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MOSFET

（共找到“18”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET管 P沟道MOS管 TLP181 拆机场效应管 场效应MOS管 东芝电子管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

经销商
杭州
源头工厂
杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    DHC1

  • 产品系列：

    DHC1

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    /

  • 触点切换电压：

    /

  • 触点形式：

    一开三闭

*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1：1997 电 源 AC220V （50Hz） 触点电寿命 ≥1×105...

我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

场效应管规格：品牌ST型号STP75NF75FP种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电动车充电电路封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-P-FET锗P沟道 原装，现货！ 品牌:ST 型号:STP...

IC *原装AOD409
IC *原装AOD409
  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    AOD409

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    AOS/美国万代

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

杭州*鹄电子科技有限公司--------的电子元器件供应商，只做*原装长期为各广大终端工厂提供电子元器件配套服务。严格的质量把关，*质量100%*本公司供应的产品较多，无法一一上传，如有...

LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 封装形式：

    功率型

  • 集电*允许电流ICM：

    300

  • 型号/规格：

    LWH300G603

  • 封装外形：

    SP/*外形

  • 截止频率fT：

    20KHZ

  • 品牌/商标：

    LS/产电

产品名称：LWH300G603--韩国LS IGBT模块价格：电谈/面谈 该模块是韩国LS产电(原LG电子)针对工业应用推出的2单元LS IGBT模块。其相对竞争优势主要体现在两方面：一、质高：模块内嵌静...

优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF730

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

供应IR 原装*MOS管。IRF740IRF730IRF9530IRF9540IRF640IRF540等等IR型号MOS管长期备有大量库存，欢迎来电咨询！

代理现货士兰微MOS SVF12N60
代理现货士兰微MOS SVF12N60
  • 品牌/商标：

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格：

    SVF12N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

：余开权 手机：A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF12N60T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计...

FHP7N80 FHF7N80 FEIHONG场效应管
FHP7N80 FHF7N80 FEIHONG场效应管
  • 品牌/商标：

    FEIHONG

  • 型号/规格：

    FHP7N80

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

所报价格可能会随市场有所波动，具体请来电面议，祝合作愉快！目前杭州利普电子科技有限公司涉及配套领域：各种电源充电器及控制器、仪器仪表、*性照明类、汽车电子、音响设备、通讯...

ST公司、原装MOS管、STP75NF75
ST公司、原装MOS管、STP75NF75
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

ST公司原装MOS管，此型号MOS管有多个封装地，目前我司分销*封装地的产品，产品以条管包装，50PCS一条，此型号具体参数为：电压=75V、电流=80A、RDS〈0.011Ω，封装为TO-...

ROHM US6M2 TR 贴片 MOS管
ROHM US6M2 TR 贴片 MOS管

    品牌/商标 ROHM 型号/规格 US6M2 TR 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/*组件

    杭州*大功率直插场效应管IRFP460A
    杭州*大功率直插场效应管IRFP460A
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRFP460

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      LMP-C/阻*变换

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      GaAS-FET砷化镓

    杭州供应*大功率直插场效应管IRFP460A TO-247 【杭州丰登电子有限公司】 销售可控硅，二*管，三*管，肖特基，场效应管，达林顿管，三端稳压，集成IC等各种电子元器件。网络*，批发，...

    SSF6010 （代替 IRFZ44 ）
    SSF6010 （代替 IRFZ44 ）
    • 品牌/商标：

      矽利康

    • 型号/规格：

      SSF6010 IRFZ44

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    MOSFETPart NumberPackageConfigurationVDSS min(V)VGS(V)VGS(th) min(V)RDS(on) maxQg t* @Vgs=10V(nC)Qg t* @Vgs=4.5V(nC)Qgs(nC)Qgd(nC)ID(A)Pd max(W)Rg t*(Ω)at V...

    MUR120 场效应管 晶体管
    MUR120 场效应管 晶体管
    • 品牌：

      CEN美国*半导体

    • 型号：

      MUR120A

    品牌/商标 CEN美国*半导体 型号/规格 MUR120A 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 销售IR、APT、HAR、MOT、ST、FUJ、TOS、GI、NEC、FSC、HIT等厂家的集成芯片、二三*管、发光管、光敏管、大小功率场效应管IGBT、贴片元件及其它电子元件。 信誉是我们经营的宗旨。配套、品种*、货源稳定，良好的信誉，使我们...

