GMN1003LM
固锝GOOD-ARK
PDFN5060
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
N沟道30V(D-S)功率MOSFET型号:GMN1003LM品牌:GOOD-ARK封装:PDFN5060100%雪崩测试极低损耗,FOM Rdson*Qg低无卤素、无铅符合RoHS标准应用:直流电机、灯具电源切换jue对zui大额定...
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AO4447A
AOS
SOP8
无铅环保型
贴片式
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5298
AO4447A 分立半导体 晶体管 属性:FET 类型 P 通道技术 MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Ta)驱动电压(Rds On,Rds On):4V,1...
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NTD15N06LT4G
JGSEMI/台湾金锆
TO-252
无铅环保型
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深圳中元伟业经营世界厂家,MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...
电话:0755-82567073
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CRSS052N08N
华润微
TO-263
无铅环保型
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大功率
现货
深圳市鼎运世纪科技有限公司成立于2018年,代理分销MOS管、LED发光管、集成IC芯片、晶振、电容,电阻,电感等全系列电子元器件。是一家拥有一流产品、优质服务、完整技术支持的电子企...
电话:0755-83253646
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BSC028N06NS
INFINEON(英飞凌)
TDSON-8
无铅环保型
贴片式
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大功率
-连续漏极电流:100 A
产品种类: MOSFET REACH - SVHC: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流...
电话:0755-83245423
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FDN306P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-3
无铅环保型
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迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管,电阻电容,拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...
电话:0755-82546293
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SI7113DN-T1-GE3
VISHAY
QFN8
无铅环保型
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产品参数 SI7113DN-T1-GE3 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿...
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SC8205A
FM富满微
TSSOP-8
无铅环保型
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小功率
FM/富满微 SC8205A TSSOP-8 20V N沟道增强型MOS场效应管 深圳市科瑞芯电子供应中!欢迎致电咨询!深圳快速发货!</st...
电话:0755-21001680
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IRF3007S
国际品牌
SMD/DIP
无铅环保型
SMD/DIP
单件包装
大功率
IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际知名的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...
电话:0755-82542579
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BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司,是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展,公...
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AO3414 AO3480
万代
SOT-23-3L
普通型
贴片式
盒带编带包装
大功率
1.4W/MOSFET/N通道IC/ 1.4W/MOSFET/N通道IC 1.4W/MOSFET/N通道IC 1.4W/MOSFET/N通道IC4.4V高电压新型锂电池充电专用芯片耐压12V单节锂电充电芯片,5V输入充电电流可达1A, 带芯片温度...
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手机:13715286762
FDG361N
ON(安森美)
SC-70-6
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
产品描述: 场效应管(MOSFET)/FDG361N/SC-70-6/DIODES/ 全新原装现货品牌: onsemi(安森美)厂家型号: FDG361N封装: SC-70-6包装方式: 编带商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: ...
电话:075583047638
手机:19194421175
AO4815
AOS
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
超大功率
双P沟道 8A/30V MOS管场效应管 SOP8 <h1 data-spm="100...
电话:0755-83204556
手机:18138437999
NTB18N06LT4G
ON(安森美)
TO263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds O...
电话:0755-27381274
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BSS138NH6327
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
FAIRCHILD
SS
<div data-v-4e0cbf29="" class="name" style="-webkit-tap-highlight-color:rgba(0, 0, 0, 0);box-sizing:border-box;margin:0px;padding:0px 16px 0px...
电话:0755-83291010
手机:18823386223
FCPF1300N80Z
ON(安森美)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
因电子元器件涨幅较大,网站库存价格没办法实时更新,请联系客服,以当天报价为准。谢谢理解~ 品牌: ON/安森美 型号: FCPF1300N80Z 批号: 2050 封装: TO-220-3 数量: 3000 QQ: ...
电话:
手机:15626530901
IRFP3206PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC
无铅环保型
直插式
管装
超大功率
N 通道
产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A(Tc) 驱动电压( Rds On, 小 Rds On) 10V 不同 Id、Vgs...
电话:0755-83234840
手机:13530404658
MOS场效应管 CJ2301 原装长电
CJ长电
SOT-23
普通型
贴片式
卷带编带包装
封装:SOT-23集射极击穿电压(VCEO):标准晶体管类型:贴片三极管集电极电流(IC(max)):标准电流放大系数(hFE):标准截止频率(ft):标准耗散功率(Pd(max)):标准集电极-发射极饱和电压...
电话:0755-23606934
手机:15323426770
PT7A7514WEX-2017
美台DIODES宏芯光
SIOC8
普通型
直插式
盒带编带包装
大功率
型号 LTR-553ALS-WA LTR-308ALS-01 LTR-507ALS-01 LTR-329ALS-01 LTL-4231N LTE-2872U LTR-536AD LTST-C155KGJRKT LTR-559ALS LTV-354T-B2 LTST-C193TBKT-5A LTST-C195KGJSKT LTW-C19...
电话:0755-82529791
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IRF3205ZPBF
IR
TO-220
普通型
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中功率
深圳市河锋鑫科技有限公司是一家的电子元器件代理经销商,营业范围主要包括代理电子元器件的市场推广、产品研发、技术支援以及销售业务,总部位于亚洲电子元器件集散地的深圳华强北中...
电话:0755-23903154
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这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前,威世科技Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120,其...
新型X4级器件在简化热设计,提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特,Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推...
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列,旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装,产品组合覆盖在25°C...
三菱电机集团于今日(2026年1月14日)宣布,将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片(未封装在封装材料中的芯片),该芯片专为电动汽车(EV)主驱逆变器2,车载充电器3以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计。这些新型...
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势,同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中,提供卓越的功率密度和系统效率,主要面向人工智能服务器电源、开关电...
MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来,最初采用金属外壳的TO(Transistor Outline)封装,如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架,通过环氧树脂密封,具备机械强度高、散热性能稳定的特点,能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET封装。 一、早期金...
功率 MOSFET 恐怕是工程师们最常用的器件之一了。然而,关于 MOSFET 的器件选型要考虑方方面面的因素,小到选 N 型还是 P 型、封装类型,大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等。不同的应用需求千变万化,下面将详细总结 MOSFET 器件选型的三大核心法则,相信看完会...
在现代电子电路设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)凭借其卓越的性能和广泛的应用,成为了不可或缺的关键器件。然而,MOSFET 中的噪声问题却对电路的性能和稳定性产生着重要影响,尤其在无线通信等对噪声要求极为严格的领域。因此,深入...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的导通条件取决于其类型(N沟道或P沟道)和工作模式(增强型或耗尽型)。以下是详细分析:1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET(NMOS)增强型(常闭型):栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth(正电压)。漏源电压 VDSVD...
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下,全球范围内从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者,电动汽车必须具备足够的续航里程,支持快速充电,同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中,...
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