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MOSFET

（共找到“16”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET管 MOSFET驱动器 TL431 拆机场效应管 低压MOS管 东芝MOS管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
福建
源头工厂
德国进口IGBT模块FF300R12MS4【进口货源】
德国进口IGBT模块FF300R12MS4【进口货源】
  • 品牌：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号：

    FF300R12MS4

  • 导电方式：

    增强型

  • 沟道类型：

    其他

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT绝缘栅比极

  • 用途：

    TR/激励、驱动

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容<span style="font-size:26pt;font-family:'Ti...

*场效应MOS管,TO-252 50N06
*场效应MOS管,TO-252 50N06
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    50N06

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&amp;Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*Max50N&amp;plu*n;200.0180.023TO-252逆变器、电动工具、电动车控制器 公司供应...

*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯
*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    3N50

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)&amp;Omega;3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压*灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体...

740P N-Channel Mos管
740P N-Channel Mos管
  • 品牌/商标：

    PowerMos

  • 型号/规格：

    PMS740P

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管（N-channel Mosfet)特点:&amp;bull; 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53&amp;Omega; @VGS = 10 V&amp;bull; 低栅电荷&amp;bull; *度&...

厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
  • 品牌/商标：

    德国法勒

  • 型号/规格：

    LTE/LTE-U10

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MIN/微型

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 ： 乐 彬联系 ： 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

原装HFS12N65S
原装HFS12N65S
  • 品牌/商标：

    其他

  • 型号/规格：

    HFS12N65S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...

PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入
PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入
  • 型号/规格：

    DW-JTG4-NPN-8

  • 输出频率：

    2（kHz）

  • 品牌/商标：

    多威

  • 工作电压：

    DC24（V）

  • 加工定制：

    是

  • 属性：

    属性值

全国诚招经销商！您身边的工业电气系统集成商：泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品，集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发，设计，生产比例阀放...

*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    BF740

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&amp;Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&amp;plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    MOS-P LY5801

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是&amp;ldquo;漏*-源*间流经沟道的ID，用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID&amp;rdquo;。更正确地说，ID流经通路的宽度...

*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
  • 型号/规格：

    1N60

  • 品牌/商标：

    TR

  • 封装形式：

    TO92/TO251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    *条装

  • 功率特征：

    *率

产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...

场效应管
场效应管
  • 品牌：

    ADV美国*半导体

  • 型号：

    各种

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    FM/调频

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    SENSEFET电流敏感

TO-220封装

2SC3638等大功率晶体管(图)
2SC3638等大功率晶体管(图)
  • 封装形式：

    直插型

  • 型号/规格：

    2SC3638

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    JM

  • 应用范围：

    功率

锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管：2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...

MOSFET管RD06HHF1(图)
MOSFET管RD06HHF1(图)

    型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

    *场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
    *场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
    • 品牌/商标：

      BGS

    • 型号/规格：

      BF740

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&amp;Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&amp;plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

    MOS管12N60
    MOS管12N60

      品牌/商标 TRR MW 型号/规格 DSR0.3 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 0.3（A） 反向电压 1000（V） 0.3A0.5A1A400V DSR0.5GDSR1G600V DSR0.5JDSR1J800VDSR0.3KDSR0.5KDSR1K1000VDSR0.3MDSR0.5MDSR1M SurfaceMountStandardRecti...

      厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管
      厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管
      • 封装形式：

        TO-126

      • 芯 片：

        1.80*1.80

      • 型号/规格：

        MJE13003

      • 电流(MA)：

        2.0A

      • 材料：

        硅(SI),硅(SI),硅(SI)

      • 品牌/商标：

        SL

      • 框 架：

        铁

      • 应用范围：

        功率

      三*管工作状态有三种，放大、饱和、截止。其中又以放大状态*为复杂，主要用于小信号的放大领域，常用的三*管放大电路形式有：共发射*放大电路，共集电*放大电路，共基*放大电路三种，...

      MOSFET行业资讯

      • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

        随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

      • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

        功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

      • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

        电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

      • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

        GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

      • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

        英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

        “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

      • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

        绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

      • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

      • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

      • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

        MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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