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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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江苏
源头工厂
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IPP045N10N3及INFINEON全系列MOSFET
IPP045N10N3及INFINEON全系列MOSFET
  • 型号/规格：

    IPP045N10N3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    小功率

数据列表 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G 产品相片 TO-220-3 标准包装 500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 OptiMOS™ 包装 管件 FET 类型 MO...

*童原装IGBT单管 FGA25N120ANTD
*童原装IGBT单管 FGA25N120ANTD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTD

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

南京诚开电子科技有限公司 翟凌云 传真：部件编号说明封装FGH30T65UPDT650V，30A场截止沟道IGBTTO-247 3*H25T120SMD1200 V、25 A 场截止沟道 IGBTTO-247 3*H40T120SMD1200 V、40 A 场...

MaxPower MXP1008AT
MaxPower MXP1008AT
  • 品牌/商标：

    MaxPower

  • 型号/规格：

    MXP1008AT

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

100V/115A 7.2mΩN-Channel MOSFETApplications:● Uninterruptible Power Supply ID● High Speed Power Switching● High Efficiency Synchronous Rectification in S...

STD4NK60ZT4 原装，假一罚十！！
STD4NK60ZT4 原装，假一罚十！！
  • 型号/规格：

    STD4NK60ZT4

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    D2PAK

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

选择耀坤科技的五大理由 1. 优势价格：耀坤科技巨大的产品销售量保证了议价能力，我们供货的产品可以提供优势的价格。 2. 专注：行业，我们专注于电子元件行业数年；致力于以过硬的品...

*600V/100A快恢复二*管IDW100E60
*600V/100A快恢复二*管IDW100E60
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    IDW100E60

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途：

    UHF/*频

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

南京和默电子科技有限公司从事代理*童 功率器件产品，公司主要致力于新功率半导体器件的推广，包括MOFET, IGBT单管及模块, *快恢复二*管。公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电...

LM324 S8050 Z1815
LM324 S8050 Z1815
  • 品牌/商标：

    Collmer美国

  • 型号/规格：

    324

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

本公司诚接配套业务经营范围如下：配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*，价格优惠。*： : 何先生,陈 【运费说明】★方案1：顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...

  • 陈淑青
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：86 0510 82264488

    手机：13914246839

IR公司 IRF3808PBF 原装
IR公司 IRF3808PBF 原装
  • 品牌：

    IR/国际整流器

  • 型号：

    IRF3808PBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    DIFF/差分放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

南京见田机电有限公司是IR、GEFRAN、SMC、RECOM、COSEL、VICOR、OMRON、Schneider、Delta等国际知名品牌的合作伙伴。主要从事*的工控及电气产品的销售与应用，包括工业自动化、系统集...

功率场效应管（MOSFET）SMK1350F，可代FQPF13N50F
功率场效应管（MOSFET）SMK1350F，可代FQPF13N50F
  • 品牌/商标：

    AUK

  • 型号/规格：

    SMK1350F

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

SMK1350F TO-220F AUK韩国原装 代用FQPF13N50韩国AUK出品 韩国原产*。品质*，价格优惠。 该产品部分相关参数如下：VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：500 V(Min.)ID（连...

代理美格纳场效应管MDD1654
代理美格纳场效应管MDD1654
  • 型号/规格：

    MDD1654

  • 品牌/商标：

    美格纳

  • 封装形式：

    TO-252

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场效应管 IRF840 IRF830 IRF540N IRFZ44N HFA08TB60 MUR860G HFP8N60 IRF3710 IRF3205 IRF2807 HFP5N60 HFP10N60 HFP830 K3404 HFP50N06 ...

MOS管替代NE*145
MOS管替代NE*145
  • 品牌/商标：

    NCE/SSF

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒装

  • 功率特征：

    *率

苏州东南科技有限公司为电子元器件的代理，主要代理产品有合泰、义隆、MICROCHIP等*。同时也是国内MOS管的代理商，代理的SSF7509、SSF7510、NCE7580用于*替代ST75NF75、NE*145、IRF36...

IXYS沟道MOSFET管
IXYS沟道MOSFET管

    品牌:IXYS 型号:IXTA200N075T 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:75（V） 夹断电压:75（V） 低频跨导:0.031（μS） 漏*电流:0.2（mA） 耗散功率:430000（mW）T*e: Trench Gate Power MOSFETs Part NoVdssIdRds(on)Pac...

