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MOSFET

（共找到“15”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET管 mos管 P沟道MOS管 拆机场效应管 低压MOS管 东芝场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
福建
源头工厂
*场效应MOS管,TO-252 50N06
*场效应MOS管,TO-252 50N06
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    50N06

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*Max50N&plu*n;200.0180.023TO-252逆变器、电动工具、电动车控制器 公司供应...

*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯
*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    3N50

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)Ω3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压*灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体...

740P N-Channel Mos管
740P N-Channel Mos管
  • 品牌/商标：

    PowerMos

  • 型号/规格：

    PMS740P

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管（N-channel Mosfet)特点:• 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53Ω @VGS = 10 V• 低栅电荷• *度&...

厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
  • 品牌/商标：

    德国法勒

  • 型号/规格：

    LTE/LTE-U10

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MIN/微型

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 ： 乐 彬联系 ： 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

原装HFS12N65S
原装HFS12N65S
  • 品牌/商标：

    其他

  • 型号/规格：

    HFS12N65S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...

PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入
PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入
  • 型号/规格：

    DW-JTG4-NPN-8

  • 输出频率：

    2（kHz）

  • 品牌/商标：

    多威

  • 工作电压：

    DC24（V）

  • 加工定制：

    是

  • 属性：

    属性值

全国诚招经销商！您身边的工业电气系统集成商：泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品，集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发，设计，生产比例阀放...

*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    BF740

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    MOS-P LY5801

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏*-源*间流经沟道的ID，用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度...

*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
  • 型号/规格：

    1N60

  • 品牌/商标：

    TR

  • 封装形式：

    TO92/TO251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    *条装

  • 功率特征：

    *率

产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...

场效应管
场效应管
  • 品牌：

    ADV美国*半导体

  • 型号：

    各种

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    FM/调频

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    SENSEFET电流敏感

TO-220封装

2SC3638等大功率晶体管(图)
2SC3638等大功率晶体管(图)
  • 封装形式：

    直插型

  • 型号/规格：

    2SC3638

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    JM

  • 应用范围：

    功率

锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管：2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...

MOSFET管RD06HHF1(图)
MOSFET管RD06HHF1(图)

    型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

    *场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
    *场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
    • 品牌/商标：

      BGS

    • 型号/规格：

      BF740

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

    MOS管12N60
    MOS管12N60

      品牌/商标 TRR MW 型号/规格 DSR0.3 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 0.3（A） 反向电压 1000（V） 0.3A0.5A1A400V DSR0.5GDSR1G600V DSR0.5JDSR1J800VDSR0.3KDSR0.5KDSR1K1000VDSR0.3MDSR0.5MDSR1M SurfaceMountStandardRecti...

      厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管
      厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管
      • 封装形式：

        TO-126

      • 芯 片：

        1.80*1.80

      • 型号/规格：

        MJE13003

      • 电流(MA)：

        2.0A

      • 材料：

        硅(SI),硅(SI),硅(SI)

      • 品牌/商标：

        SL

      • 框 架：

        铁

      • 应用范围：

        功率

      三*管工作状态有三种，放大、饱和、截止。其中又以放大状态*为复杂，主要用于小信号的放大领域，常用的三*管放大电路形式有：共发射*放大电路，共集电*放大电路，共基*放大电路三种，...

      MOSFET行业资讯

      • Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET[2025-05-29]

        －四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET...

      • Infineon - 英飞凌OptiMOS6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准[2025-05-28]

        随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其采...

      • 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET[2025-05-21]

        东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏...

      • ROHM推出实现超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用[2025-05-19]

        全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。　　新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片...

      • ROHM-内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用[2025-05-19]

        全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

        在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

      • IGBT与MOSFET的区别[2025-05-19]

        IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极型晶体管（BJT）组合...

      • 增强型和耗尽型MOSFET之间的区别是什么?[2025-04-29]

        增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制特性增强型MOSFET耗尽型M...

      • 为什么电力电子系统中使用低压MOSFET？[2025-02-19]

        低压技术　　与N通道MOSFET相比，P通道MOSFET代表相对较小的份额，低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性，以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实现，这可以使抗性改善...

      • 低压电源MOSFET设计[2025-02-10]

        低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行，通常低于100 V，但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用，即使电源电压很低。关键功能包括以下内容：　　低抗性（RDS（ON））以减少传导过程中的功率损失，从而提高能源效率。当设...

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