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MOSFET

(共找到“5”条查询结果)
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  • 品牌/商标:

    Collmer美国

  • 型号/规格:

    324

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

本公司诚接配套业务经营范围如下:配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*,价格优惠。*: : 何先生,陈 【运费说明】★方案1:顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...

  • 陈淑青
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:86 0510 82264488

    手机:13914246839

  • 型号/规格:

    MDD1654

  • 品牌/商标:

    美格纳

  • 封装形式:

    TO-252

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场效应管 IRF840 IRF830 IRF540N IRFZ44N HFA08TB60 MUR860G HFP8N60 IRF3710 IRF3205 IRF2807 HFP5N60 HFP10N60 HFP830 K3404 HFP50N06 ...

  • 品牌:

    台湾

  • 型号:

    台湾EK60N06

品牌/商标 台湾 型号/规格 台湾EK60N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 *肖特基势垒栅 开启电压 3(V) 夹断电压 3(V) 跨导 1(μS) *间电容 3(pF) 低频噪声系数 3(dB) 漏*电流 3(mA) 耗散功率 3(mW)

  • 型号/规格:

    MDF4N60

  • 品牌/商标:

    美格纳(Magnachip)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

MDF4N60 TO-220F封装 VDS:600V ID:4.6A RDS(ON):2Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...

  • 漏极电流:

    4.5

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    GFP730

  • 品牌/商标:

    guoyu

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 低频噪声系数:

    22

GFP4N60 TO-220 全新原装 大量现货!特价!厂家大量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840 电话: 传真:无锡晶迪电子有限公司...

MOSFET行业资讯

  • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

    随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

  • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

    功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...

  • 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度[2024-06-14]

    电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...

  • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs, 促进AI数据中心功率提升,加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

    GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

  • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

    英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。  全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。  该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
  • MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。  如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图  我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。  LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。  近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。  在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...

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