IPP075N15N3G
INFINEON(英飞凌)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
大功率
MOSFET
IPP075N15N3G代理进口原装、大量现货库存假一罚十价格合理 IPP075N15N3G IPP075N15N3G MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 ...
电话:0755-28708773
手机:13430772257
JMTK50N06B
捷捷微
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
深圳市嘉兴南电科技有限公司(JXND),是一家专注研发生产销售一体的半导体分立器件的高新企业,公司依托三十三年经验,主要从事研发、制造、销售各类放电管、防雷管、静电保护元件、...
电话:0755-61306969
手机:13686853262
IRF7204TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
详细描述 产品型号:IRF7204TRPBF 产品封装:SOP-8 是否环保:环保无铅 包装方式:卷带盘装 真空包装 包装数量:4000PCS/盘 深圳市信泰瑞达科技有限公司 地址:深圳市福田区振兴路华...
电话:0755-82769062
手机:13534075918
CSD86360Q5D
Texas Instruments
8-PowerLDFN
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
产品属性类型描述 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments 系列 NexFET™ 包装 卷带(TR) 剪切带(CT) 产品状态 在售 FET 类型 2 个 ...
电话:0755-83777708
手机:13925279453
MCC95-16IO8B
IXYS
TO-240AA
无铅环保型
贴片式
散装
大功率
串联 - 全部为 SCR
属性: 结构 串联 - 全部为 SCR SCR 数,二极管 2 SCRs 电压 - 断态 1.6kV 电流 - 通态(It(AV))(值) 116A 电流 - 通态(It(RMS))(值) 180A 电压 - 栅极触发(Vgt)(值) ...
电话:086-0755-82556029
手机:13692180031
IRFB4020PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管装
Infineon
N-Channel
深圳市中杰盛科技优势供应: IRFB4020PBF: IRFB4020PBF: IRFB4020PBF制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 环保技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管...
电话:0755-22968359
手机:13530907567
IRF630NSTRLPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-252-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
深圳市金嘉锐电子有限公司优势供应:IRF630NSTRLPBF 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶...
电话:0755-22929859
手机:13530907567
SCH2080KE
ROHM(罗姆)
TO-247-3
无铅环保型
直插式
管装
ROHM
TO-247-3
深圳市中杰盛科技有限公司优势供应:SCH2080KE 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: MOSFET 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管...
电话:0755-22929859
手机:13530907567
SUM65N20-30-E3
VISHAY/威世
表面贴装型
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
类别分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET?包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET...
电话:075582579440
手机:18617036499
MSG30T65FS
麦思浦
TO-220F
普通型
直插式
管装
产品信息:MSG30T65FS 麦思浦 650V 30A IGBT 单管 元器件 晶体管 功率半导体产品型号MSG30T65FS产品品牌麦思浦产品封装TO-220F产品质量原装产品参数30A/650V产品包装管装产品图片:MS...
电话:0755-83250753
手机:13723795532
LSI1012XT1G
LRC(乐山无线电)
SC-89
普通型
贴片式
盒带编带包装
产品描述: 场效应管/LSI1012XT1G/LRC(乐山无线电)/ 全新原装现货特性:栅源静电放电保护。 高端开关。 低导通电阻:0.7Ω。 低阈值:0.8V(典型值)。 快速开关速度:10ns。 产品材...
电话:075583047638
手机:13823148281
全系列
NXP(恩智浦)
SOP
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
主营华晶MOS管 全系列 代理 场效应管工作原理,是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,...
电话:15915459078
手机:15915459078
IRF9640STRLPBF
VISHAY
TO-263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
IRF9640STRLPBF MOSFET供应商介绍 瀚佳科技(深圳)有限公司成立于2009年,是一家中国电子元器件贸易百强企业、深圳半导体协会理事单位、军用电子元器件供应商,OEM合作订货渠道商,...
电话:0755-23140719
手机:13827426716
DMP2104LP-7 DMP2104LP
DIODES
DFN-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
只供原装,请放心订购,无最小包装限制! 可提供规格书,量大价优,交期快! 汇力胜科技致力于为客户提供高品质的元器件供应服务! 超过100万种海内外现货库存包含:连接器、集成电路、...
电话:
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8205HA/X
FM
SOT23-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
20V
6A
8205HA/X 是一款双N沟道MOS管,型号为8205HA的X版本,主要用于锂电池保护电路。具体参数如下:?<span style="text-wrap...
电话:0755-83538626
手机:15815503065
IPD90P04P405ATMA2
INFINEON(英飞凌)
TO-252-3-313
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
供应IPD90P04P405ATMA2 场效应管(MOSFET)Infineon(英飞凌) TO-252-3-313产品属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DPAK...
电话:17722609183
手机:17722609183
IRFB4020PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
深圳市奥利腾科技有限公司业务部专营各国品牌集成电路,IC,晶振。并具有着丰富的电子行业经验,在激烈的市场竞争中,以其独特的经营方式,优质的服务,逐渐闯出了一套属于自己的行业...
电话:0755-83247541
手机:13410257800
SI2333
HC/浩畅
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
<span class="15" style="font-family: 微软雅黑; color: rgb(0, 0, 255); letter-spa...
电话:0755-83558511
手机:18938888178
IRFP4368PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC
普通型
直插式
盒带编带包装
中功率
75V
致诚达主要代理台湾通嘉,巨风芯,宝砾微, 率能半导体,无锡新洁能,长园维安,芯长征,威兆,成都芯进,旋智等国内产品线以及配套方案设计(直流无刷电机控制器方案提供商),分销国外ON,Infi...
电话:0755-82871695
手机:15671563538
IXFK44N80P
IXYS
TO-264-3
无铅环保型
直插式
散装
制造商:IXYS产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-264-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:800 VId-连续漏极电流:44 A...
电话:0755-82762606
手机:13058089026
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”,进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅(SiC)MOSFET芯片,漏源电...
中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司(以下简称:麦米电气)宣布,将在其5.5 kW人工智能(AI)服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)最新推出的CoolMOS 8超...
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品,通过采用将散热面置于封装顶部的结构,实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的...
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。 随着AI处理需求持续扩大,数据中...
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求,在现有封装基础上,新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 ...
在电子电路领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种极为重要的电子元件,其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到,在 V_gs(栅源电压)上升过程中并非 “一帆风顺”,会产生一个著名的 “台阶”,也就是 “米勒台阶” 或者 ...
超级结 MOSFET(SJ - MOSFET)是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时,易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 AC - DC 电源、PFC、LLC、反激式转换器以及各种工业电源中,超级结 MOSFET 对于同时实...
功率 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中,相较于功率双极结晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有显著优势。在高频环境下,功率 MOSFET 能够...
在提高 SiC 功率器件性能方面,器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能,该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。 然而,目前市场上商用 p 型 4H - SiC 衬底具有相对较高的电...
功率 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中,它展现出了显著的优势,相较于功率双极结晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)更为适用。这是因为功率 MOSFET ...
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