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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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L2SK3018WT1G N沟道小信号MOSFET
L2SK3018WT1G N沟道小信号MOSFET
  • 型号/规格：

    L2SK3018WT1G

  • 品牌/商标：

    LRC

  • 封装形式：

    SC-70

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

一、产品定位L2SK3018WT1G 是乐山无线电（LRC）生产的一款N沟道增强型小信号MOSFET，采用 SC-70（SOT-323） 超小型表面贴装封装。该器件具备30V漏源电压和100mA连续漏极电流能力，专...

功率MOS管7N60
功率MOS管7N60
  • 型号/规格：

    7N60

  • 品牌/商标：

    UTC

  • 封装形式：

    TO

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

7N60 /8N60 /10N60 /12N60代理商 产品型号: 7N60品牌: UTC封装: TO包装: 原装电路名称: 功率MOS管本公司销售重点是为CCD、CMOS安防监控摄像机;汽车倒视;可视门铃;LED照明; HID氙气灯;...

2SK3018 SOT-23 N沟道MOSFET 30V/2A
2SK3018 SOT-23 N沟道MOSFET 30V/2A
  • 型号/规格：

    2SK3018

  • 品牌/商标：

    SZXYL

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

<h3 class="header-OdWb_u auto-hide-last-sibling-br" style="-webkit-font-smoothing: antialiased; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgb...

IRLML0040TRPBF晶体管
IRLML0040TRPBF晶体管
  • 型号/规格：

    IRLML0040TRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-236-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品简介：IRLML0040TRPBF晶体管 类别 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET? 包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制...

NCEP023N10LL 新洁能 N 沟道 MOS 管
NCEP023N10LL 新洁能 N 沟道 MOS 管
  • 型号/规格：

    NCEP023N10LL NCEN

  • 品牌/商标：

    NCE新洁能

  • 封装形式：

    TOLL

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 数量：

    5773

NCEP023N10LL NCEN 沟道功率 MOS 管产品属性：NCEP023N10LL 是 NCE 新洁能 N 沟道功率 MOS 管，采用 TOLL 贴片封装，为无铅环保型器件，常规以卷带形式包装，属于大功率开关器件。NCE...

低电压功率场效应管，原装IRF4905
低电压功率场效应管，原装IRF4905
  • 品牌：

    IRF4905

  • 型号：

    IRF4905

  • 器件类型：

    晶体管

  • 主要用途：

    开关放大

产品型号：IRF4905，品牌/商标：IR/Infineon，产品类别：P沟道功率MOSFET，产品名称：IRF4905 P沟道功率MOSFET。IRF4905 是一款P沟道功率MOSFET，适合在对应电子电路中作为功能器件使用。产品用途：该器件用于电源开关、反接保护、负载驱动和功率控制电路，可...

IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)
  • 型号/规格：

    IRFP260NPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247AC-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    小功率

IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)产品描述： 类别分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET制造商Infineon Technologies包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化...

DIODES/美台 DMP2104V-7 MOSFET
DIODES/美台 DMP2104V-7 MOSFET
  • 型号/规格：

    DMP2104V-7

  • 品牌/商标：

    DIODES/美台

  • 封装形式：

    SOT-563

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

DMP2104V-7，DMP2104V-7产品属性介绍：产品型号 DMP2104V-7类别 分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET单 FET，MOSFET制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101包装 卷带（TR）...

MEK600-04DA艾赛斯mos晶体管全新21+
MEK600-04DA艾赛斯mos晶体管全新21+
  • 型号/规格：

    MEK600-04DA

  • 品牌/商标：

    艾赛斯

  • 封装形式：

    标准封装

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    螺丝型

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

苏州新杰邦电子技术有限公司： 代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的...

FDMC2523P
FDMC2523P
  • 型号/规格：

    FDMC2523P

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SMD

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

上海意淼电子科技有限公司，代理经销世界众多品牌IC：美国ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、alterA、 美信Maxim（Dallas）、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三...

场效应管IRF4905PBF 原装 假一罚十
场效应管IRF4905PBF 原装 假一罚十
  • 型号/规格：

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

IRF4905PBF产品详细规格生产商:Ir规格书:RohsLead free / RoHS Compliant标准包装50FET 型MOSFET P-Channel, Metal OxideFET特点Standard漏极至源极电压（VDSS）55V电流-连续漏极（编...

AO4447A 分立半导体 晶体管
AO4447A 分立半导体 晶体管
  • 型号/规格：

    AO4447A

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 数量：

    5298

AO4447A 分立半导体 晶体管 属性：FET 类型 P 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta）驱动电压（Rds On，Rds On）：4V，1...

【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
  • 型号/规格：

    1MI100H-025

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式：

    MODULE

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    中功率

产品信息(PRODUCT INFORMATION)： 品牌(BRAND)：富士（FUJI） 原产地（Place of Origin）：日本 规格(STANDARD)：100A/250V/MOS/1U ，详见pdf资料。 货品状况：全新 (100% NEW) 质保(...

