IRLML6246TRPBF
IR
SOT-23
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF外盒: IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF包装: IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF盘标签: IR英飞凌原装MOS管IRLML6246TRPBF打字: 深圳市航科创电子...
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SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23(SOT-23-3)
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
深圳市芯巴巴科技有限公司是一家极具实力的集成电路代理分销商,分销:ST、TI、ON、ADI、NXP、MPS、ATMEL、MICROCHIP等品牌集成电路。广泛涵盖通信、家电、汽车、计算机、工业自动化...
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BSS138NH6327
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
FAIRCHILD
SS
<div data-v-4e0cbf29="" class="name" style="-webkit-tap-highlight-color:rgba(0, 0, 0, 0);box-sizing:border-box;margin:0px;padding:0px 16px 0px...
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7N60
UTC
TO
无铅环保型
直插式
单件包装
7N60 /8N60 /10N60 /12N60代理商 产品型号: 7N60品牌: UTC封装: TO包装: 原装电路名称: 功率MOS管本公司销售重点是为CCD、CMOS安防监控摄像机;汽车倒视;可视门铃;LED照明; HID氙气灯;...
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SI7113DN-T1-GE3
VISHAY
QFN8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
产品参数 SI7113DN-T1-GE3 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿...
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FCPF1300N80Z
ON(安森美)
TO-220-3
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
因电子元器件涨幅较大,网站库存价格没办法实时更新,请联系客服,以当天报价为准。谢谢理解~ 品牌: ON/安森美 型号: FCPF1300N80Z 批号: 2050 封装: TO-220-3 数量: 3000 QQ: ...
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MOS场效应管 CJ2301 原装长电
CJ长电
SOT-23
普通型
贴片式
卷带编带包装
封装:SOT-23集射极击穿电压(VCEO):标准晶体管类型:贴片三极管集电极电流(IC(max)):标准电流放大系数(hFE):标准截止频率(ft):标准耗散功率(Pd(max)):标准集电极-发射极饱和电压...
电话:0755-23606934
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2N7002-T1
Vishay (威世)
TO-236
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
2N7002-T1介绍: 描述 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 制造商标准提前期 33 周 详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSF...
电话:0755-88999344
手机:18026962705
DMP2104V-7
DIODES/美台
SOT-563
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
DMP2104V-7,DMP2104V-7产品属性介绍:产品型号 DMP2104V-7类别 分立半导体产品晶体管 FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101包装 卷带(TR)...
电话:0755-83299553
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IRF4905
IR
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
直插
描述: IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF4905采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF4905这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF4905成为...
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IRFP260NPBF
INFINEON(英飞凌)
TO-247AC-3
无铅环保型
直插式
管装
小功率
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)产品描述: 类别分立半导体产品晶体管FET,MOSFET单 FET,MOSFET制造商Infineon Technologies包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化...
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7N65
XY
TO-220F
无铅环保型
直插式
管装
中功率
N沟道
深圳市星宇佳科技有限公司是一家集研发,生产,销售的电子元器件服务商。公司成立于2011年。是原星宇佳电子的转型升级。公司旗下有自主品牌“ING” “XYJ” .其中ING品牌的MOS管系列...
电话:0755-82522195
手机:13332931905【企业微信】
FDPF5N60NZ
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
中功率
本公司代理FAIRCHILD仙童快恢复二极管,部分型号如下FFPF20UP20DN,FFPF20UA60DN,FFPF20UP60DNTU,FFPF12UP20DNTU,FFPF20UP30DN,FFP15S60S,RHRP840,RHRP860,RHRP1540,RHRP1560,ISL9R860...
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手机:15920088223
MEK600-04DA
艾赛斯
标准封装
无铅环保型
螺丝型
盒带编带包装
中功率
苏州新杰邦电子技术有限公司: 代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的...
电话:051257718939
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1MI100H-025
FUJITSU(富士通)
MODULE
普通型
直插式
散装
中功率
产品信息(PRODUCT INFORMATION): 品牌(BRAND):富士(FUJI) 原产地(Place of Origin):日本 规格(STANDARD):100A/250V/MOS/1U ,详见pdf资料。 货品状况:全新 (100% NEW) 质保(...
电话:010-69234784
手机:13681340538
2SK3018
SZXYL
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
<h3 class="header-OdWb_u auto-hide-last-sibling-br" style="-webkit-font-smoothing: antialiased; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgb...
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SI2301,SI2302,SI2305,AO3400,AO3401
TOREX,INFINEON,英飞凌,VISHAY
直插,贴片
无铅环保型
直插,贴片
盒带编带包装
深圳原装现货,型号齐全,欢迎来电咨询!!!
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AO3401
SEP
SOT-23
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
商品属性品牌 SEP 型号 AO3401 封装 SOT-23 批号 2023+ 配置类型 贴片MOS管N沟道 FET类型 N沟道漏源电压 20V 漏源电流 2.8A 漏源导通电阻 4.5V栅源电压 12V 栅极电荷 14 工作温度范围...
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IPB072N15N3G
INFINEON(英飞凌)
TO-263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
原装场效应管IPB072N15N3G产品信息 深圳驰源科技长期供应原装场效应管IPB072N15N3G <img style="max-width:700px;" src="http://file3.dzsc.com/product/20/06/03/...
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AOZ8831DI
NXP(恩智浦)
SOD-923
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
深圳市俊腾源电子有限公司成立于2008年,是一家从事半导体器件科研、生产、OEM、销售为一体的高新技术企业。专注于贴片半导体分立元器件,拥有国内外全方位的销售精英及完善的技术支...
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这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案 日前,威世科技Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120,其...
新型X4级器件在简化热设计,提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。 伊利诺伊州罗斯蒙特,Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推...
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列,旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装,产品组合覆盖在25°C...
三菱电机集团于今日(2026年1月14日)宣布,将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片(未封装在封装材料中的芯片),该芯片专为电动汽车(EV)主驱逆变器2,车载充电器3以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计。这些新型...
CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势,同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中,提供卓越的功率密度和系统效率,主要面向人工智能服务器电源、开关电...
MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来,最初采用金属外壳的TO(Transistor Outline)封装,如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架,通过环氧树脂密封,具备机械强度高、散热性能稳定的特点,能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET封装。 一、早期金...
功率 MOSFET 恐怕是工程师们最常用的器件之一了。然而,关于 MOSFET 的器件选型要考虑方方面面的因素,小到选 N 型还是 P 型、封装类型,大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等。不同的应用需求千变万化,下面将详细总结 MOSFET 器件选型的三大核心法则,相信看完会...
在现代电子电路设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)凭借其卓越的性能和广泛的应用,成为了不可或缺的关键器件。然而,MOSFET 中的噪声问题却对电路的性能和稳定性产生着重要影响,尤其在无线通信等对噪声要求极为严格的领域。因此,深入...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的导通条件取决于其类型(N沟道或P沟道)和工作模式(增强型或耗尽型)。以下是详细分析:1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET(NMOS)增强型(常闭型):栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth(正电压)。漏源电压 VDSVD...
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下,全球范围内从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者,电动汽车必须具备足够的续航里程,支持快速充电,同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中,...
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