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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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场效应管FDV301N三*管
场效应管FDV301N三*管
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FDV301N

  • 营销方式：

    现货

  • 产品单价：

    0.30

  • 封装形式：

    sot23

  • 结构：

    外延型

  • 发货期限：

    1

  • 封装材料：

    塑料封装

FDN336 FDN301 SI2300 SI2301 AO3400 AO3401 AO3403 ...大量现货 商务QQ"

  • 杨翠苑
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-83014476

KF3010 N沟道MOS管替代AO3400
KF3010 N沟道MOS管替代AO3400

    KF3010系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。KF3010适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。特点:● 30V/5.8A● RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A● RDS(ON) =28m&am...

    大量现货拆机场效应管75NF75
    大量现货拆机场效应管75NF75
    • 品牌/商标：

      ST/意法

    • 型号/规格：

      75NF75

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 导电方式：

      增强型

    位于中国·浙江·余姚东海之滨、杭州湾南岸，地理环境*，交通便利，紧靠沪、杭、甬*公路，毗邻筹建中的杭州湾跨海大桥。经销国产及世界各品牌（FSC、HI...

    三*管场效应W9*90,W9N80
    三*管场效应W9*90,W9N80
    • 型号/规格：

      W9*90,9*80

    • 品牌/商标：

      ST

    • 封装形式：

      TO-*

    • *类别：

      普通型

    • 安装方式：

      直插式

    • 包装方式：

      散装

    • 功率特性：

      大功率

    • 频率特性：

      高频

    利兴电子主营三*管`TO*`电源配套`肖特`高压`快速‘三端‘。220通讯；IR.*童.ST.东芝.NEC.富士通.日立.ON,POWER.英飞凌.APT.飞利浦.IXYS.三肯.三洋.三凌等品牌

    • 庄汗立（个体经营）
    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：经销商
    • 地区:广东汕头

      • 电话：0754-84482854

      手机：13924761103

    MJE340G/MJE350G *原装ON品牌现货热卖
    MJE340G/MJE350G *原装ON品牌现货热卖
    • 品牌/商标：

      ON/安森美

    • 型号/规格：

      MJE340G

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 产品性质：

      *

    • 处理信号：

      数模混合信号

    • 封装：

      TO-225 TO126

    数据列表MJE340产品相片TO-225AA Pk*品目录绘图TO-225, TO-225AA Pkg标准包装500类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电* (Ic)（）500mA电压 - 集...

    S60S* S60SC6
    S60S* S60SC6
    • 品牌/商标：

      SHINDENGEN/新电元

    • 型号/规格：

      S60SC6MT

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      电工 电气

    • 夹断电压：

      60（V）

    Sub CategorySchottky Barrier DiodesPartNumber (DataTable)S60SC6MTStatusNewVRM(V)60IO(A)60.00ConditionsTa (Cel) ConditionsTc (Cel)121IFSM(A)470Tstg (Cel)-55 to +150Tj (Cel...

    8205MOS管
    8205MOS管
    • 型号/规格：

      8205

    • 品牌/商标：

      国产

    • 封装形式：

      SOT23-6

    • *类别：

      无铅*型

    • 安装方式：

      贴片式

    • 包装方式：

      卷带编带包装

    • 功率特征：

      小功率

    适用于手机电池,MP3,MP4保护板.

    IRF830 TO-220 IR 原装 现货*
    IRF830 TO-220 IR 原装 现货*
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRF830

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      A/宽频带放大

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    品名：MOS管型号：IRF830规格 :TO-220品牌：IR温馨提示： 1.请勿直接拍下并付款。 2.电子元件是型的产品，技术含量较高，其本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，可能导致参数与性能...

    场效应管 6N60 TO-220 全华晶MOS管 BDB * 价格*平
    场效应管 6N60 TO-220 全华晶MOS管 BDB * 价格*平
    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 型号/规格：

      6N60

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    • 用途：

      MOS-TPBM/三相桥

    • 品牌/商标：

      华晶

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式：

      增强型

    深圳市永而佳电子实业有限公司，主要从事半导体器件的开发，生产，经营．目前生产经营有直插式和贴片式：整流二*管，快恢复二*管，*快恢复二*管，肖特基二*管，开关二*管，双向触发二...

    经销 场效应管mos mos管8025 场效应管批发
    经销 场效应管mos mos管8025 场效应管批发
    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 型号/规格：

      mos管8025

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    • 用途：

      MOS-ARR/陈列组件

    • 品牌/商标：

      泽胜

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式：

      增强型

    场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9&Omeg...

