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MOSFET

（共找到“15”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： TLP181 TLP521 场效应晶体管 大功率场效应管 东芝电子管 华瑞MOS管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
福建
源头工厂
*场效应MOS管,TO-252 50N06
*场效应MOS管,TO-252 50N06
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    50N06

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*Max50N&plu*n;200.0180.023TO-252逆变器、电动工具、电动车控制器 公司供应...

*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯
*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    3N50

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)Ω3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压*灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体...

740P N-Channel Mos管
740P N-Channel Mos管
  • 品牌/商标：

    PowerMos

  • 型号/规格：

    PMS740P

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管（N-channel Mosfet)特点:• 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53Ω @VGS = 10 V• 低栅电荷• *度&...

厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
  • 品牌/商标：

    德国法勒

  • 型号/规格：

    LTE/LTE-U10

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MIN/微型

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 ： 乐 彬联系 ： 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

原装HFS12N65S
原装HFS12N65S
  • 品牌/商标：

    其他

  • 型号/规格：

    HFS12N65S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...

PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入
PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入
  • 型号/规格：

    DW-JTG4-NPN-8

  • 输出频率：

    2（kHz）

  • 品牌/商标：

    多威

  • 工作电压：

    DC24（V）

  • 加工定制：

    是

  • 属性：

    属性值

全国诚招经销商！您身边的工业电气系统集成商：泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品，集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发，设计，生产比例阀放...

*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    BF740

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    MOS-P LY5801

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏*-源*间流经沟道的ID，用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度...

*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
  • 型号/规格：

    1N60

  • 品牌/商标：

    TR

  • 封装形式：

    TO92/TO251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    *条装

  • 功率特征：

    *率

产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...

场效应管
场效应管
  • 品牌：

    ADV美国*半导体

  • 型号：

    各种

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    FM/调频

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    SENSEFET电流敏感

TO-220封装

2SC3638等大功率晶体管(图)
2SC3638等大功率晶体管(图)
  • 封装形式：

    直插型

  • 型号/规格：

    2SC3638

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    JM

  • 应用范围：

    功率

锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管：2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...

MOSFET管RD06HHF1(图)
MOSFET管RD06HHF1(图)

    型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

    *场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
    *场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
    • 品牌/商标：

      BGS

    • 型号/规格：

      BF740

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

    MOS管12N60
    MOS管12N60

      品牌/商标 TRR MW 型号/规格 DSR0.3 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 0.3（A） 反向电压 1000（V） 0.3A0.5A1A400V DSR0.5GDSR1G600V DSR0.5JDSR1J800VDSR0.3KDSR0.5KDSR1K1000VDSR0.3MDSR0.5MDSR1M SurfaceMountStandardRecti...

      厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管
      厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管
      • 封装形式：

        TO-126

      • 芯 片：

        1.80*1.80

      • 型号/规格：

        MJE13003

      • 电流(MA)：

        2.0A

      • 材料：

        硅(SI),硅(SI),硅(SI)

      • 品牌/商标：

        SL

      • 框 架：

        铁

      • 应用范围：

        功率

      三*管工作状态有三种，放大、饱和、截止。其中又以放大状态*为复杂，主要用于小信号的放大领域，常用的三*管放大电路形式有：共发射*放大电路，共集电*放大电路，共基*放大电路三种，...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护[2024-12-19]

        短路原点　　电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。　　负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...

      • 关于模拟布局中的堆叠 MOSFET[2024-12-11]

        这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。　　关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息　　图 1三个 MOSFET 串联堆叠，提供 3 um 的通道长度。来源：Pulsic...

      • 模拟布局：为什么孔、抽头和保护环至关重要[2024-12-10]

        这些结构由原理图隐含，但没有详细指定。这方面的主要示例是井、水龙头和保护环。这些结构对于任何 MOSFET 电路的工作都是必不可少的。　　这就是为什么了解基板在 MOSFET 电路中的作用对于创建有效的模拟设计至关重要的原因。为此，有必要首先了解 MOSFET 晶...

      • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

        氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

      • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

        “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

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