KF3010系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。KF3010适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点:
● 30V/5.8A
● RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A
● RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4.5V, ID=5A
● RDS(ON) =37mΩ@ VGS=2.5V, ID=4A
● *密度单元、*小的RDS(ON))
● *小封装:SOT23
应用:
● 电池电源管理
● *开关
● 低功率DC/DC转换
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