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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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原装 东芝 MOS管 2SK3569
原装 东芝 MOS管 2SK3569
  • 型号/规格：

    2SK3569

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

地址：福田区新闻路侨福大厦6G .ATTN:彭:/-- FAX: 供应原装*现货光耦系列： TOSHIBA TLP250 光耦 DIP8 TOSHIBA TLP350 光耦 DIP8 TOSHIBA TLP559 光耦 DIP8 TOSHIBA TLP3023 光耦 DIP...

原装现货SVF10N65F TO-220F塑封封装
原装现货SVF10N65F TO-220F塑封封装
  • 品牌/商标：

    SILAN

  • 型号/规格：

    SVF10N65F

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

原装现货SVF10N65F,TO-220F塑封该产品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动 *说明： 1、本公司所出售商品*原装*品，包客诉。 2、公司可开具17%增值税**，税...

IRF640S场效应管(图)
IRF640S场效应管(图)
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF640S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 材料：

    贴片

IRF640S贴片场效应管 广州市树坤电子有限公司是一家专营各种彩电高压包，电源适配器，逆变器，汽车功放机，高频头，管座，遥控器等家用电子*配件的外贸经销商和*售商。公司本着&a...

东芝MOSFET 2SK2611 原装
东芝MOSFET 2SK2611 原装
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK2611

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    NF/音频(低频)

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

部件型号2SK2611 *性N沟 漏源电压VDSS900 V 漏电流ID9 A 漏功耗PD150 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)58 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.4 Ω 封装TO-*(N) 产品分类功率MOS...

品牌INFINEON型号BSP752R场效应管MOSFET
品牌INFINEON型号BSP752R场效应管MOSFET
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    BSP752R

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

《深圳泰利科科技有限公司》 代理美国AOS品牌，SAMSUNG品牌，HYNIX品牌，*原装， 以下的型号大量库存. MOS.二三*管 深圳公司地址：《深圳市宝安区龙华上塘电站路18号2楼》 香港公司地...

上海长期MOS管IR产品IRF540NPBF*IRF50N现货库存IRF50NPBF
上海长期MOS管IR产品IRF540NPBF*IRF50N现货库存IRF50NPBF
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF540NPBF

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

*原装无铅,现货供应IRF540NPBF IRF9Z34NPBF 30K 07年*原装无铅现货!欢迎您来电咨询 我们将以的销售理念为您服务 您的选择上海慧鲲电子有限公司 ： "

FGA25N120ATDTU/FGA15N120ANTDTU场效应管IGBT开关三*管
FGA25N120ATDTU/FGA15N120ANTDTU场效应管IGBT开关三*管
  • 品牌：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号：

    FGA15N120/25N120

品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FGA15N120/25N120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 标准（V） 夹断电压 标准（V） 跨导 标准（μS） *间电容 标准（pF） 低频噪声系数 标准（dB） 漏*电流 标准（mA） 耗散功率 标准...

*IR2104，IR2104S原装热卖中(图)
*IR2104，IR2104S原装热卖中(图)
  • 品牌/商标：

    IR*原装

  • 型号/规格：

    IR2104，IR2104S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

本公司以诚信为本 *IR2104，IR2104S*原装 价格优势深圳泰安强电子，陈 //欢迎咨询订购 谢谢

7NV04大量现货库存，原厂渠道，*出售
7NV04大量现货库存，原厂渠道，*出售
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    7NV04

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 击穿电压VCBO：

    0

  • 集电*允许电流ICM：

    0

  • 截止频率fT：

    0

DatasheetsVNx7NV04(-1)Product PhotosSOT-223Standard Package1,000CategoryIntegrated Circuits (ICs)FamilyPMIC - MOSFET, Bridge Drivers - Internal SwitchSeriesOMNIFET II&...

IR MOS场效应管 IR2011PBF IR2103STR IR2104STRPBF
IR MOS场效应管 IR2011PBF IR2103STR IR2104STRPBF
  • 是否提供加工定制：

    否

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IR2011PBF IR2103STR IR2104STRPBF

  • 应用范围：

    电机

  • 整流元件：

    三*管

  • 功率特性：

    大功率

  • 频率特性：

    高频

  • 交流输入电压：

    1（V）

优势品牌热卖：IR（国际整流器），VISHAY（威世），ST（意法半导体），ON（安森美半导体）。热卖场效应管系列：IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF95...

HT1621B/HT1628系列 场效应管
HT1621B/HT1628系列 场效应管
  • 是否提供加工定制：

    否

  • 品牌/商标：

    Hitachi/日立

  • 型号/规格：

    HT1628

  • 封装：

    SSOP

  • 批号：

    NEW

  • 类型：

    其他IC

HT1621，HT1628系列驱动IC 此系列我司原装现货，现正**中······主营：家电IC,音响IC，...

场效应管MDF4N60
场效应管MDF4N60
  • 型号/规格：

    MDF4N60

  • 品牌/商标：

    美格纳（Magnachip）

  • 封装形式：

    TO-220F

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

MDF4N60 TO-220F封装 VDS：600V ID:4.6A RDS(ON):2Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...