MOS场效应管 厂家直销
MOS场效应管 厂家直销
  • 型号/规格：

    SI2301,SI2302,SI2305,AO3400,AO3401

  • 品牌/商标：

    TOREX,INFINEON,英飞凌,VISHAY

  • 封装形式：

    直插，贴片

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插，贴片

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳原装现货，型号齐全，欢迎来电咨询！！！

仙童场效应MOS管FDPF5N60NZ适配器LED电源电焊
仙童场效应MOS管FDPF5N60NZ适配器LED电源电焊
  • 型号/规格：

    FDPF5N60NZ

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    中功率

本公司代理FAIRCHILD仙童快恢复二极管，部分型号如下FFPF20UP20DN,FFPF20UA60DN,FFPF20UP60DNTU,FFPF12UP20DNTU,FFPF20UP30DN,FFP15S60S,RHRP840,RHRP860,RHRP1540,RHRP1560,ISL9R860...

仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
  • 型号/规格：

    BSS138NH6327

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 品牌：

    FAIRCHILD

  • 丝印：

    SS

<div data-v-4e0cbf29="" class="name" style="-webkit-tap-highlight-color:rgba(0, 0, 0, 0);box-sizing:border-box;margin:0px;padding:0px 16px 0px...

原装场效应管IPB072N15N3G
原装场效应管IPB072N15N3G
  • 型号/规格：

    IPB072N15N3G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

原装场效应管IPB072N15N3G产品信息 深圳驰源科技长期供应原装场效应管IPB072N15N3G <img style="max-width:700px;" src="http://file3.dzsc.com/product/20/06/03/...

MOS管AOZ8831DI现货低价
MOS管AOZ8831DI现货低价
  • 型号/规格：

    AOZ8831DI

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    SOD-923

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳市俊腾源电子有限公司成立于2008年，是一家从事半导体器件科研、生产、OEM、销售为一体的高新技术企业。专注于贴片半导体分立元器件，拥有国内外全方位的销售精英及完善的技术支...

NDC7002N MOS场效应管
NDC7002N MOS场效应管
  • 型号/规格：

    NDC7002N

  • 品牌/商标：

    鹏领

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

公司简介： 深圳智睿捷科技有限公司成立于2008年，是一家从事半导体器件科研、生产、OEM、销售为一体的高新技术企业。公司位于福田区振华路海外装饰大厦A座409B室。专注于贴片半导体...

IRF3205ZPBF TO-220 N沟道 55V/75A 直插MOSFET
IRF3205ZPBF TO-220 N沟道 55V/75A 直插MOSFET
  • 型号/规格：

    IRF3205ZPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市河锋鑫科技有限公司是一家的电子元器件代理经销商，营业范围主要包括代理电子元器件的市场推广、产品研发、技术支援以及销售业务，总部位于亚洲电子元器件集散地的深圳华强北中...

MOSFET行业资讯

  • Toshiba-东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性[2026-09-28]

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电...

  • Infineon-麦米电气采用英飞凌CoolMOS 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器[2026-07-27]

    中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）最新推出的CoolMOS 8超...

  • ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET[2026-07-13]

    ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车（xEV）的...

  • 东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率[2026-07-01]

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。　　随着AI处理需求持续扩大，数据中...

  • ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品[2026-06-17]

    ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L（8.0 × 8.0 × 0.85mm）和TOLL（11.68 × 9.9 ...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • MOSFET 从截止到导通[2026-08-28]

    在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个著名的 “台阶”，也就是 “米勒台阶” 或者 ...

  • 深度剖析超级结 MOSFET 的结构、特性与选型要点[2026-08-25]

    超级结 MOSFET（SJ - MOSFET）是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时，易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 AC - DC 电源、PFC、LLC、反激式转换器以及各种工业电源中，超级结 MOSFET 对于同时实...

  • 功率 MOSFET 的特点、类别及应用[2026-07-30]

    功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。这一特性使其在开关功率损耗占主导地位的高频应用中，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）具有显著优势。在高频环境下，功率 MOSFET 能够...

  • 深入解析沟槽型 SiC MOSFET 工艺流程与 SiC 离子注入技术[2026-07-28]

    在提高 SiC 功率器件性能方面，器件制造工艺流程起着至关重要的作用。SiC 功率器件用作 n 沟道时往往比 p 沟道表现出更好的性能。为获得更高性能，该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。　　然而，目前市场上商用 p 型 4H - SiC 衬底具有相对较高的电...

  • N沟道增强型功率MOSFET垂直 DMOS 结构[2026-07-27]

    功率 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种没有少数载流子注入的多数载流子器件。在开关功率损耗占主导地位的高频应用场景中，它展现出了显著的优势，相较于功率双极结晶体管（BJT）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）更为适用。这是因为功率 MOSFET ...

黄金展位供应商

  • 电话：13928786606
    苏州固锝电子股份有限公司
    QQ:2355278032QQ:389939789

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