产品
即刻体验 AI搜索DeepSeek-R1满血版
一键发布采购 上传BOM
您现在的位置：首页 > 元器件(最新) > 场效应管MOSFET >

MOSFET

（共找到“8”条查询结果）
广告
广告
更多>>

MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET管 P沟道MOS管 TLP181 场效应晶体管 大功率场效应管 低压MOS管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

经销商
湖北
源头工厂
IRFP150N大功率场效应管
IRFP150N大功率场效应管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFP150N

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    AM/调幅

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

型号繁多，无法一一上传实物图片，请谅解，若有需要可向本公司要求提供图片，如搜索不到的型号可通过旺旺询问或联系哦。 电子行业价格变动快，请下单前先咨询当天的价格以免出现不愉...

7*P150RA120
7*P150RA120
  • 品牌/商标：

    FJD日本富士电机

  • 型号/规格：

    7*P150RA120

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

公司简介武汉新瑞科电气技术有限公司成立于1996年，位于武汉市东湖开发区内，是集科、工、贸为一体的高新技术企业，本公司致力于功率半导体及军民用控制IC的销售与应用开发。在销售与...

英飞凌IGBT模块 *原装 FF200R12KS4
英飞凌IGBT模块 *原装 FF200R12KS4
  • 关断速度：

    普通

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

  • *数：

    二*

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格：

    FF200R12KS4

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型：

    N沟道

英飞凌KS4系列IGBT模块*武汉科琪电子有限公司代理功率半导体产品及配套器件，是功率半导体行业知名企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精*及良好的商业信誉，在电力电子行...

IR场效应管
IR场效应管
  • 型号/规格：

    IRFP460PBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-247

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

TO-220封装、TO-247封装，用于放大、电子开关、阻*变换、可调电阻、恒流源。

现货原装STP75NF75
现货原装STP75NF75
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

[产品说明] 本产品为全新原装进口无铅现货,价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆ 捷保(香港)有限公司是我国的电子元器件供应商之一，主要进行电子公司电子...

功率MOSFET管IPW60R045CP
功率MOSFET管IPW60R045CP

    品牌:Infineon英飞凌 型号:IPW60R045CP 应用范围:功率功率MOSFET,600V,TO-247,IPW60R045CP,infineon*原装制造商: INFINEON 制造商编号: IPW60R045CPRoHS协从产品:是描述晶体管类型:Power MOSFET晶体管*性:N Channel电压, Vds 典型值:650V电流, Id 连续:60A开态电阻, Rds(on):0.045ohm电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, V...

    场效应管 IRLML6302TR SOT - 23封装 *原装 现货库存
    场效应管 IRLML6302TR SOT - 23封装 *原装 现货库存
    • 品牌：

      IR美国国际整流器公司

    • 型号：

      IRLML6302TR

    品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLML6302TR 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 --（V） 夹断电压 --（V） 跨导 --（μS） *间电容 --（pF） 低频噪声系数 --（dB） 漏*电流 --（mA） 耗散功率 --（m...

    （MOSFET)场效应管
    （MOSFET)场效应管
    • 型号/规格：

      IXFN48N50

    • 品牌/商标：

      IXYS

    • 封装形式：

      塑料封装

    • *类别：

      无铅*型

    • 安装方式：

      直插

    • 包装方式：

      散装

    • 功率特征：

      大功率

    场效应管系列: IRFBC20 IRFBC30 IRFB*0 IRF530 IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRFZ20 IRFZ24 IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 IRFZ46 ...

    MOSFET行业资讯

    • ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET[2025-06-04]

      ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　　RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代...

    • Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性[2025-05-30]

      威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Silico...

    • Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET[2025-05-29]

      －四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET...

    • Infineon - 英飞凌OptiMOS6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准[2025-05-28]

      随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其采...

    • 东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET[2025-05-21]

      东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏...

    什么是MOSFET?

    • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

    • 目录

      MOSFET

    MOSFET技术资料

    • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

      在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

    • IGBT与MOSFET的区别[2025-05-19]

      IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极型晶体管（BJT）组合...

    • 增强型和耗尽型MOSFET之间的区别是什么?[2025-04-29]

      增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制特性增强型MOSFET耗尽型M...

    • 为什么电力电子系统中使用低压MOSFET？[2025-02-19]

      低压技术　　与N通道MOSFET相比，P通道MOSFET代表相对较小的份额，低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性，以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实现，这可以使抗性改善...

    • 低压电源MOSFET设计[2025-02-10]

      低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行，通常低于100 V，但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用，即使电源电压很低。关键功能包括以下内容：　　低抗性（RDS（ON））以减少传导过程中的功率损失，从而提高能源效率。当设...

    热门产品推荐

    电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

    在采购MOSFET进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

    免责声明：以上所展示的MOSFET信息由会员自行提供，MOSFET内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

    友情提醒：为规避购买MOSFET产品风险，建议您在购买MOSFET相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务"，买卖都安全。

    友情链接： 闪光灯

    ©2025 维库电子市场网　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明
    买家服务热线：0571-85317607 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
    卖家服务热线：0571-85317607 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727
    广东
    浙江
    新疆
    河北
    内蒙古
    山西
    吉林
    黑龙江
    江苏
    辽宁
    安徽
    福建
    江西
    山东
    河南
    湖北
    湖南
    广西
    海南
    贵州
    云南
    西藏
    四川
    青海
    陕西
    甘肃
    宁夏
    台湾
    澳门
    香港