贴片MOSFET GM2020E SOT-23 20V场效应管

20V场效应管 GM2020E的脚位图：

20V场效应管 GM2020E的极限值：

• 漏极-源极电压：20V
• 栅极-源极电压：±6V
• 漏极电流-连续：0.9A
• 漏极电流-脉冲：1.4A
• 总耗散功率：370mW
• 结温：150℃
• 存储温度：-55~+150℃

20V场效应管 GM2020E的电特性：

参数	符号	值	典型值	值	单位
漏极-源极击穿电压	BVDSS	20			V
栅极开启电压	VGS(th)	0.45		0.85
内附二极管正向压降	VSD			1.1
零栅压漏极电流	IDSS			100	nA
栅极漏电流	IGSS			±5	uA
静态漏源导通电阻 ID=0.55A,VGS=4.5V	RDS(ON)		220	310	mΩ
静态漏源导通电阻 ID=0.45A,VGS=2.5V			260	360
静态漏源导通电阻 ID=0.35A,VGS=1.8V			320	460
输入电容	CISS		50		pF
输出电容	COSS		13
开启时间	t(on)		22		ns
关断时间	t(off)		700

20V场效应管 GM2020E的封装外形尺寸：

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