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MOSFET

（共找到“29”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS 大功率场效应管 东芝场效应管 东芝电子管 功率MOSFET 华晶MOS管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

经销商
浙江
源头工厂
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杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    DHC1

  • 产品系列：

    DHC1

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    /

  • 触点切换电压：

    /

  • 触点形式：

    一开三闭

*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1：1997 电 源 AC220V （50Hz） 触点电寿命 ≥1×105...

场效应管50N03
场效应管50N03
  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格：

    50N03

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标：

    NIKOS

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

柜台现货供应 单价为批量价格 谢谢合作。交易说明: 1.本店所有宝贝全部支持（支付宝、银行转账、现金）交易！ 2.买家从收到货时起24小时内确认货款提供保质服务，超过24小时将不提供...

高压场效应管 PTP/F8N80
高压场效应管 PTP/F8N80
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    PTP/F8N80

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    PUOLOP

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

大量供应各种型号的MOS管、二三*管PTP高压场效应系列：1N60 TO-92PTU/D1N60 TO-251/TO-252PTU/D1N65 TO-251/TO-252PTU/D2N60 TO-251/TO-252PTU/D2N65 TO-251/TO-252PTU/D4N60 TO-251/...

大功率晶体管特性图示仪DW4824(可议价)
大功率晶体管特性图示仪DW4824(可议价)
  • 类型：

    特性图示仪

  • 型号/规格：

    DW4824

  • 品牌/商标：

    DW

  • 加工定制：

    否

产品简介： DW4824型半导体管特性图示仪，是在DW4822型图示的基础上改进而成的大功率半导体管特性图示仪。它除保留了DW4822的基本功能外，还在电流、电压测试方面作了较大的扩展。并采用了内刻度示波管，使读数更加准确，具有交替显示。 技术参数： 集电*扫描...

我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

场效应管规格：品牌ST型号STP75NF75FP种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电动车充电电路封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-P-FET锗P沟道 原装，现货！ 品牌:ST 型号:STP...

* 英飞凌原装*IGBT单管IKW20N60T K20T60 20A/600V
* 英飞凌原装*IGBT单管IKW20N60T K20T60 20A/600V
  • 批号：

    12+

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格：

    IKW20N60T

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 沟道类型：

    N沟道

宁波瑞比电子科技有限公司是经*工商部门批准注册的*公司，具备一般纳税人资格，可开17%增值税票。 公司主要经营的品牌有:英飞凌，瑞萨，IR,EPCOS, IXYS 公司经营产品主要应用于:风力...

IC *原装AOD409
IC *原装AOD409
  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    AOD409

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    AOS/美国万代

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

杭州*鹄电子科技有限公司--------的电子元器件供应商，只做*原装长期为各广大终端工厂提供电子元器件配套服务。严格的质量把关，*质量100%*本公司供应的产品较多，无法一一上传，如有...

LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 封装形式：

    功率型

  • 集电*允许电流ICM：

    300

  • 型号/规格：

    LWH300G603

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 截止频率fT：

    20KHZ

  • 品牌/商标：

    LS/产电

产品名称：LWH300G603--韩国LS IGBT模块价格：电谈/面谈 该模块是韩国LS产电(原LG电子)针对工业应用推出的2单元LS IGBT模块。其相对竞争优势主要体现在两方面：一、质高：模块内嵌静...

场效应管10N60 12N60
场效应管10N60 12N60
  • 品牌/商标：

    gy

  • 型号/规格：

    10N60 12N60 8N60 5N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

批量供应MOS管2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60公司坐落于中国五金之都--浙江.永康,毗邻中国科技五金城.公司一直致力于电子元器件的配套经营,主营:1C,场效应管,电阻,电容,二*管,...

优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF730

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

供应IR 原装*MOS管。IRF740IRF730IRF9530IRF9540IRF640IRF540等等IR型号MOS管长期备有大量库存，欢迎来电咨询！

FQPF9N50.*原装
FQPF9N50.*原装
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF9N50/FQPF9N50C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 跨导：

    1（μS）

  • *间电容：

    1（pF）

  • 低频噪声系数：

    1（dB）

销售*原装 ，公司与多家*售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。宁波市鄞州弈鸣电子有限公司经销的功率器件、MOSFET、IGBT、可控硅、电源管理IC、稳压电路、光藕、二*管、三*管、等...

