FAIRCHILD/*童
FGA25N120ANTD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
南京诚开电子科技有限公司 翟凌云 传真:部件编号说明封装FGH30T65UPDT650V,30A场截止沟道IGBTTO-247 3*H25T120SMD1200 V、25 A 场截止沟道 IGBTTO-247 3*H40T120SMD1200 V、40 A 场...
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STD4NK60ZT4
ST(意法半导体)
D2PAK
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
绝缘栅(MOSFET)
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CER-DIP/陶瓷直插
IDW100E60
ALGaAS铝镓砷
UHF/*频
INFINEON/英飞凌
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
南京和默电子科技有限公司从事代理*童 功率器件产品,公司主要致力于新功率半导体器件的推广,包括MOFET, IGBT单管及模块, *快恢复二*管。公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电...
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IR/国际整流器
IRF3808PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
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CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
南京见田机电有限公司是IR、GEFRAN、SMC、RECOM、COSEL、VICOR、OMRON、Schneider、Delta等国际知名品牌的合作伙伴。主要从事*的工控及电气产品的销售与应用,包括工业自动化、系统集...
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AUK
SMK1350F
*缘栅(MOSFET)
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SW-REG/开关电源
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N-FET硅N沟道
SMK1350F TO-220F AUK韩国原装 代用FQPF13N50韩国AUK出品 韩国原产*。品质*,价格优惠。 该产品部分相关参数如下:VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):500 V(Min.)ID(连...
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CER-DIP/陶瓷直插
FGH60N60SMD
GE-N-FET锗N沟道
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TOSHIBA/东芝
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*缘栅(MOSFET)
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IR/国际整流器
IR2118PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
IR2118PBF
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GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...