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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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原装场效应管IPB072N15N3G
原装场效应管IPB072N15N3G
  • 型号/规格：

    IPB072N15N3G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

原装场效应管IPB072N15N3G产品信息 深圳驰源科技长期供应原装场效应管IPB072N15N3G <img style="max-width:700px;" src="http://file3.dzsc.com/product/20/06/03/...

NDC7002N MOS场效应管
NDC7002N MOS场效应管
  • 型号/规格：

    NDC7002N

  • 品牌/商标：

    鹏领

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

公司简介： 深圳智睿捷科技有限公司成立于2008年，是一家从事半导体器件科研、生产、OEM、销售为一体的高新技术企业。公司位于福田区振华路海外装饰大厦A座409B室。专注于贴片半导体...

三社可控硅模块PWB200A40
三社可控硅模块PWB200A40
  • 型号/规格：

    PWB200A40

  • 品牌/商标：

    三社

  • 封装形式：

    模块

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

北京恒达功率元器件代理:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、西门子、eupec、IR...

IRFR5305TRPBF 原装现货，欢迎洽谈！
IRFR5305TRPBF 原装现货，欢迎洽谈！
  • 型号/规格：

    IRFR5305TRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

IRFR5305TRPBF International Rectifier MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC ROHS 无铅 晶体管极性：P-Channel 汲极/源极击穿电压：- 55 V 闸/源击穿电压：20 V 漏极连续电流：-...

双路驱动器芯片IC TC4424AVOA713
双路驱动器芯片IC TC4424AVOA713
  • 型号/规格：

    TC4424AVOA713

  • 品牌/商标：

    MICROCHIP

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

富昌源电子（深圳）有限公司是亚太地区的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路，存储芯片，二、三极管等)和被动元件(电容，电阻，电感等)及机电元件(连接器，开关器...

STF26NM60N ST进口原装特价原装
STF26NM60N ST进口原装特价原装
  • 型号/规格：

    STF26NM60N

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

配套团队 全方位一站式配套服务 高效率 高品质 更轻松 更省时 更多详情请咨询销售人员ST功放IC TDA 系列 详情咨询 QQ技术支持： 可提供 图片 PFD资料 本公司是国内实力的电子元器件分...

FQP19N20C晶体管MOSFET
FQP19N20C晶体管MOSFET
  • 型号/规格：

    FQP19N20C

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

FQP19N20C的主要参数 型号：FQP19N20C 制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 通道数量:1 Channel 晶体管极性:N-Channel Vds...

WPM2026-3/TR芯瑞SReleics 场效应管MOS
WPM2026-3/TR芯瑞SReleics 场效应管MOS
  • 型号/规格：

    WPM2026-3/TR

  • 品牌/商标：

    SReleics芯瑞

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

The WPM2026 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench<div class="...

长期PMOS管SI9948AEY
长期PMOS管SI9948AEY
  • 型号/规格：

    SI9948AEY

  • 品牌/商标：

    VISHAY

  • 封装形式：

    SO8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 型号：

    SI9948AEY

  • 制造商：

    VISHAY

制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: N 技术: Si 商标名: TrenchFET 系列: SI9 商标: Vishay / Siliconix 产品类型: ...

Diodes MOSFET原装现货DMN6068SE-13 N沟道, 60 V, 5.6 A,SOT-223
Diodes MOSFET原装现货DMN6068SE-13 N沟道, 60 V, 5.6 A,SOT-223
  • 品牌：

    Diodes

  • 型号：

    DMN6068SE-13

  • 封装：

    SOT-223

  • 批号：

    18+

  • FET类型：

    N沟道

  • 漏源电压（Vdss）：

    60 V

  • 漏极电流(Id)：

    5.6 A

  • 漏源导通电阻(RDS On)：

    100 mΩ

产品详细信息N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc MOSFET 晶体管，Diodes Inc. 产品技术参数属性数值通道类型N连续漏极电流5.6 A漏源电压60 V漏源电阻值100 m&Omega;栅阈值电...

