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MOSFET

（共找到“15”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET继电器 TL431 TLP181 TLP521 场效应MOSFET管 东芝场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
福建
源头工厂
*场效应MOS管,TO-252 50N06
*场效应MOS管,TO-252 50N06
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    50N06

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*Max50N&plu*n;200.0180.023TO-252逆变器、电动工具、电动车控制器 公司供应...

*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯
*场效应管MOS管3N50，应用于电子整流器、常压*灯
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    3N50

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)Ω3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压*灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体...

740P N-Channel Mos管
740P N-Channel Mos管
  • 品牌/商标：

    PowerMos

  • 型号/规格：

    PMS740P

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管（N-channel Mosfet)特点:• 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53Ω @VGS = 10 V• 低栅电荷• *度&...

厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
  • 品牌/商标：

    德国法勒

  • 型号/规格：

    LTE/LTE-U10

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MIN/微型

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 ： 乐 彬联系 ： 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

原装HFS12N65S
原装HFS12N65S
  • 品牌/商标：

    其他

  • 型号/规格：

    HFS12N65S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...

PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入
PLC放大板/功率板/光耦隔离/PNP输入
  • 型号/规格：

    DW-JTG4-NPN-8

  • 输出频率：

    2（kHz）

  • 品牌/商标：

    多威

  • 工作电压：

    DC24（V）

  • 加工定制：

    是

  • 属性：

    属性值

全国诚招经销商！您身边的工业电气系统集成商：泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品，集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发，设计，生产比例阀放...

*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
*场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
  • 品牌/商标：

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格：

    BF740

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    MOS-P LY5801

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏*-源*间流经沟道的ID，用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度...

*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
*场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
  • 型号/规格：

    1N60

  • 品牌/商标：

    TR

  • 封装形式：

    TO92/TO251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    *条装

  • 功率特征：

    *率

产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...

场效应管
场效应管
  • 品牌：

    ADV美国*半导体

  • 型号：

    各种

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    FM/调频

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    SENSEFET电流敏感

TO-220封装

2SC3638等大功率晶体管(图)
2SC3638等大功率晶体管(图)
  • 封装形式：

    直插型

  • 型号/规格：

    2SC3638

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    JM

  • 应用范围：

    功率

锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管：2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...

MOSFET管RD06HHF1(图)
MOSFET管RD06HHF1(图)

    型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

    *场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
    *场效应管MOS管BF740，应用于电子整流器、常压*灯
    • 品牌/商标：

      BGS

    • 型号/规格：

      BF740

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号： N型-650V...

    MOS管12N60
    MOS管12N60

      品牌/商标 TRR MW 型号/规格 DSR0.3 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 0.3（A） 反向电压 1000（V） 0.3A0.5A1A400V DSR0.5GDSR1G600V DSR0.5JDSR1J800VDSR0.3KDSR0.5KDSR1K1000VDSR0.3MDSR0.5MDSR1M SurfaceMountStandardRecti...

      厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管
      厂家* 原装放大三*管MJE13003 直插稳压晶体管
      • 封装形式：

        TO-126

      • 芯 片：

        1.80*1.80

      • 型号/规格：

        MJE13003

      • 电流(MA)：

        2.0A

      • 材料：

        硅(SI),硅(SI),硅(SI)

      • 品牌/商标：

        SL

      • 框 架：

        铁

      • 应用范围：

        功率

      三*管工作状态有三种，放大、饱和、截止。其中又以放大状态*为复杂，主要用于小信号的放大领域，常用的三*管放大电路形式有：共发射*放大电路，共集电*放大电路，共基*放大电路三种，...

      MOSFET行业资讯

      • Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用[2025-07-24]

        全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

      • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

        基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

      • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

        在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

      • CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级[2025-07-02]

        德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

      • Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆[2025-06-24]

        全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • mosfet管导通条件[2025-07-22]

        MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

      • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

        在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

      • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

        在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

      • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

        在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

      • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

        在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

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