CEU12N10L
CET台湾华瑞
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
CEM9288CEM2108E(ESD)CEM2182(ESD)CEM9088CEM2152CEM2192CEM8208(ESD)CEM9926A CEM3032 CEM8809 CEM3060 CEM4892CEM3100CEM3120CEM3128CEM3172CEM3178CEM3252CEM3258CEM3254CEM3252LC...
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BSC030N03LSG
INFINEON(英飞凌)
TDSON8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
北京懿芯雅创电子科技有限公司是一家芯片供应商,以销售原装集成电路为主,我们经销的品牌,如:ADI、NXP、WINBOND、MICRON、ST、TI、ON、SILICON等,也代理了经销国产品牌,如GD、裕...
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IRFR7446TRPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-252
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
小功率
±20V
供应IRFR7446TRPBF场效应管 原装现货 供应商介绍 深圳市昱创芯城电子有限公司(简称“昱创芯诚”)成立于2020年,是一家以代理、海外渠道、原厂授权分销、现货库存模式共存的集成芯片...
电话:0755-23300413
手机:17674927546
CS4N65FA9L
华 晶
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
CS4N65FA9L 力多盛/华晶MOS管强势推广 深圳市力多盛电子科技有限公司成立于2007年,是一家从事LED驱动方案的系统供应商,目前是昂宝电子LED产品线的代理商,同时也有着自己的技术和方...
电话:
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NCEP078N10G
NCE新洁能
DFN8-5x6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
电话:18565379256
手机:18565379256
STW58N60DM2AG
ST(意法半导体)
TO-247-3
无铅环保型
直插式
散装
超大功率
深圳市华美智芯科技有限公司,一站式元器件现货分销商,致力于解决中小规模企业的需求;主营集成电路ic,各种主动、被动器件,主营品牌有MARVELL、TI、ST、NXP、ADI、ALTERA、XILINX...
电话:0755-82733656
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BS250
DIODES
TO-92
无铅环保型
直插式
散装
45V
230mA(Ta)
FET 类型P 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)45V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)230mA(Ta)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)...
电话:0755-82545498
手机:13538016218
2SD1391
PANASONIC(松下)
TO-3P
普通型
直插式
散装
中功率
2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放开关 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V...
电话:0755-82533147
手机:13760331317
SPA11N80C3
INFINEON(英飞凌)
TO-220F
无铅环保型
直插式
管装
大功率
800V
深圳迈科斯微电子有限公司自2013年3月成立以来,一直致力于为客户提供包括电能表计量通讯、电力电源、充电器、适配器、LED照明电源等各种工业及消费类电子用的全套解决方案。并致力于...
电话:18665379396
手机:18665379396
NCE65N330F
NCE新洁能
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
大功率
本公司经营 NCE65N330F 原装MOS管品牌:NCE POWER封装:TO-220F,11A,650V(详见附件PDF资料:NCE65N330F产品规格书)飞虹原装/现货,质量可靠,价格可观,欢迎咨询联系人:sallyQQ...
电话:0755-29768350
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H5N3011,5N3011
RENESAS
TO-3P
普通型
直插式
散装
供应300V,88A N-CH MOS管5N3011
电话:13686868407
手机:13686868407
2N3773
ST
TO-3
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
供应全新原装ST场效应管,需要请联系深圳金正方圆科技有限公司,刘先生, 直线:
电话:0755-82883405
手机:15920036096
STP75NF75 P75NF75
ST
ZIP
无铅*型
ZIP
盒带编带包装
汕头北士电子有限公司 经过多年奋斗, 资金人才与管理经验的日积月累! 使我们在库 存,货源,价格上, 在同行中有明显的优势, 也因此让我们的客户群体不断扩大。 衷心欢迎与新老客...
电话:0755-28968186
手机:18926458186
HY(后羿)
HY1707P
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
:周 联系:26796工作 我司长期大量供应电源IC(AC-DC/DC-DC)和高低压MOS管,芯片100%原装进口,大规模上市公司封装,欢迎您来电垂询! HY1001P/HY1707P和HY1708是我公司用于替换75N...
电话:0755-33121735
手机:13590370696
全系列
FNK
全系列
无铅*型
直插式
卷带编带包装
乾野电子成功的*是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际的8"芯片*厂、封装与测试*厂的紧密合作,通过*产品在生产和测试过程中的质量控制,*大批量生产中...
电话:0-0
TO-220
TIP41C
FAIRCHILD/仙童
功率
三极管 TIP41C 晶体管 NPN TO-220国产全新货需要产品PDF参考资料文档请向客服索取本店实惠的价格,繁多的品种为你带来采购上的方便,为您提供一站式的配套服务,节约时间,节省资金! 诚信为本!!!全店提供的所有产品质量保证,决不销售假货,与客户实现共赢!,...
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SIHG47N60S-E3
VISHAY
TO-247
无铅*型
直插式
单件包装
*功率
**原装,*十,长期备有现货,有需要请联系我们,深圳市恒顺兴业科技有限公司 周生
电话:0755-83254771
FDC658AP
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-163
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
小功率
P沟道 BVDSS=-30V, ID= -4A, RD(ON)=50mΩ 有现货库存, 可以大批量订货。
电话:0755-26435009
手机:13510107178
电话:0755-83010983
IRF830B
FSC
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
电话:0755-82565251
手机:13632577464
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”,进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅(SiC)MOSFET芯片,漏源电...
中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司(以下简称:麦米电气)宣布,将在其5.5 kW人工智能(AI)服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)最新推出的CoolMOS 8超...
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品,通过采用将散热面置于封装顶部的结构,实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的...
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。 随着AI处理需求持续扩大,数据中...
ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求,在现有封装基础上,新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 ...
在电子电路领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种极为重要的电子元件,其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到,在 V_gs(栅源电压)上升过程中并非 “一帆风顺”,会产生一个著名的 “台阶”,也就是 “米勒台阶” 或者 ...
超级结 MOSFET(SJ - MOSFET)是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时,易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 AC - DC 电源、PFC、LLC、反激式转换器以及各种工业电源中,超级结 MOSFET 对于同时实...
功率 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中,相较于功率双极结晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有显著优势。在高频环境下,功率 MOSFET 能够...
在提高 SiC 功率器件性能方面,器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能,该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。 然而,目前市场上商用 p 型 4H - SiC 衬底具有相对较高的电...
功率 MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中,它展现出了显著的优势,相较于功率双极结晶体管(BJT)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)更为适用。这是因为功率 MOSFET ...
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