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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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固锝N沟道增强型功率场效应晶体管
固锝N沟道增强型功率场效应晶体管
  • 型号/规格：

    GMN02103LK

  • 品牌/商标：

    GOOD-ARK

  • 封装形式：

    PDFN3333

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

GMN02103LK是苏州固锝电子推出的一款N沟道增强型功率场效应晶体管（N-ChannelPowerMOSFET），采用30V漏源耐压设计，连续漏极电流高达108A（TC=25°C），脉冲电流可达434A，封...

XBLW/芯伯乐 50P06D TO-252 MOS管
XBLW/芯伯乐 50P06D TO-252 MOS管
  • 型号/规格：

    50P06D

  • 品牌/商标：

    XBLW/芯伯乐

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销，致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳，由一批具有海内外企业...

IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3
IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3
  • 型号/规格：

    IPDH4N03LA-G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    SMD

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...

NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
  • 型号/规格：

    NTB18N06LT4G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds O...

诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
  • 型号/规格：

    IXFN80N50Q2

  • 品牌/商标：

    IXYS/艾赛斯

  • 封装形式：

    树脂封装

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    大功率

IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...

AOTF4S60采购 AOTF4S60商
AOTF4S60采购 AOTF4S60商
  • 型号/规格：

    AOTF4S60

  • 品牌/商标：

    NA

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应！ 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处，专注于...

SWIRE 场效应管 SI2309 SOT-23 低压MOS管
SWIRE 场效应管 SI2309 SOT-23 低压MOS管
  • 型号/规格：

    SI2309

  • 品牌/商标：

    SWIRE

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 批号：

    23+

型号：SI2309 封装：SOT-23 品牌：SWIRE 类型：低压MOS管/低压MOS管/低压MOS管 <p...

NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管
NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管
  • 型号/规格：

    NTR4501NT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率：

    1.25W

NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管 场效应管 场效应管<span style="font-size: 16px; co...

贴片MOS场效应管MMBT7002K
贴片MOS场效应管MMBT7002K
  • 型号/规格：

    MMBT7002K

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市明昇电子有限公司 本公司秉承“以质为本，以诚取信”为宗旨，深得广大客户、厂商的信赖。 主营：先科ST 全系列二三极管 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOT-23 LL-34 LL-41 DO-35 DO-...

IPW60R037CSFD进口原装现货
IPW60R037CSFD进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPW60R037CSFD

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货，尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...

RSM002N06T2L ROHM VMT3
RSM002N06T2L ROHM VMT3
  • 型号/规格：

    RSM002N06T2L

  • 品牌/商标：

    ROHM（罗姆）

  • 封装形式：

    VMT3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

RSM002N06T2L ROHM产品概述 产品特点 RSM002N06T2L ROHM是一款高效能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。其封装采用 VMT3（SOT-723）形式，适用于表面...

SC8205A 富满微20V N沟道增强型MOS管
SC8205A 富满微20V N沟道增强型MOS管
  • 型号/规格：

    SC8205A

  • 品牌/商标：

    FM富满微

  • 封装形式：

    TSSOP-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

FM/富满微 SC8205A TSSOP-8 20V N沟道增强型MOS场效应管 深圳市科瑞芯电子供应中！欢迎致电咨询！深圳快速发货！</st...

2N7002AQ-7 车规 N 沟道 MOSFET
2N7002AQ-7 车规 N 沟道 MOSFET
  • 型号/规格：

    2N7002AQ-7

  • 品牌/商标：

    DIODES

  • 封装形式：

    SOT-23-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

2N7002AQ-7 车规 N 沟道 MOSFET：一、2N7002AQ-7 车规 N 沟道 MOSFET电气参数参数数值测试条件漏源耐压 Vdss60Vzui大漏源电压连续漏极电流 Id220mATa=25℃栅源电压 Vgs±20V连续...

数字晶体管 MUN2213T1G
数字晶体管 MUN2213T1G
  • 型号/规格：

    MUN2213T1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SC-59

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    编带

深圳市东鸿鼎业科技有限公司，提供电子元器件一站式 BOM 配单与方案替代服务。我们能为你做：整合多品牌资源——把分散的物料需求集中到我们这里，一站式搞定；支持研发试产——打样...

PMV450ENEAR场效应管MOSFET/电源
PMV450ENEAR场效应管MOSFET/电源
  • 型号/规格：

    PMV450ENEAR

  • 品牌/商标：

    Nexperia(安世)

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品描述： 场效应管（MOSFET)/PMV450ENEAR/SOT23/NEXPERIA/ 全新原装现货描述： N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装在小型SOT23（TO-236AB）表面贴装塑料封装...

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A
  • 型号/规格：

    KU310N10D-RTF/H

  • 品牌/商标：

    KEC

  • 封装形式：

    DPAK(1)

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数： 品牌： KEC 型号：KU310N10D-RTF/H 封装：DPAK(1) 包装数:3000片/包 连续漏极电流（Id）（25&#176;C 时）:27A(Tc) 漏源...

FSC仙童 BS170 TO-92 场效应管
FSC仙童 BS170 TO-92 场效应管
  • 品牌：

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号：

    BS170

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CC/恒流

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 货号：

    1

深圳市波光电子有限公司，起源于1985年，正式成立于2002年，是一家国际品牌半导体代理分销公司，主要服务于中小型电子制造企业。我可提供一系列的元器件服务，包括现货供应，期货订货...

场效应管IRF3007S 全新现货
场效应管IRF3007S 全新现货
  • 型号/规格：

    IRF3007S

  • 品牌/商标：

    国际品牌

  • 封装形式：

    SMD/DIP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/DIP

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际知名的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...

MOSFET 晶体管 FDN306P
MOSFET 晶体管 FDN306P
  • 型号/规格：

    FDN306P

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管，电阻电容，拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...

SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
  • 型号/规格：

    SQJ469EP-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    威世

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

  • 单位：

    个

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-eff...

MOSFET行业资讯

  • Toshiba-东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性[2026-09-28]

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电...

  • Infineon-麦米电气采用英飞凌CoolMOS 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器[2026-07-27]

    中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）最新推出的CoolMOS 8超...

  • ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET[2026-07-13]

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  • 东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率[2026-07-01]

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。　　随着AI处理需求持续扩大，数据中...

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    ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 ...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • MOSFET 从截止到导通[2026-08-28]

    在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个著名的 “台阶”，也就是 “米勒台阶” 或者 ...

  • 深度剖析超级结 MOSFET 的结构、特性与选型要点[2026-08-25]

    超级结 MOSFET（SJ - MOSFET）是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时，易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 AC - DC 电源、PFC、LLC、反激式转换器以及各种工业电源中，超级结 MOSFET 对于同时实...

  • 功率 MOSFET 的特点、类别及应用[2026-07-30]

    功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有显著优势。在高频环境下，功率 MOSFET 能够...

  • 深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术[2026-07-28]

    在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。　　然而，目前市场上商用 p 型 4H - SiC 衬底具有相对较高的电...

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    功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中，它展现出了显著的优势，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）更为适用。这是因为功率 MOSFET ...

黄金展位供应商

  • 电话：13928786606
    苏州固锝电子股份有限公司
    QQ:2355278032QQ:389939789

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