    MOSFET管 IRFP4228PBF
    MOSFET管 IRFP4228PBF

      品牌:IR 型号:IRFP4228PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道本公司产品绿色*！原装！一手货源，大量现货库存！产品广泛有：贴片二*管·贴片三*管·贴片电容·贴片电阻·贴...

      MOS管60N06
      MOS管60N06
      • 品牌：

        台湾

      • 型号：

        台湾EK60N06

      品牌/商标 台湾 型号/规格 台湾EK60N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 *肖特基势垒栅 开启电压 3（V） 夹断电压 3（V） 跨导 1（μS） *间电容 3（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏*电流 3（mA） 耗散功率 3（mW）

      *童IGBT/单管FGH60N60SMD
      *童IGBT/单管FGH60N60SMD
      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 型号/规格：

        FGH60N60SMD

      • 材料：

        GE-N-FET锗N沟道

      • 用途：

        A/宽频带放大

      • 品牌/商标：

        FAIRCHILD/*童

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 导电方式：

        增强型

      我司销售各品牌模块、单片、单管及电容，*原装现货欢迎来电咨询我司销售各品牌模块、单片、单管及电容，*原装现货欢迎来电咨询我司销售各品牌模块、单片、单管及电容，*原装现货欢迎...

      场效应管MDF4N60
      场效应管MDF4N60
      • 型号/规格：

        MDF4N60

      • 品牌/商标：

        美格纳（Magnachip）

      • 封装形式：

        TO-220F

      • *类别：

        无铅*型

      • 安装方式：

        直插式

      • 包装方式：

        盒带编带包装

      MDF4N60 TO-220F封装 VDS：600V ID:4.6A RDS(ON):2Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...

      原装2SK3878可以代替2SK2611
      原装2SK3878可以代替2SK2611
      • 品牌/商标：

        TOSHIBA/东芝

      • 型号/规格：

        2SK3878,2SK2611

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        A/宽频带放大

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料：

        ALGaAS铝镓砷

      2SK3878:TOS 10+无铅 原装现货!2SK2611:TOS 10+无铅 原装现货!"

      现货销售Silikron硅能MOSFET SSF11NS60F，TO-220F封装
      现货销售Silikron硅能MOSFET SSF11NS60F，TO-220F封装
      • 品牌/商标：

        Silikron硅能

      • 型号/规格：

        SSF11NS60F

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        L/功率放大

      • 封装外形：

        CHIP/小型片状

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      现货销售MOSFET SSF11NS60F，封装：TO-220F，品牌：Silikron硅能VDSS：650VRDS(on)：0.36ohm(t*.)ID：11A

      FUJI 逆变功率模块
      FUJI 逆变功率模块
      • 品牌/商标：

        FUJI/富士通

      • 型号/规格：

        6*P100RSA120-60

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        耗尽型

      • 用途：

        MOS-FBM/全桥组件

      • 封装外形：

        LLCC/无引线陶瓷片载

      • 材料：

        GE-N-FET锗N沟道

      名称功率模块型号6*P100RSA120-60 品牌 富士fuji 服务概述： 我们专注于位置控制、速度控制、转矩控制，数控改造和测功机/组件试验台的应用。完整的系统集成和工业控制改造应用经验。...

      IR2118PBF**原装
      IR2118PBF**原装
      • 品牌/商标：

        IR/国际整流器

      • 型号/规格：

        IR2118PBF

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        A/宽频带放大

      • 封装外形：

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      IR2118PBF

      场效应管 库存MOS管 GFP840代替IRF840 优质低价！
      场效应管 库存MOS管 GFP840代替IRF840 优质低价！
      • 漏极电流：

        4.5

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 型号/规格：

        GFP730

      • 品牌/商标：

        guoyu

      • 种类：

        绝缘栅(MOSFET)

      • 低频噪声系数：

        22

      GFP4N60 TO-220 全新原装 大量现货！特价！厂家大量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840 电话： 传真：无锡晶迪电子有限公司...

      MOSFET行业资讯

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

        “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

      • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

        绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

      • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

      • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

        新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

      • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

        MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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