IR/国际整流器
IRFZ44
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
HF/高频(射频)放大
CER-DIP/陶瓷直插
其他IC
本公司集生产,销售,寄售,质量检测,方案设计为一体的半导体服务商。主要从事通用贴片(SMD)集成电路,二三*管以及单片机为主的电子元件的经营与销售业务,原厂*HT合泰单片机,CR民展...
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SD05M50D/SD05M50S
SL
DIP-23/SOP23
无铅*型
DIP-23/SOP23
盒带编带包装
*功率
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DG 东光
10N60 DG10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
Features : High input resistance and low drive current Sound temperature characteristic Fast switching speed Easy to increase current capacity by parallel wayMajorApplica...
电话:0769-86203789
100N06
NEC/日本电气
P沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
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TOY日本罗姆
全系列
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
CHIP/小型片状
HEMT高电子迁移率
质量*.价格优势.品质.客户至上有需要的客户请来电咨询: : :洪杰扬 注: 可开17点增值税 质量*.价格优势.品质.客户至上有需要的客户请来电咨询: : :洪杰扬 注: 可开17点增值: F...
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Federick美国
10N90.11N90.3N100
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
批发说明 支持混批 , [500]元以上起批 或者 [30]PCS以上起批 单次满500元以上可* 相关参数:品牌:Federick美国型号:10N90,11N90,3N100种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式...
电话:0769-82606695
3A
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
SI2302
SMD(SO)/表面封装
VISHAY/长电
A/宽频带放大
N沟道
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C72 毫欧 @ 3.6A, 4.5V漏*至源*电压(Vdss)20VId 时的 Vgs(th)()1.2V @ 50&mic...
电话:0769-83033107
司坦森
ST2301M
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
东莞乐拓实业有限公司代理*童FAIRCHILD、STANSON司坦森、美国国际整流器公司IR、意法半导体ST、台湾友顺UTC等品牌的场效应管MOS管,12年专注成就今日,代理众多国内外品牌产品线供您...
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20
GE-N-FET锗N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRFB4410PBF
P-DIT/塑料双列直插
IR/国际整流器
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N沟道
东莞市舜发电子只做原装货,本公司*商品均为实物拍摄图,因有些型号的品牌、封装、批号过多,没有一一上传,如果没有你所要的品牌、型号,请来电咨询。请把您的规格型号发至yk-以便我...
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MURATA/村田
GRM033R71E821KA01D
陶瓷(瓷介)
晶体管电路
方块状
*率
中频
固定
GRM033R71E821KA01D MURATA 10+ 15000/REEL贴片陶瓷电容 体积0201 材质X7R 电压25V 容量820PF 误差+10%~-10% 温度系数 -55°C ~ 125°C*原装现货 *无铅 介绍:...
电话:0769-87915093
长电
CJ2301 S1
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
库存现货,原装,质量*!价格优惠!欢迎来电咨询订购!联系: 周先生 业务 CJ2301S P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-23APPLICATIONS. Load Switch for Portable Devices. DC/DC Conve...
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1
44
2012年
通信IC
IRFZ44N
IR/国际整流器
电视机
220
东莞市骏源电子科技有限公司主营生产:电容类:电解电容,瓷片电容,高压电容,*电容,独石电容,贴片电容,集成电路IC,钽电容,铝电解电容,固态电容,可调电容,薄膜电容,CBB电容,安规电容 ;...
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15
SIT静电感应
*缘栅(MOSFET)
SI2301
CER-DIP/陶瓷直插
AOS/美国万代
HA/行输出级
N沟道
诚颜信电子主营:IC系列产品,电容、电阻(0201-2512大小功率一系列)、排阻、可调电阻、涤纶电容、钽质电容、电感、磁珠、二*管、三*管、整流管、发光管、保险管以及各名厂IC等,为...
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SOT-23
无铅*型
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我公司是台湾司坦森科技STANSON一*代理商,以下型号我们公司常备现货:ST2300,ST2301,ST2302,ST2304,ST2305,ST2306,ST2341,ST2342,ST3400,ST3401,ST3402,ST3403,ST3406,...
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CED62A2
SMD(SO)/表面封装
CET/华瑞
MOS-INM/*组件
ALGaAS铝镓砷
*缘栅(MOSFET)
N沟道
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1.CET*代理商(若有疑问可直接咨询CET),代理CET全系列MOS产品,长期接受订货,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务.2.芯片的价格却是与采购数量相关的。当采购少量芯片时,价格稍微高...
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品牌/商标 FairChild*童 型号/规格 20N60 应用范围 达林顿 功率特性 大功率 频率特性 *频 *性 NPN型 封装形式 TO-220F,TO-220,TO-* 营销方式 现货 产品性质 * MOS管的源*和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。增强型MOS管的漏*d和源*s之间有两个背靠背的PN结。主板上的PWM(Plus Width Modulator,脉冲宽...
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逻辑IC
BISS0001
13+
红外感应IC
中性
SOP
东莞市大华电子科技有限公司是一家汽车电子产品配套供应商以及其他电子元器件分销代理商,在广州、深圳、东莞等地设有分支机构,公司目前主要以汽车电子IC为,提供汽车电子产品所需的...
电话:0769-23326789
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GMOS(台产)
2300
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
我公司现代理以下GMOS管,产品产地为台湾,产品为08年,原装无铅产品,欢迎有需要的各阶人士来电洽谈!型号封装单价(*税)备注品名2300SOT-23细谈3K一盘场效应管2301SOT-233K一盘场效应管23...
电话:0769-23035750
FAIRCHILD/*童
STP13NK60ZFP
TO-220
09+
其他IC
电脑()
*原装*主营二三* 东莞*安广浩电子经营部是一家诚信经营、服务客户为宗旨。为了满足客户的庞大需求量,一直以来库存充足的货源,本公司专营全系列二*管/稳压二*管/整流二*管/肖特基二*...
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威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷,兼备很低的能量损耗和优异的开关性能,...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品非常适合即...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道,但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大,导致晶体管的功耗很高。 在开关模式下, 栅源电压要么足够低以防止电流流动,...
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高,可实现更长的行驶距离或更小的高压电池,从而为消费者带来好处。 ROHM自2012年获...
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样,没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。 双脉冲有什么用? 图 1 显示了可能的双脉冲设置的示意图,图 2 中显示了测量数据。 图 1. 基本双脉冲设置,包括两个...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的场效应晶体管,常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点: 工作原理:结构:MOSFET通常由栅极(Gate)、漏极(Source)...
之前,我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作,我们需要更详细地检查其频率响应。 在本文中,我们将推导出考虑 MOSFET 寄生电容的 CS 放大器的完整传递...