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MOSFET

(共找到“22”条查询结果)
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江苏
源头工厂
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  • 型号/规格:

    8N65

  • 品牌/商标:

    kevin

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

【购买须知】 1、小批量与整盘价格:整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁,暂不能实时更新在线价格,购买前请务必咨询客服后,再拍产品。 2、订单金额:当前总金额低于100元的订单...

  • 型号/规格:

    OR7090

  • 品牌/商标:

    ORTECH

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    中功率

苏州奥泰盛电子科技有限公司研发、生产、销售各种功率半导体器件,品种多型号全库存量大,可为您的产品更新换代提供全方位的技术及元器件的快速、准确、全面、优质的配套服务。 专营:...

  • 型号/规格:

    CS1N60

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 封装形式:

    TO-251

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

联系:,: 华晶mos管CS1N60A3H,主要应用于LED驱动电源,充电器,电源逆变器,LED灯等,主要的客户有:浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽...

  • 品牌/商标:

    ABL

  • 有效物质含量:

    95(%)

  • 产品规格:

    通用型导热硅脂

  • 主要用途:

    适用于电子元器件的热传递,如晶体管、镇流器、热传感器、电脑风扇等,大功率晶体管(塑封管)、二极管与基材(铝、铜板)接触的缝隙的传热介质、整流器和电气的导热绝缘

供应导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性本公司生产的导热硅胶(又名散热硅胶、电子硅胶、散热胶、导热胶)是一种导热又绝缘的单组分室温硅胶,接触空气中的水份自行固化成弹性固体。● 产品特点※产品具有良好的导热能力;※较宽的温度适用范围(固化胶能在...

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    0.33UF63V

  • 介质材料:

    铝电解

  • 应用范围:

    晶体管电路

  • 外形:

    方块状

  • 功率特性:

    *率

  • 频率特性:

    中频

  • 调节方式:

    固定

公司主营: 全系列铝电解电容、贴片旺全厚声风华三星电容/电阻、(0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2512大小功率一系列)、钽电容.(P型、A型、B型、C型、D型、E型...

  • 型号/规格:

    OGFD6703

  • 品牌/商标:

    OGFD

  • 封装形式:

    sot-23-6

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

产品型号:OGFD6703(替代AO6604/MT2701)封装:SOT-26(TSOP6) N+P 双芯片 场效应管 我们在国内外均建有强大的经验丰富的自主研发科技团队,产品主要针对电源管理和功率器件领域。我...

  • 无锡羿胜华业科技公司
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:0510-82864500

    手机:18118913227

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 型号/规格:

    CS5B6002A

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

注①:此处是「华晶」品牌*,可查看企业实名或公司诚信档案。注②:此处所标单价均为建设网站而虚构,并非真实价格,故不作为成交依据。注③如需产品资料,样品及报价,可以来电或咨询。...

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 型号/规格:

    3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

原厂大量供应原装3050、3080、3010、3012、55H12、60H10、7080、7190、7578、7580、8290、8580......中压系列晶圆,型号*。采用的8英寸芯片制程工艺;器件电参数的稳定性好。 主要团...

  • 品牌/商标:

    YR

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

无锡亚润半导体技术有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园,毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*,距离南京、上海、杭州各200多公里,距苏州、常州三十多公里。公司生产面...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FQA11N90

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

联系方式: 详细参数选型请查看规格书,若有需要请索要。所有产品为原装进口全新!本公司所有上传产品都是现货,欢迎订购所有价格为参考价格,具体另行咨询!深圳市顺威达电子有限公...

  • 型号/规格:

    CS4N60A3HD

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

注1:此处是「华晶」品牌*,请*网页的企业实名或查看公司诚信档案。 注2:此处所示单价均为网站建设需要,且单价随行就市,故不作为成交的依据。 注3如需产品资料,样品及报价,可以来电...

  • 品牌/商标:

    阳光牌

  • 型号/规格:

    3D207,200

  • 输出频率:

    100(Hz)

  • 光电板功率:

    50(Wp)

  • 蓄电池容量:

    1(AH)

  • 主机输出容量:

    50(W)

  • 产品:

    -

  • 输出电压:

    12(V)

产品性能】二次击穿耐量高和热阻低,*工作区宽,饱和压降低,开关特性好,功率大,高反压,大电流【产品种类】低频大功率三*管(3DD系列)、【用 途】广泛应用于逆变器、工业自动化控...

  • 品牌/商标:

    新洁能

  • 型号/规格:

    NCE75H21T

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    2-4(V)

NCE75H21T (75V210A,TO247封装) "

  • 品牌/商标:

    YM

  • 型号/规格:

    YMP730

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

"

  • 品牌/商标:

    尼克森

  • 型号/规格:

    各类型号

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

各类场效应,原装现货,长期供应!有需要请联系! 常州尼桑电子科技有限公司,成立于2006年。 主营整流二*管、肖特基二*管 稳压二*管,并且三*管、整流桥堆等也有很大的优势, 公司秉...

  • 品牌/商标:

    OGFD

  • 型号/规格:

    8680

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

实际价格请电询或旺旺!注:厂家直销 量大优惠 欢迎选购! 产品型号:8680 参数:86V 80A 6.8mΩ 封装:To-220备注:60V、64V电动自行车控制器、电动三轮车控制器,电动...

  • 型号/规格:

    32N20

  • 品牌/商标:

    OGFD

  • 封装形式:

    220

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

*MOS管 国外投片 *芯片 原厂* Product BVDSS ID RDSON 50N06PL 60V 50A 0.022Ω 80N08TR 80V 80A 0.008 Ω 3205TR 55V 108A 0.008 Ω 3205PL...

  • 无锡市谷峰科技
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:18951514840

  • 品牌/商标:

    NCE 新洁能

  • 型号/规格:

    NCE20N65T

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

产品特征:卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻(Ron*A) 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM(Ron*Qg) 卓越的Eas能力(100%Eas测试) 产品应...

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格:

    1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

SVD2N60M/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。...

  • 苏州洋杰电子有限公司
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏南京
  • 电话:86 0512 68208871

    手机:13402666798

  • 品牌/商标:

    环洲

  • 型号/规格:

    2N3055

  • 应用范围:

    放大

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 极性:

    NPN型

  • 结构:

    扩散型

  • 材料:

宜兴市环洲微电子有限公司创办于1993年。公司一贯恪守"品质优良,价格合理,服务周到,顾客满意"的宗旨。拥有一支训练有素的职工队伍,在2000年通过了ISO9...

MOSFET行业资讯

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称全氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
  • MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。  如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图  我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。  LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。  近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。  在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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