    AO3400 N沟道MOS管 SOT-23 现货
    AO3400 N沟道MOS管 SOT-23 现货
    • 品牌/商标：

      Alpha/阿尔法

    • 型号/规格：

      AO3400

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      DC/直流

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    东泰诚电子经营各种集成电路IC,二三*管...AO3400 MOSFET : N-Channel product SOT-23 欢迎查询订购....

    IRF3205 原装*深圳宝诺威代理商
    IRF3205 原装*深圳宝诺威代理商
    • 品牌：

      IR/国际整流器

    • 型号：

      IRF3205

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      L/功率放大

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    长期大量供应原装*场效应管IRF1010E，IRF1404，IRF1405，IRF5305，IRF2807，IRF3205，IRF3710，IRF4905，IRF5210，IRF530，IRF530N，IRF540N，IRF630N，IRF640N，IRF730，IRF740，IRF...

    现货IRF9530N场效应管
    现货IRF9530N场效应管
    • 批号：

      10

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 类型：

      其他IC

    • 型号/规格：

      IRF9530N

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 用途：

      L/功率放大

    本商行一贯坚持以客户为中心的服务理念，坚持诚信于正直的经营作风，向用户提供优质的产品和优质服务，客户满意是我们追求的目标；赛发电子商行*是你*可信赖的合作伙伴！！！地址： ...

    原装STP60NF060
    原装STP60NF060
    • 品牌/商标：

      ST/意法

    • 型号/规格：

      STP60NF06

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    宁波海曙玖龙电子有限公司成立于2004年,公司代理分销国内外电子元器件。玖龙电子所提供的元器件用途广泛涉及汽车电子、工控、通信、电源、仪器仪表、计算机周边以及消费类电子等。玖...

    FQPF2N60C /TO-220F优势产品现货欢迎惠顾
    FQPF2N60C /TO-220F优势产品现货欢迎惠顾
    • 品牌：

      *童

    • 型号：

      FQPF2N60C /TO-220F

    品牌/商标 *童 型号/规格 FQPF2N60C /TO-220F 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 环融电子半导体主要生产销售：SOT-23，TO-92，T0-92L，T0-126，TO-220，TO-252 封装三*管，*是在8000系列，9000系列，13000系列等型号，在国内具有价格优势和质量保障。同时提供配套整流二*管，1/2W，1W稳压管,...

    场效应TO-220F-2N60
    场效应TO-220F-2N60
    • 品牌/商标：

      国产

    • 型号/规格：

      2N60

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    我司主要经营优势产品二三*管IC更多详情请致电黄先生传真办公 - 251SOT-323TO-92STO-92TO-92LTO-126TO-126FTO-220TO-220F"

    场效应管WFF630
    场效应管WFF630
    • 品牌/商标：

      Wisdom

    • 型号/规格：

      WFF630

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    韩国*产品现货、质量稳定、价格合理现货长期供应*场效应管场效应管WFF630 TO-220F质量*.*有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电WFF630 TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用...

    • 蒋德平
    • 供应商等级： 免费会员
    • 企业类型：生产加工
    • 地区:广东深圳

      • 电话：0755-89516539

    中高压MOSFET
    中高压MOSFET

      品牌:比亚迪 型号:1N60—12N60功率MOS管 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:M*金属半导体 开启电压:1~4（V） *间电容:800（pF） 比亚迪微电子有限公司面向广在客户提供各类功率MOS管，主要有以下系列： 中压：0660SNM，75NF75,1060SN...

      MOSFET管RD06HHF1(图)
      MOSFET管RD06HHF1(图)

        型号:RD06HHF1MOSFET管RD06HHF1

        AP2302 N沟道MOSFET管
        AP2302 N沟道MOSFET管

          品牌:APT美国*功率 型号:AP2302 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 AP2302 N沟道 增强型MOSFET VDS:20V ID:2.6A

          MOSFET行业资讯

          • Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用[2025-07-24]

            全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

          • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

            基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

          • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

            在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

          • CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级[2025-07-02]

            德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

          • Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆[2025-06-24]

            全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

          什么是MOSFET?

          • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

          • 目录

            MOSFET

          MOSFET技术资料

          • mosfet管导通条件[2025-07-22]

            MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

          • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

            在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

          • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

            在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

          • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

            在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

          • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

            在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

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