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MOSFET

(共找到“16”条查询结果)
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福建
源头工厂
  • 品牌:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号:

    FF300R12MS4

  • 导电方式:

    增强型

  • 沟道类型:

    其他

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

  • 用途:

    TR/激励、驱动

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容<span style="font-size:26pt;font-family:'Ti...

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    50N06

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&amp;Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*Max50N&amp;plu*n;200.0180.023TO-252逆变器、电动工具、电动车控制器 公司供应...

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    3N50

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)&amp;Omega;3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压*灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体...

  • 品牌/商标:

    PowerMos

  • 型号/规格:

    PMS740P

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管(N-channel Mosfet)特点:&amp;bull; 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53&amp;Omega; @VGS = 10 V&amp;bull; 低栅电荷&amp;bull; *度&...

  • 品牌/商标:

    德国法勒

  • 型号/规格:

    LTE/LTE-U10

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

  • 品牌/商标:

    其他

  • 型号/规格:

    HFS12N65S

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商;至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴;是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一;自公司...

  • 型号/规格:

    DW-JTG4-NPN-8

  • 输出频率:

    2(kHz)

  • 品牌/商标:

    多威

  • 工作电压:

    DC24(V)

  • 加工定制:

  • 属性:

    属性值

全国诚招经销商!您身边的工业电气系统集成商:泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品,集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发,设计,生产比例阀放...

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    BF740

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&amp;Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&amp;plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号: N型-650V...

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    MOS-P LY5801

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

工作原理 场效应管工作原理用一句话说,就是&amp;ldquo;漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID&amp;rdquo;。更正确地说,ID流经通路的宽度...

  • 型号/规格:

    1N60

  • 品牌/商标:

    TR

  • 封装形式:

    TO92/TO251

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    *条装

  • 功率特征:

    *率

产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...

  • 品牌:

    ADV美国*半导体

  • 型号:

    各种

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    FM/调频

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    SENSEFET电流敏感

TO-220封装

  • 封装形式:

    直插型

  • 型号/规格:

    2SC3638

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    JM

  • 应用范围:

    功率

锦美电子批量供应以下偏冷门2SC型号三*管:2SC3638 2SC3688 2SC3691 2SC3692 2SC3693 2SC3694 2SC3710 2SC3720 2SC3723 2SC3725 2SC3746 2SC3834 2SC3835 2SC3842 2SC3850 2SC3851 2S...

    型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

    • 品牌/商标:

      BGS

    • 型号/规格:

      BF740

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(&amp;Omega;)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&amp;plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号: N型-650V...

      品牌/商标 TRR MW 型号/规格 DSR0.3 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 0.3(A) 反向电压 1000(V) 0.3A0.5A1A400V DSR0.5GDSR1G600V DSR0.5JDSR1J800VDSR0.3KDSR0.5KDSR1K1000VDSR0.3MDSR0.5MDSR1M SurfaceMountStandardRecti...

      • 封装形式:

        TO-126

      • 芯 片:

        1.80*1.80

      • 型号/规格:

        MJE13003

      • 电流(MA):

        2.0A

      • 材料:

        硅(SI),硅(SI),硅(SI)

      • 品牌/商标:

        SL

      • 框 架:

      • 应用范围:

        功率

      三*管工作状态有三种,放大、饱和、截止。其中又以放大状态*为复杂,主要用于小信号的放大领域,常用的三*管放大电路形式有:共发射*放大电路,共集电*放大电路,共基*放大电路三种,...

      MOSFET行业资讯

      • 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7[2024-04-16]

        英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...

      • 80V 对称双 N 沟道 MOSFET,尺寸为 3 x 3mm[2024-04-03]

        New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。  Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct  据《纽约客》报道,该器件名为 SiZF4800LDT,“为设计人员提供了用于...

      • 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效[2024-04-01]

        STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。   这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...

      • Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度[2024-03-21]

        英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更...

      • Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率树立行业新标准[2024-03-21]

        英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
      • MOSFET

      MOSFET技术资料

      • 功率 MOSFET 特性双脉冲测试[2024-03-07]

        IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。  双脉冲有什么用?  图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。  图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...

      • MOSFET工作原理和特点[2024-03-04]

        MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...

      • MOSFET 共源放大器的频率响应[2024-02-29]

        之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。  在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...

      • MOSFET共源放大器简介[2024-02-22]

        放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。  在本文中,我们将讨论共源(CS)放大器,它使用栅极作为输入端,漏极作为输出。就交流信...

      • 什么是耗尽型 MOSFET[2024-01-18]

        金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件,涵盖信号放大到数字应用,例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。  耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供  pn结二极管是最基本的...

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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