代理现货士兰微MOS SVF12N60
代理现货士兰微MOS SVF12N60
  • 品牌/商标：

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格：

    SVF12N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

：余开权 手机：A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF12N60T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计...

FHP7N80 FHF7N80 FEIHONG场效应管
FHP7N80 FHF7N80 FEIHONG场效应管
  • 品牌/商标：

    FEIHONG

  • 型号/规格：

    FHP7N80

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

所报价格可能会随市场有所波动，具体请来电面议，祝合作愉快！目前杭州利普电子科技有限公司涉及配套领域：各种电源充电器及控制器、仪器仪表、*性照明类、汽车电子、音响设备、通讯...

ST公司、原装MOS管、STP75NF75
ST公司、原装MOS管、STP75NF75
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

ST公司原装MOS管，此型号MOS管有多个封装地，目前我司分销*封装地的产品，产品以条管包装，50PCS一条，此型号具体参数为：电压=75V、电流=80A、RDS〈0.011Ω，封装为TO-...

ROHM US6M2 TR 贴片 MOS管
ROHM US6M2 TR 贴片 MOS管

    品牌/商标 ROHM 型号/规格 US6M2 TR 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件

    杭州*大功率直插场效应管IRFP460A
    杭州*大功率直插场效应管IRFP460A
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRFP460

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      LMP-C/阻*变换

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    杭州供应*大功率直插场效应管IRFP460A TO-247 【杭州丰登电子有限公司】 销售可控硅，二*管，三*管，肖特基，场效应管，达林顿管，三端稳压，集成IC等各种电子元器件。网络*，批发，...

    SSF6010 （代替 IRFZ44 ）
    SSF6010 （代替 IRFZ44 ）
    • 品牌/商标：

      矽利康

    • 型号/规格：

      SSF6010 IRFZ44

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    MOSFETPart NumberPackageConfigurationVDSS min(V)VGS(V)VGS(th) min(V)RDS(on) maxQg t* @Vgs=10V(nC)Qg t* @Vgs=4.5V(nC)Qgs(nC)Qgd(nC)ID(A)Pd max(W)Rg t*(Ω)at V...

    MUR120 场效应管 晶体管
    MUR120 场效应管 晶体管
    • 品牌：

      CEN美国*半导体

    • 型号：

      MUR120A

    品牌/商标 CEN美国*半导体 型号/规格 MUR120A 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 销售IR、APT、HAR、MOT、ST、FUJ、TOS、GI、NEC、FSC、HIT等厂家的集成芯片、二三*管、发光管、光敏管、大小功率场效应管IGBT、贴片元件及其它电子元件。 信誉是我们经营的宗旨。配套、品种*、货源稳定，良好的信誉，使我们...

    MOS管8N60
    MOS管8N60
    • 品牌/商标：

      台湾芯片

    • 型号/规格：

      8N60

    • 种类：

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      DUAL/配对管

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    供应MOS系列8N60慈溪爱能电子科技有限公司位于浙江慈溪，爱能电子科技公司是一家以设计，开发，销售（集成电路）电子元器件、、水处理剂、净水絮凝剂等产品的公司。公司与多家国内外...

    原装MOS管IRFP150N
    原装MOS管IRFP150N

      品牌:IR 型号:IRFP150N 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:100（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:145（pF）供原装*IRFP150N,本公司真正优势库存产品，价优货足

      MOSFET行业资讯

      • 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率[2024-06-26]

        随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...

      • 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET[2024-06-25]

        功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS? S...

      • 英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度[2024-06-14]

        电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞...

      • 纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度[2024-06-13]

        GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器...

      • 英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列[2024-05-29]

        英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。　　该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

        “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

      • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

        绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

      • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

      • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

      • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

        MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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