辉颖
HN4N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
SMD(SO)/表面封装
2.5（V）
0.5（μS）
2000（mA）
60（mW）
企业名：中山市古镇辉颖半导体器件厂
类型：
电话： 86 0760 22313060
联系人：李友秋
地址：广东中山中国 广东 中山市 中山古镇海洲麒麟大道19号
∟ 触发二极管(1)
HN4N60
本产品主要特点是开关速度快，主要应用于开关电源、电子镇流器、电子变压器等。
*大额定值（Tc=25 °C)
| 参数 | *号 | 额定值 | 单位 |
| 漏-源电压 | Vds | 610 | V |
| 漏-栅电压 | Vdgr | 610 | V |
| 栅-源电压 | Vgs | &plu*n;30 | V |
| 漏*电流（Tc=25°C) | Id | 4 | A |
| 静态漏-源导通电阻 | Rds(on) | 2.2 | Ω |
| 耗散功率 | Pd | 80 | W |
| *高工作温度 | Tj | 150 | °C |
| 贮存温度 | Tstg | -55-150 | °C |
注明： 1、GATE 栅*
2、DRAIN 漏*
3、SOURCE 源*
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
