2N6660
vishay
金属封装
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
vishay威世MosFET场效晶体管 2N6660 2N6660-E3 2N6660-2 2N6660JTX02 2N6661 2N6661-E3 2N6661-2 2N6661JTXEA MEA DG409AK-E3 2N6660JANTX 2N6660JANTXV vishay威世CMOS模拟开关 9073...
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广腾
GT-KDW127
过压保护额定值: ≤13V(mm)
充电电流: ≤400mA(Kg)
场效应晶体管漏*输出电路等技术并具有快速关断、过压、过流、短路、电平过充、过放电等保护措施。该机具有
环境温度:-5℃~+40℃
名称:陕西广腾电子科技有限公司: 卓先生手机: :(转)805传真: : Q Q:3地址:陕西省西安市含光南路232号公司网址:http://sxgt.cn/ 矿用隔爆兼本安型电源采用集电路控制,场效应...
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手机:13259916003
DO
П217А
俄罗斯*
硅(Si)
95
功率
我公司主要经营俄罗斯、乌克兰、欧美及国产*电子元器件; 经销产品系列具体如下: 二*管、三*管、电阻、电容、继电器、连接器、集成电路、电源模块、 接触器、电子管、可控硅、晶体管...
手机:15809253089
4DO2
MOS
其它
普通型
用于电视机、调频调幅收音机及各种接受机高频电路。 质量等级可分为:*、工业级、民品等 封装形式:TO-18-4 产品*原装,现货供应,在价格方面相当具有优势。另外,对于本公司出售的产...
电话:029-84037322
手机:13572429004
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...