    原装MOS管IRFP150N
    原装MOS管IRFP150N

      品牌:IR 型号:IRFP150N 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CHIP/小型片状 开启电压:100（V） 低频跨导:1（μS） *间电容:145（pF）供原装*IRFP150N,本公司真正优势库存产品，价优货足

      原装FSC TO-252贴片 场效应管 FQD13N10L
      原装FSC TO-252贴片 场效应管 FQD13N10L
      • 品牌/商标：

        FRE*CALE/飞思卡尔

      • 型号/规格：

        FQD13N10L

      • 封装：

        TO-252

      • 类型：

        其他IC

      • 产品类型：

        其他

      • 沟道类型：

        其他

      杭州鼎玛电子经营：集成电路IC（主营贴片SMD）,场效应管MOSFET,光电耦合器,可控硅,二三*管等电子元器件配套。（~~可开具17%增值税*！~~）主营品牌:TI,IR,FSC,PHI,ST,ON,JRC,TOS,NS,HT...

      原装现货SVF10N65F TO-220F塑封封装
      原装现货SVF10N65F TO-220F塑封封装
      • 品牌/商标：

        SILAN

      • 型号/规格：

        SVF10N65F

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形：

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      原装现货SVF10N65F,TO-220F塑封该产品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动 *说明： 1、本公司所出售商品*原装*品，包客诉。 2、公司可开具17%增值税**，税...

      ST*原装 STPS20S100* TO-220场效应管
      ST*原装 STPS20S100* TO-220场效应管
      • 品牌/商标：

        ST/意法

      • 型号/规格：

        STPS20S100*

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        CHOP/斩波,限幅

      • 封装外形：

        CER-DIP/陶瓷直插

      • 材料：

        GE-N-FET锗N沟道

      杭州鼎科电子有限公司（原杭州大顺电子）是目前华东地区较大规模的电子元器件供应商之一，我们*秉承着：“信誉为本，质量，顾客至上”的经营理念，不断地...

      3DJ5场效应管(图)
      3DJ5场效应管(图)

        品牌/商标 国产 型号/规格 3DJ5场效应 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 SP/*外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） *间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏*电流 10（mA） 耗散功率 100（mW） 杭州金达电子有限公司是一家以...

        IRF1010E 场效应管 特价
        IRF1010E 场效应管 特价
        • 品牌/商标：

          ADV美国先进半导体

        • 型号/规格：

          IRF1010E

        • 种类：

          绝缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          增强型

        • 用途：

          SW-REG/开关电源

        • 封装外形：

          CHIP/小型片状

        • 材料：

          GaAS-FET砷化镓

        ★购前必读:1、宝贝一律走快递，由于本商场产品利润微乎其微或者零利润，所有商品江浙沪地区的包邮价格=一口价+快递费用。本店不支持平邮，平邮没有开通网上跟踪系统，并且容易丢件或...

        什么是MOSFET?

        • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

        • 目录

          MOSFET

        MOSFET技术资料

        • SiC MOSFET 利用快速关断方法实现短路保护[2024-12-19]

          短路原点　　电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。　　负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈值电压进行管理。另一...

        • 关于模拟布局中的堆叠 MOSFET[2024-12-11]

          这些串联器件通常称为堆叠式 MOSFET 或堆叠式器件。例如，将三个 1 um MOSFET 串联起来，可以产生一个通道长度为 3 um 的有效器件（图 1）。　　关于模拟布局中的堆叠式 MOSFET 的所有信息　　图 1三个 MOSFET 串联堆叠，提供 3 um 的通道长度。来源：Pulsic...

        • 模拟布局：为什么孔、抽头和保护环至关重要[2024-12-10]

          这些结构由原理图隐含，但没有详细指定。这方面的主要示例是井、水龙头和保护环。这些结构对于任何 MOSFET 电路的工作都是必不可少的。　　这就是为什么了解基板在 MOSFET 电路中的作用对于创建有效的模拟设计至关重要的原因。为此，有必要首先了解 MOSFET 晶...

        • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

          氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

        • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

          “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

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