封装形式:SMD-1
产品类型:MOSFET N沟
BVDSS:60V
RDS(on)(ohms):0.02
ID@25C(A):55
ID@100C(A):40
功率:150W
特性:
Low RDS(on)
Avalanche Energy Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Surface Mount
Light Weight
大功率MOSFET,密封式封装工艺,主要应用于军事,航天,空间,船舶等领域,开关电源,马达控制,变压器,
音频放大器和高能脉冲电路,性能优越,寿命超长,工作温度广.

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