BS170 D74Z N沟道mos管 原装现货 假一罚十
BS170 D74Z N沟道mos管 原装现货 假一罚十
  • 型号/规格：

    BS170 D74Z

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    TO-92

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 零件编号：

    BS170 D74Z

  • 制造商：

    Fairchild/ON Semiconductor

一般信息 数据列表 BS170, MMBF170; 标准包装 1 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 - 其它名称 BS170_D74ZCT 规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化...

UT3N06G-AE3-R SOT-23 场效应管
UT3N06G-AE3-R SOT-23 场效应管
  • 型号/规格：

    UT3N06G-AE3-R

  • 品牌/商标：

    UTC/友顺

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

深圳龙牛电子科技有限公司是国内的一家电子元器件混合型分销商。经营各类主动元器件( IC集成电路，存储芯片，IGBT，场效应管，二、三极管等)和被动元器件(电容，电阻，电感等)及机电...

IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF
IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF
  • 型号/规格：

    IRLML6246TRPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF外盒： IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF包装： IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF盘标签： IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF打字： 深圳市航科创电子...

RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3 ROHM 原装
RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3 ROHM 原装
  • 型号/规格：

    RYM002N05T2CL

  • 品牌/商标：

    ROHM（罗姆）

  • 封装形式：

    VMT3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

深圳市富莱德科技有限公司，是一家集营销、代理为一体的电子元器件经销企业，于为广大客户、厂商提供全系列电子元器件配套供应。公司经过多年的拼搏发展，凭借的服务水平，优越的产品...

现货IRLML2246TRPBF Infineon(英飞凌)
现货IRLML2246TRPBF Infineon(英飞凌)
  • 型号/规格：

    IRLML2246TRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    SOT-23(SOT-23-3)

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

INFINEON IRLML2246TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V P 通道功率 MOSFET 12V 到 20V，Infineon Infineon 分立 HEXFET&#174; 功率 MOSFET ...

LBSS138LT1G MOS场效应管
LBSS138LT1G MOS场效应管
  • 型号/规格：

    LBSS138LT1G

  • 品牌/商标：

    LRC

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

LBSS138LT1G MOS场效应管 产品图片: 深圳市前海中鹏光电科技有限公司介绍： 深圳市前海中鹏光电科技有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通...

IRFS7437TRLPBF TO-263 INFINEON 场效应管
IRFS7437TRLPBF TO-263 INFINEON 场效应管
  • 型号/规格：

    IRFS7437TRLPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/SMT

  • 包装方式：

    ·

  • 数量：

    16000

  • 批号：

    新年份

IRFS7437TRLPBF TO-263 INFINEON 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 TO-252-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 40...

FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管
FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管
  • 型号/规格：

    FS8205A

  • 品牌/商标：

    FORTUNE富晶

  • 封装形式：

    TSSOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

如需规格书产品完整资料，请联系我们销售团队!FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管FS8205A FORTUNE富晶 TS...

2SK3018 SOT-23 N沟MOS管 YFW佑风微
2SK3018 SOT-23 N沟MOS管 YFW佑风微
  • 型号/规格：

    2SK3018

  • 品牌/商标：

    YFW(佑风微)

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

2SK3018 SOT-23 N沟MOS管是我司自主研发生产，并且2SK3018 SOT-23 N沟MOS管性能优越及应用广泛，欢迎新老客户咨询采购2SK3018 SOT-23 N沟MOS管。谢谢！2SK3018 SOT-23 N沟MOS管 YFW佑...

STW6N120K3 原装场效应管
STW6N120K3 原装场效应管
  • 型号/规格：

    STW6N120K3

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    /

  • 包装方式：

    /

腾顺致远电子只做原装芯片，报价速度快，发货更快。优势渠道：TI/德州仪器、ADI/亚德诺、ALTERA/阿尔特拉、XILINX/赛灵思、RENESAS/瑞萨、ST/意法、NXP/恩智浦、INFINEON/英飞凌、LIN...

MOSFET行业资讯

  • Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用[2025-07-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

  • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

    基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

  • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

    在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

  • CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级[2025-07-02]

    德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

  • Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆[2025-06-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

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    MOSFET

MOSFET技术资料

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

  • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

    在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

  • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

    在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

  • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

    在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

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