IR/国际整流器
IRFP150N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
P-DIT/塑料双列直插
ALGaAS铝镓砷
型号繁多，无法一一上传实物图片，请谅解，若有需要可向本公司要求提供图片，如搜索不到的型号可通过旺旺询问或联系哦。 电子行业价格变动快，请下单前先咨询当天的价格以免出现不愉...
手机：13871050908
FJD日本富士电机
7*P150RA120
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
公司简介武汉新瑞科电气技术有限公司成立于1996年，位于武汉市东湖开发区内，是集科、工、贸为一体的高新技术企业，本公司致力于功率半导体及军民用控制IC的销售与应用开发。在销售与...
电话：027-87166570
普通
IGBT*缘栅比*
二*
*缘栅(MOSFET)
FF200R12KS4
INFINEON/英飞凌
MOS-HBM/半桥组件
N沟道
英飞凌KS4系列IGBT模块*武汉科琪电子有限公司代理功率半导体产品及配套器件，是功率半导体行业知名企业之一。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精*及良好的商业信誉，在电力电子行...
电话：027-87267972
IRFP460PBF
IR
TO-247
无铅*型
直插式
单件包装
大功率
TO-220封装、TO-247封装，用于放大、电子开关、阻*变换、可调电阻、恒流源。
电话：027-87267971
手机：13907155687
ST/意法
STP75NF75
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
[产品说明] 本产品为全新原装进口无铅现货,价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆价格以当天报价为准◆◆◆◆◆◆ 捷保(香港)有限公司是我国的电子元器件供应商之一，主要进行电子公司电子...
电话：027-85722807
手机：13871094320
品牌:Infineon英飞凌 型号:IPW60R045CP 应用范围:功率功率MOSFET,600V,TO-247,IPW60R045CP,infineon*原装制造商: INFINEON 制造商编号: IPW60R045CPRoHS协从产品:是描述晶体管类型:Power MOSFET晶体管*性:N Channel电压, Vds 典型值:650V电流, Id 连续:60A开态电阻, Rds(on):0.045ohm电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, V...
电话：27-88866685
IR美国国际整流器公司
IRLML6302TR
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLML6302TR 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 --（V） 夹断电压 --（V） 跨导 --（μS） *间电容 --（pF） 低频噪声系数 --（dB） 漏*电流 --（mA） 耗散功率 --（m...
电话：027-87865582
IXFN48N50
IXYS
塑料封装
无铅*型
直插
散装
大功率
场效应管系列: IRFBC20 IRFBC30 IRFB*0 IRF530 IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 IRF820 IRF830 IRF840 IRFZ20 IRFZ24 IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 IRFZ46 ...
电话：027-51854223
ST 的用于 SiC MOSFETs 和 IGBT 的隔离式汽车栅极驱动器提供了灵活性，可以控制不同功率等级的逆变器，具备可编程保护和诊断功能，允许进行 ISO 26262 ASIL D 认证。 集成了 ADC 和反激控制器，STGAP4S 为可扩展的电动汽车动力总成设计提供了功能丰富且符...
英飞凌推出了其 CoolSiC MOSFET 750 V G2 技术，旨在提高汽车和工业电力转换应用中的系统效率和功率密度。 该技术提供了具有典型 R DS(on) 值高达 60 mΩ（25°C 时）的精细产品组合，适用于包括车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电动汽车（xEV）辅助设备...
SemiQ 致力于针对 1,200V 碳化硅 MOSFET 太阳能逆变器，这些 MOSFET 经过 800mJ 雪崩测试，部分与碳化硅肖特基二极管共封装——所有产品均具有内置反向二极管。 有四种设备： GCMS008C120S1-E1 8.4mΩ 配有肖特基二极管 GCMS016C120S1-E1 16.5...
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太...
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的...
增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体场效应管的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析： 1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制特性增强型MOSFET耗尽型M...
低压技术 与N通道MOSFET相比，P通道MOSFET代表相对较小的份额，低压的主流技术是沟槽门。这项技术的开发是为了克服早期平面结构的局限性，以提供较低的抵抗力和较低的损失。这些MOSFET通过插入沟槽区域的栅极结构彻底蚀刻的栅极结构实现，这可以使抗性改善...
低压功率MOSFET设计用于以排水源电压运行，通常低于100 V，但具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效效率和处理高电流的应用，即使电源电压很低。关键功能包括以下内容： 低抗性（RDS（ON））以减少传导过程中的功率损失，从而提高能源效率。当设...
短路原点 电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。 负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...
这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。 关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息 图 1三个 MOSFET 串联堆叠，提供 3 um 的通道长度。来源：Pulsic...
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