8N65
kevin
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
【购买须知】 1、小批量与整盘价格:整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁,暂不能实时更新在线价格,购买前请务必咨询客服后,再拍产品。 2、订单金额:当前总金额低于100元的订单...
电话:0510-88150510
手机:13338119997
OR7090
ORTECH
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
中功率
苏州奥泰盛电子科技有限公司研发、生产、销售各种功率半导体器件,品种多型号全库存量大,可为您的产品更新换代提供全方位的技术及元器件的快速、准确、全面、优质的配套服务。 专营:...
电话:0512-6257
手机:13915563401
CS1N60
华晶
TO-251
无铅*型
直插式
盒带编带包装
联系:,: 华晶mos管CS1N60A3H,主要应用于LED驱动电源,充电器,电源逆变器,LED灯等,主要的客户有:浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽...
电话:0510-13812020156
手机:13812020156
ABL
95(%)
通用型导热硅脂
适用于电子元器件的热传递,如晶体管、镇流器、热传感器、电脑风扇等,大功率晶体管(塑封管)、二极管与基材(铝、铜板)接触的缝隙的传热介质、整流器和电气的导热绝缘
供应导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性本公司生产的导热硅胶(又名散热硅胶、电子硅胶、散热胶、导热胶)是一种导热又绝缘的单组分室温硅胶,接触空气中的水份自行固化成弹性固体。● 产品特点※产品具有良好的导热能力;※较宽的温度适用范围(固化胶能在...
电话:025-87116545
手机:15251766019
*
0.33UF63V
铝电解
晶体管电路
方块状
*率
中频
固定
公司主营: 全系列铝电解电容、贴片旺全厚声风华三星电容/电阻、(0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2512大小功率一系列)、钽电容.(P型、A型、B型、C型、D型、E型...
电话:86 0512 68184096
手机:13222208693
OGFD6703
OGFD
sot-23-6
普通型
贴片式
单件包装
小功率
产品型号:OGFD6703(替代AO6604/MT2701)封装:SOT-26(TSOP6) N+P 双芯片 场效应管 我们在国内外均建有强大的经验丰富的自主研发科技团队,产品主要针对电源管理和功率器件领域。我...
电话:0510-82864500
手机:18118913227
华晶
CS5B6002A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
N-FET硅N沟道
注①:此处是「华晶」品牌*,可查看企业实名或公司诚信档案。注②:此处所标单价均为建设网站而虚构,并非真实价格,故不作为成交依据。注③如需产品资料,样品及报价,可以来电或咨询。...
电话:86 0510 81805625
手机:13771500160
NCE
3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道
原厂大量供应原装3050、3080、3010、3012、55H12、60H10、7080、7190、7578、7580、8290、8580......中压系列晶圆,型号*。采用的8英寸芯片制程工艺;器件电参数的稳定性好。 主要团...
手机:13510096050
YR
IRF3205
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
N-FET硅N沟道
无锡亚润半导体技术有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园,毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*,距离南京、上海、杭州各200多公里,距苏州、常州三十多公里。公司生产面...
手机:
FAIRCHILD/仙童
FQA11N90
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
联系方式: 详细参数选型请查看规格书,若有需要请索要。所有产品为原装进口全新!本公司所有上传产品都是现货,欢迎订购所有价格为参考价格,具体另行咨询!深圳市顺威达电子有限公...
电话:025-66688077
手机:15150542065
CS4N60A3HD
N-FET硅N沟道
华晶
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
注1:此处是「华晶」品牌*,请*网页的企业实名或查看公司诚信档案。 注2:此处所示单价均为网站建设需要,且单价随行就市,故不作为成交的依据。 注3如需产品资料,样品及报价,可以来电...
手机:
阳光牌
3D207,200
100(Hz)
50(Wp)
1(AH)
50(W)
-
12(V)
产品性能】二次击穿耐量高和热阻低,*工作区宽,饱和压降低,开关特性好,功率大,高反压,大电流【产品种类】低频大功率三*管(3DD系列)、【用 途】广泛应用于逆变器、工业自动化控...
手机:
新洁能
NCE75H21T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
N-FET硅N沟道
2-4(V)
NCE75H21T (75V210A,TO247封装) "
手机:
YM
YMP730
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
"
手机:13510302333
尼克森
各类型号
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
各类场效应,原装现货,长期供应!有需要请联系! 常州尼桑电子科技有限公司,成立于2006年。 主营整流二*管、肖特基二*管 稳压二*管,并且三*管、整流桥堆等也有很大的优势, 公司秉...
手机:
OGFD
8680
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
实际价格请电询或旺旺!注:厂家直销 量大优惠 欢迎选购! 产品型号:8680 参数:86V 80A 6.8mΩ 封装:To-220备注:60V、64V电动自行车控制器、电动三轮车控制器,电动...
电话:0510-82864500
32N20
OGFD
220
普通型
直插式
盒带编带包装
大功率
*MOS管 国外投片 *芯片 原厂* Product BVDSS ID RDSON 50N06PL 60V 50A 0.022Ω 80N08TR 80V 80A 0.008 Ω 3205TR 55V 108A 0.008 Ω 3205PL...
电话:18951514840
NCE 新洁能
NCE20N65T
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
产品特征:卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻(Ron*A) 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM(Ron*Qg) 卓越的Eas能力(100%Eas测试) 产品应...
电话:0510-85627637
手机:15961834960
SILAN/士兰微
1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
SVD2N60M/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。...
电话:86 0512 68208871
手机:13402666798
环洲
2N3055
放大
大功率
高频
NPN型
扩散型
硅
宜兴市环洲微电子有限公司创办于1993年。公司一贯恪守"品质优良,价格合理,服务周到,顾客满意"的宗旨。拥有一支训练有素的职工队伍,在2000年通过了ISO9...
电话:86075533879035
手机:13688814504
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英飞凌最近宣布的 PSU 路线图的补充。 该设备还适用于太阳能和储能系统 (ESS)、逆变器...
Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品,它将使其...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...