FAIRCHILD/*童
FGA25N120ANTD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
南京诚开电子科技有限公司 翟凌云 传真:部件编号说明封装FGH30T65UPDT650V,30A场截止沟道IGBTTO-247 3*H25T120SMD1200 V、25 A 场截止沟道 IGBTTO-247 3*H40T120SMD1200 V、40 A 场...
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STD4NK60ZT4
ST(意法半导体)
D2PAK
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
绝缘栅(MOSFET)
选择耀坤科技的五大理由 1. 优势价格:耀坤科技巨大的产品销售量保证了议价能力,我们供货的产品可以提供优势的价格。 2. 专注:行业,我们专注于电子元件行业数年;致力于以过硬的品...
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CER-DIP/陶瓷直插
IDW100E60
ALGaAS铝镓砷
UHF/*频
INFINEON/英飞凌
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
南京和默电子科技有限公司从事代理*童 功率器件产品,公司主要致力于新功率半导体器件的推广,包括MOFET, IGBT单管及模块, *快恢复二*管。公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电...
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IR/国际整流器
IRF3808PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DIFF/差分放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
南京见田机电有限公司是IR、GEFRAN、SMC、RECOM、COSEL、VICOR、OMRON、Schneider、Delta等国际知名品牌的合作伙伴。主要从事*的工控及电气产品的销售与应用,包括工业自动化、系统集...
电话:025-86200765
AUK
SMK1350F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SP/*外形
N-FET硅N沟道
SMK1350F TO-220F AUK韩国原装 代用FQPF13N50韩国AUK出品 韩国原产*。品质*,价格优惠。 该产品部分相关参数如下:VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):500 V(Min.)ID(连...
电话:025-87771568
CER-DIP/陶瓷直插
FGH60N60SMD
GE-N-FET锗N沟道
A/宽频带放大
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎来电咨询我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎来电咨询我司销售各品牌模块、单片、单管及电容,*原装现货欢迎...
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TOSHIBA/东芝
2SK3878,2SK2611
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
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电话:025-84535686
IR/国际整流器
IR2118PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
IR2118PBF
电话:025-86935166
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...