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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

经销商
湖北
源头工厂
IRFP150N大功率场效应管
IRFP150N大功率场效应管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFP150N

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    AM/调幅

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

型号繁多，无法一一上传实物图片，请谅解，若有需要可向本公司要求提供图片，如搜索不到的型号可通过旺旺询问或联系哦。 电子行业价格变动快，请下单前先咨询当天的价格以免出现不愉...

7*P150RA120
7*P150RA120
  • 品牌/商标：

    FJD日本富士电机

  • 型号/规格：

    7*P150RA120

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

公司简介武汉新瑞科电气技术有限公司成立于1996年，位于武汉市东湖开发区内，是集科、工、贸为一体的高新技术企业，本公司致力于功率半导体及军民用控制IC的销售与应用开发。在销售与...

英飞凌IGBT模块 *原装 FF200R12KS4
英飞凌IGBT模块 *原装 FF200R12KS4
  • 关断速度：

    普通

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

  • *数：

    二*

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格：

    FF200R12KS4

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 沟道类型：

    N沟道

英飞凌KS4系列IGBT模块*武汉科琪电子有限公司代理功率半导体产品及配套器件，是功率半导体行业知名企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精*及良好的商业信誉，在电力电子行...

IR场效应管
IR场效应管
  • 型号/规格：

    IRFP460PBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-247

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

TO-220封装、TO-247封装，用于放大、电子开关、阻*变换、可调电阻、恒流源。

现货原装STP75NF75
现货原装STP75NF75
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

[产品说明] 本产品为全新原装进口无铅现货,价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆ 捷保(香港)有限公司是我国的电子元器件供应商之一，主要进行电子公司电子...

功率MOSFET管IPW60R045CP
功率MOSFET管IPW60R045CP

    品牌:Infineon英飞凌 型号:IPW60R045CP 应用范围:功率功率MOSFET,600V,TO-247,IPW60R045CP,infineon*原装制造商: INFINEON 制造商编号: IPW60R045CPRoHS协从产品:是描述晶体管类型:Power MOSFET晶体管*性:N Channel电压, Vds 典型值:650V电流, Id 连续:60A开态电阻, Rds(on):0.045ohm电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, V...

    场效应管 IRLML6302TR SOT - 23封装 *原装 现货库存
    场效应管 IRLML6302TR SOT - 23封装 *原装 现货库存
    • 品牌：

      IR美国国际整流器公司

    • 型号：

      IRLML6302TR

    品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLML6302TR 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 --（V） 夹断电压 --（V） 跨导 --（μS） *间电容 --（pF） 低频噪声系数 --（dB） 漏*电流 --（mA） 耗散功率 --（m...

    （MOSFET)场效应管
    （MOSFET)场效应管
    • 型号/规格：

      IXFN48N50

    • 品牌/商标：

      IXYS

    • 封装形式：

      塑料封装

    • *类别：

      无铅*型

    • 安装方式：

      直插

    • 包装方式：

      散装

    • 功率特征：

      大功率

    场效应管系列: IRFBC20 IRFBC30 IRFB*0 IRF530 IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRFZ20 IRFZ24 IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 IRFZ46 ...

    什么是MOSFET?

    • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

    • 目录

      MOSFET

    MOSFET技术资料

    • SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护[2024-12-19]

      短路原点　　电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。　　负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...

    • 关于模拟布局中的堆叠 MOSFET[2024-12-11]

      这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。　　关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息　　图 1三个 MOSFET 串联堆叠，提供 3 um 的通道长度。来源：Pulsic...

    • 模拟布局：为什么孔、抽头和保护环至关重要[2024-12-10]

      这些结构由原理图隐含，但没有详细指定。这方面的主要示例是井、水龙头和保护环。这些结构对于任何 MOSFET 电路的工作都是必不可少的。　　这就是为什么了解基板在 MOSFET 电路中的作用对于创建有效的模拟设计至关重要的原因。为此，有必要首先了解 MOSFET 晶...

    • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

      氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

    • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

      “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

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