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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS MOSFET管 拆机场效应管 东芝MOS管 东芝电子管 功率MOS场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

生产企业
广州
源头工厂
加拿大28，蛋蛋群6208889实验室仪器
加拿大28，蛋蛋群6208889实验室仪器
  • 型号/规格：

    K/F

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    盒装

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 产地：

    加拿大

  • 价格：

    9600

加拿大28，蛋蛋群6208889实验室仪器 加拿大28，蛋蛋群6208889实验室仪器 化学实验室是提供化学实验条件及其进行科学探究的重要场所。加拿大28信誉群其内有大量的仪器：铁架台、石棉网...

* 原装 NE-09S HIFI*胆机功放/电子管功放/晶体管
* 原装 NE-09S HIFI*胆机功放/电子管功放/晶体管
  • 音响类别：

    功放

  • 品牌/商标：

    NEWJOMO/新尊宝

  • 型号/规格：

    NE-09S

  • 货号：

    NE-09S

  • 功放类型：

    HIFI功放

  • 失真率：

    小于0.1（%）

  • 信噪比：

    89（db）

  • 阻*：

    4~8（Ω）

温馨提示：本店所售出的*产品均不包含运费，设置包邮是为了方便买家进行付款操作。拍下并付款后，我们会有专人与您联系，谢谢您的信赖和支持。 感谢您对本公司的支持和信任，我们更可...

MOSFET
MOSFET
  • 型号/规格：

    STU6160

  • 品牌/商标：

    samhop

  • 封装形式：

    TO-252

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

特征*密集的单元设计低RDS（ON）的。坚固，*。曲面的贴装封装 PRODU* SUMMARYVDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max60V 18A75 @ VGS=4.5V60 @ VGS=10V

场效应2sk2843
场效应2sk2843
  • 型号/规格：

    2SK2843

  • 品牌/商标：

    东芝

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *率

供应全系列 场效应 肖特基 陈生

  • 汕头华达电子
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东广州

    • 电话：020-62794020

    手机：15002021400

晶体管BD237(图)
晶体管BD237(图)
  • 应用范围：

    功率

  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    BD237

  • 封装形式：

    TO-126

  • 电流容量：

    大功率

  • 类别：

    直插

  • 发货期限：

    10

  • 封装材料：

    金属封装

本公司大量供应晶体管封装:TO-126型号：BD139.BD140.BD135.BD136.BD138.BD237.BD435.BD681.BD682.BD678.BD679等.... 全新环保.欢迎联络~"

MOS管 7N60 单价 7A 600V
MOS管 7N60 单价 7A 600V
  • 品牌/商标：

    HL

  • 型号/规格：

    7N60

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

· 生产MOS管系列：1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、7N65、8N60、10N60、12N60、P80N75，B80N80，60N03、50N06、HD830L等，封装有TO-251、TO-252、TO-220F、TO-220，TO-...

MOS场效应管2N60
MOS场效应管2N60
  • 品牌/商标：

    SLT

  • 型号/规格：

    2N60

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

厂家直供MOS管：1N60 2N60 4N60 IRF630 IRF730 IRF740 IRF840等型号！规格书可在线索取！参数以规格书为准！封装形式有：TO-92 TO-251 TO-252 TO-220 本司有近百种三极管型号！欢迎选...

特价销售SI2313 SOT-23
特价销售SI2313 SOT-23
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    SI2313

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 开启电压：

    30（V）

  • 夹断电压：

    20（V）

本公司销售贴片、插脚双极小、中、大功率三极管，MOSFET晶体管；三端稳压LM78LXX系列，TL431，LDO直流电压转换IC AMS1117系列；Trench（沟槽）MOS：SI23XX系列，AO34XX系列，2SK3018,...

IRF2807PBF
IRF2807PBF
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF2807PBF

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 开启电压：

    10（V）

  • 夹断电压：

    10（V）

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：13 毫欧...

SHARP光电晶体管PT501B 热卖现货
SHARP光电晶体管PT501B 热卖现货
  • 品牌/商标：

    Sharp/夏普

  • 型号/规格：

    PT501B

  • 产品类型：

    激光管

  • 结构：

    点接触型

  • 材料：

    硅(Si)

  • 封装形式：

    直插型

  • 封装材料：

    金属封装

  • 功率特性：

    小功率

您好！欢迎来到振业光电．振业电子是一家经销日本SHARP（夏普）公司红外光电半导体的公司．本公司自创业以来一直以信为本，客户至上的原则，因此赢得了广大客户的信赖与支持，我们将...

效应管(2SK2698)
效应管(2SK2698)
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK2698

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

原装深圳市德宇通科技有限公司是一家开发、设计、生产、销售二极管、EMI电源滤波器、开关电源、电源适配器及镇流器为一体的生产型科技企业.同时代理国际晶体管、集成电路及模块。公司...

场效应管SVD2N60
场效应管SVD2N60
  • 品牌/商标：

    SL

  • 型号/规格：

    SVD2N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

我司大量现货供应系列场效应管品牌：SL封装：TO-220AB 、 ITO-220AB、TO-252

MOSFET行业资讯

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

  • MOSFET 开关损耗简介[2024-04-29]

    MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。　　在开关模式下， 栅源电压要么足够低以防止电流流动，...

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