SQJ469EP-T1-GE3
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金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-eff...
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PANASONIC(松下)
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2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放开关 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V...
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深圳市华亚科宇半导体有限公司: 张QQ:8:传真: ☆买家须知☆:本公司为进出口混合型电子元器件代理经销,所售元件均为原装;由于电子产品规格繁多价格变动快,为了保障您的利益,请...
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VISHAY
SOT-163
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2SK3673-01MR 场效应管 封装:TO-220F 宏佳电子公司是一家集销售半导体电子元器件的代理分销公司,目前主要代理的IC品牌:TI,ISSC,MAXIM,NSC, AOS,ON, Exar, SIPEX。还兼营诸多偏冷门...
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本产品为:500V 13A MOS 批量价格请与客服详谈! 深圳市宇华威科技有限公司专注于为全国大中型电子企业提供优质的电子零组件一站式供应服务。专门经营各类主动元件(集成电路IC,存储...
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深圳微晶圆电子有限公司是一家的电子元件供应商,专向生产开关电源,UPS,控制器,充电器,逆变器,照明,LED,安*,通信等提供相关电子元器件的代理经销商之一,主要经营:二、三*管...
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LM339
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LM339集成块内部装有四个独立的电压比较器,该电压比较器的特点是:1)失调电压小,典型值为2mV;2)电源电压范围宽,单电源为2-36V,双电源电压为±1V-&plusm...
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IRF7492TRPBF场效晶体管-南皇电子为您供应 南皇电子 深圳市南皇电子有限公司是一家主要经营*IC电子元器件的深圳IC供应商。公司一直以“品质至上,诚信经营”为宗旨,以卓越的服务让客...
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MHW6222
Motorola(摩托罗拉)
ZIP-7
无铅环保型
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高频管 MHW6222 1ST024 1ST025 2N6080 2SC2290A 2sc2510 2sc2879 33P60 810iq-4c 681033A 8705109C bfq68 BGF1801-10 BGY2016 BLF147 blf245b BLF278 BLF1408 BLV10 BLV11 BLV30 BLV3...
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富士通
TO-*
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AO3400
ALPHA(阿尔法)
SOT-23
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香港国大科技有限公司成立于2003年,公司*坚持“科技与*共兴,客户与服务至上”的文化理念!秉承“诚信,,*,*”的价值观,现已成为亚洲地区电子元器件供应商之一!“国大”的成长,...
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GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...