt;font-family:'Ti...
电话:0592-5710719
手机:18106931969
PJ/普罗强生
50N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*Max50N&plu*n;200.0180.023TO-252逆变器、电动工具、电动车控制器 公司供应...
电话:86 597 6633661
PJ/普罗强生
3N50
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)&Omega;3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压*灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体...
电话:86 597 6633661
PowerMos
PMS740P
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管(N-channel Mosfet)特点:&bull; 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53&Omega; @VGS = 10 V&bull; 低栅电荷&bull; *度&...
电话:86 592 5925389
德国法勒
LTE/LTE-U10
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...
手机:
其他
HFS12N65S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商;至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴;是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一;自公司...
电话:86 0592 6021896
DW-JTG4-NPN-8
2(kHz)
多威
DC24(V)
是
属性值
全国诚招经销商!您身边的工业电气系统集成商:泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品,集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发,设计,生产比例阀放...
电话:0595-22497819
PJ/普罗强生
BF740
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号: N型-650V...
电话:0597-6818887
国产
MOS-P LY5801
结型(JFET)
P沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
工作原理 场效应管工作原理用一句话说,就是&ldquo;漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID&rdquo;。更正确地说,ID流经通路的宽度...
电话:0592-5933267
1N60
TR
TO92/TO251
无铅*型
直插式
*条装
*率
产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...
电话:0592-6219390
手机:13860116760
ADV美国*半导体
各种
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
FM/调频
CER-DIP/陶瓷直插
SENSEFET电流敏感
TO-220封装
电话:0591-83358316
直插型
2SC3638
硅(Si)
JM
功率
锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管:2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...
电话:595-22116948
电话:0595-28100092
BGS
BF740
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号: N型-650V...
电话:0591-83891801
品牌/商标 TRR MW 型号/规格 DSR0.3 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 0.3(A) 反向电压 1000(V) 0.3A0.5A1A400V DSR0.5GDSR1G600V DSR0.5JDSR1J800VDSR0.3KDSR0.5KDSR1K1000VDSR0.3MDSR0.5MDSR1M SurfaceMountStandardRecti...
电话:0592-5712416
TO-126
1.80*1.80
MJE13003
2.0A
硅(SI),硅(SI),硅(SI)
SL
铁
功率
三*管工作状态有三种,放大、饱和、截止。其中又以放大状态*为复杂,主要用于小信号的放大领域,常用的三*管放大电路形式有:共发射*放大电路,共集电*放大电路,共基*放大电路三种,...
手机:
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。 Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct 据《纽约客》报道,该器件名为 SiZF4800LDT,“为设计人员提供了用于...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。 在本文中,我们将讨论共源(CS)放大器,它使用栅极作为输入端,漏极作为输出。就交流信...
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。 耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供 pn结二极管是最基本的...