12N06 MOS管 可开增值*
12N06 MOS管 可开增值*
  • 品牌/商标：

    ON/安森美

  • 型号/规格：

    12N06

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DUAL/配对管

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

1.贴片LED,大功率LED,0603,0805,1206,1210,5050及3020等*规格,品质优良,供货稳定,价格实惠2.*供应1N4001-4007 1N5391-5399 RL201-RL2071N5404-5408 6A01-6A10 10A01-10A10 1N5819~1N5...

原装2SK3878可以代替2SK2611
原装2SK3878可以代替2SK2611
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    2SK3878,2SK2611

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

2SK3878:TOS 10+无铅 原装现货!2SK2611:TOS 10+无铅 原装现货!"

双N-MOS管KF9926兼容APM9926 AO9926
双N-MOS管KF9926兼容APM9926 AO9926
  • 品牌/商标：

    KF

  • 型号/规格：

    KF9926

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

KF9926 性能*，可*替换多家知名品牌物料。 专替代各款9926的 KF9926( 20V 28mΩ 6A ) , 3K盘装场效应管供应 KF9926 (3K盘装)，可替代市面上各类型9926：APM9926、CEM992...

GC8958 N+P复合效应管
GC8958 N+P复合效应管
  • 品牌/商标：

    HXW

  • 型号/规格：

    GC8958

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

东莞市宏芯微电子有限公司金平 先生 (业务经理经理)地址：中国 广东 东莞市 塘厦镇石鼓村英才路45号邮编：523711传真： 试用电子传真：+86-769 公司主页：http://www.king200588.cn.a...

AP9972GP APEC MOSFET管
AP9972GP APEC MOSFET管

    品牌:. 型号:AP9972GP 批号:08+ 封装:T0-220◆◆◆◆◆◆，如*百，*现货，可申请样品◆◆◆◆◆◆

    Fairchild*童MOS管FQPF12N60T
    Fairchild*童MOS管FQPF12N60T
    • 品牌：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号：

      FQPF12N60T

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      CC/恒流

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    深圳市益丰德科技有限公司位于深圳市福田区，是一家多年从事半导体器件代理、经销和推广的公司。公司依托良好的海外渠道，在半导体行业经营多年，具有良好的资源优势。 目前主要经营...

    拆机7N60场效应管 韩国
    拆机7N60场效应管 韩国

      品牌:KOR韩国电子 型号:7n60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:80（V） 低频跨导:50（μS） *间电容:600（pF） 低频噪声系数:10（dB） 漏*电流:30（mA）质量OK，价格便宜

      • 姚祥亮
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：生产加工
      • 地区:广东深圳

        • 电话：0755-29888613

      原装*无铅IR场效应管，IRLZ24NPBF,IRLZ24N.TO-220
      原装*无铅IR场效应管，IRLZ24NPBF,IRLZ24N.TO-220
      • 品牌/商标：

        IR/国际整流器

      • 型号/规格：

        IRLZ24NPBF

      • 种类：

        *缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型：

        N沟道

      • 导电方式：

        增强型

      • 用途：

        SW-REG/开关电源

      • 封装外形：

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料：

        N-FET硅N沟道

      本公司大量供应原装*无铅IR场效应管，型号：IRLZ24NPBF,封装：TO-220.数量：50000PCS*原装*无铅11年墨西哥产地，欢迎来电咨询洽谈++++系列场效应管（MOSFET）：IRF1010E，IRF1404，IR...

      MOSFET行业资讯

      • Toshiba-东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性[2026-09-28]

        东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电...

      • Infineon-麦米电气采用英飞凌CoolMOS 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器[2026-07-27]

        中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）最新推出的CoolMOS 8超...

      • ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET[2026-07-13]

        ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的...

      • 东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率[2026-07-01]

        东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。　　随着AI处理需求持续扩大，数据中...

      • ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品[2026-06-17]

        ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 ...

      什么是MOSFET?

      • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

      • 目录

        MOSFET

      MOSFET技术资料

      • MOSFET 从截止到导通[2026-08-28]

        在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个著名的 “台阶”，也就是 “米勒台阶” 或者 ...

      • 深度剖析超级结 MOSFET 的结构、特性与选型要点[2026-08-25]

        超级结 MOSFET（SJ - MOSFET）是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时，易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 AC - DC 电源、PFC、LLC、反激式转换器以及各种工业电源中，超级结 MOSFET 对于同时实...

      • 功率 MOSFET 的特点、类别及应用[2026-07-30]

        功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有显著优势。在高频环境下，功率 MOSFET 能够...

      • 深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术[2026-07-28]

        在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。　　然而，目前市场上商用 p 型 4H - SiC 衬底具有相对较高的电...

      • N沟道增强型功率MOSFET垂直 DMOS 结构[2026-07-27]

        功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中，它展现出了显著的优势，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）更为适用。这是因为功率 MOSFET ...

      黄金展位供应商

      • 电话：13928786606
        苏州固锝电子股份有限公司
        QQ:2355278032QQ:389939789

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