HY,其他
HY1906P
原厂封装
New
网络通信
增强型
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
后羿半导体科技有限公司,成立于2008年,公司以高新技术为,致力于电子元器件国产化的设计研发和生产。经过五年的不懈努力,现已成为从事中高压大功率场效应管(MOSFET)及电源管理IC...
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2N7002-T1
Vishay (威世)
TO-236
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
2N7002-T1介绍: 描述 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 制造商标准提前期 33 周 详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSF...
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BSS84LT1G
ON(安森美)
SOT-23
普通型
贴片式
卷带编带包装
深圳市世纪成达电子科技有限公司主要代理,先科ST,乐山LRC,江苏长电。强势分销 ON(安森美)、BSS84LT1GNXP(恩智浦)、ROHM(罗姆)、RENESAS(瑞萨)TOREXSFI(特瑞仕)SFI(压敏)T...
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TC4424AVOA713
MICROCHIP
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
富昌源电子(深圳)有限公司是亚太地区的电子元器件混合型分销商。经营各类主动元件( IC集成电路,存储芯片,二、三极管等)和被动元件(电容,电阻,电感等)及机电元件(连接器,开关器...
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IRF1010EZSTRL
INFINEON(英飞凌)
TO-263
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片规格: Infineon供应IRF1010EZSTRL半导体分立半导体晶体管MOSFET原厂原装芯片的特征: 先进的工...
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IPA60R099P6
INFINEON(英飞凌)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
单件包装
类型 描述 选择 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ P6 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET...
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SI2305
CJ/长电
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...
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MEK600-04DA
艾赛斯
标准封装
无铅环保型
螺丝型
盒带编带包装
中功率
苏州新杰邦电子技术有限公司: 代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的...
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DMP2104V-7
DIODES/美台
SOT-563
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
DMP2104V-7,DMP2104V-7产品属性介绍:产品型号 DMP2104V-7类别 分立半导体产品晶体管 FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101包装 卷带(TR)...
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SQJ850EP-T1-GE3
VISHAY/威世
PPAK SO-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
符合 ROHS3 规范
SQJ850EP-T1-GE3品牌:VISHAY/威世产品属性: 类别:分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商:Vishay Siliconix 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET 包装:卷带(TR)...
电话:82545275
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英飞凌InfineonIRF640NSTRLPBF
INFINEON(英飞凌)
D2PAK
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
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IPB072N15N3G
INFINEON(英飞凌)
TO-263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
原装场效应管IPB072N15N3G产品信息 深圳驰源科技长期供应原装场效应管IPB072N15N3G <img style="max-width:700px;" src="http://file3.dzsc.com/product/20/06/03/...
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IXFN80N50Q2
IXYS/艾赛斯
树脂封装
普通型
直插式
散装
大功率
IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...
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手机:18602223500
1MI100H-025
FUJITSU(富士通)
MODULE
普通型
直插式
散装
中功率
产品信息(PRODUCT INFORMATION): 品牌(BRAND):富士(FUJI) 原产地(Place of Origin):日本 规格(STANDARD):100A/250V/MOS/1U ,详见pdf资料。 货品状况:全新 (100% NEW) 质保(...
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BSS169 H6327XTSA1
INFINEON(英飞凌)
SOT23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
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2SK2504
ROHM(罗姆)
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
2SK2504 TO-252贴片 K2504 MOS场效应管 晶康业电子商行 本公司主要经营石英晶振,电源模块,IC集成电路,场效应管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、贴片电阻电容,BOM配单服务。 产...
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NP2302DHR
南麟
ESOT-23-3L
普通型
贴片式
卷带编带包装
小功率
深圳市恒佳盛电子有限公司成立于2004年08月01日,一直专注于电源IC、MOS、方案开发、单片机是一家集代理、配套和技术方案为一体的综合型企业。 原厂授权代理的品牌有:微盟、富满、南...
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SI2301,SI2302,SI2305,AO3400,AO3401
TOREX,INFINEON,英飞凌,VISHAY
直插,贴片
无铅环保型
直插,贴片
盒带编带包装
深圳原装现货,型号齐全,欢迎来电咨询!!!
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CRMM6901
CRMICRO华润微
TO-252-4L
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
产品详情: Tstg 存储温度范围:-55~150℃ Ifm 二极管脉冲正向电流(TC=25℃): -76A If 二极管直流正向电流 (TC=100℃) :-19.1A Pd 耗散功率 @TC=25℃:17.5W Vges 栅极直流电压:...
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2N7002K-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
2N7002K-T1-GE3<p style="margin-top: 0px; margin-bottom: 0px; p...
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Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3(SOT8015)和 DFN1412-6(SOT1268)封装中,并配备侧面可润湿侧面,可用于自动光学检查。 该公司表示:“1.1 x 1mm DFN1110D-3 封装已得到越来越广泛的采用,并迅速成为汽车应用小信号 MOSFET 和双...
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分,其资质不如其工业级 Optimos 设备。 该公司表示:“新型功率场效应晶体管旨在满足大众市场应用的需求——开关电...
半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前,3种封装10种型号的新产品...
Nexperia今日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化,可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种...
日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和...
氧化物/SiC界面会在关键器件参数(如阈值电压(V)上产生较大的偏移第)、导通状态电阻 (RDS(开)),并且早期生存期失败。栅极氧化层处理(包括氮化)的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素,以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。 如图 1 所示,首先要考虑的一点是,P 柱从基区延伸,在漂移区...
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此,我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值,然后执行直流扫描模拟,其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。 LTspice NMOS 示意...
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。 近年来,随着应对全球变暖带来的法规限制强化,环保汽车快速普及,这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合,可作为理想二极管使用,为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外,与两个Nch-MOSFET组合,还可作为双向导通的半导体继电器使用,与传统的机械式继电器相...