产品
即刻体验 AI搜索DeepSeek-R1满血版
一键发布采购 上传BOM
您现在的位置：首页 > 元器件(最新) > 场效应管MOSFET >

MOSFET

（共找到“2435”条查询结果）
广告
广告
更多>>

MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOSFET继电器 MOSFET驱动器 P沟道MOS管 TLP181 大功率场效应管 东芝MOS管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
所在地区
源头工厂
上一页3/100 跳至 下一页
BSO204P 场效应管MOSFET P-KANAL
BSO204P 场效应管MOSFET P-KANAL
  • 型号/规格：

    BSO204P

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    SOIC-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

芯片详情：型号：BSO204P类型：场效应管MOSFET P-KANAL深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商，致力于芯片代理、推广、销售及方案，产品应用于温控、电力系统自动化产品、交...

IRFBC40LC 场效应管MOSFET
IRFBC40LC 场效应管MOSFET
  • 型号/规格：

    IRFBC40LC

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

芯片详情：型号：IRFBC40LC类型：场效应管MOSFET深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商，致力于芯片代理、推广、销售及方案，产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、...

IPP075N15N3G进口原装现货
IPP075N15N3G进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPP075N15N3G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPP075N15N3G代理进口原装、大量现货库存假一罚十价格合理 IPP075N15N3G IPP075N15N3G MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 ...

SEP品牌AO3401 丝印A19T SOT-23 2.5A-2.8A20V贴片MOS管N沟道
SEP品牌AO3401 丝印A19T SOT-23 2.5A-2.8A20V贴片MOS管N沟道
  • 型号/规格：

    AO3401

  • 品牌/商标：

    SEP

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

商品属性品牌 SEP 型号 AO3401 封装 SOT-23 批号 2023+ 配置类型 贴片MOS管N沟道 FET类型 N沟道漏源电压 20V 漏源电流 2.8A 漏源导通电阻 4.5V栅源电压 12V 栅极电荷 14 工作温度范围...

IRF3205ZPBF TO-220 N沟道 55V/75A 直插MOSFET
IRF3205ZPBF TO-220 N沟道 55V/75A 直插MOSFET
  • 型号/规格：

    IRF3205ZPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市河锋鑫科技有限公司是一家的电子元器件代理经销商，营业范围主要包括代理电子元器件的市场推广、产品研发、技术支援以及销售业务，总部位于亚洲电子元器件集散地的深圳华强北中...

MOSFET管BSC028N06NS
MOSFET管BSC028N06NS
  • 型号/规格：

    BSC028N06NS

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TDSON-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • ds-漏源极击穿电压:60 V：

    -连续漏极电流:100 A

产品种类: MOSFET REACH - SVHC: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流...

PT7A7514WEX-2017 三极管MOS管 封装SOIC8场效应管 美台宏芯光代理商
PT7A7514WEX-2017 三极管MOS管 封装SOIC8场效应管 美台宏芯光代理商
  • 型号/规格：

    PT7A7514WEX-2017

  • 品牌/商标：

    美台DIODES宏芯光

  • 封装形式：

    SIOC8

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

型号 LTR-553ALS-WA LTR-308ALS-01 LTR-507ALS-01 LTR-329ALS-01 LTL-4231N LTE-2872U LTR-536AD LTST-C155KGJRKT LTR-559ALS LTV-354T-B2 LTST-C193TBKT-5A LTST-C195KGJSKT LTW-C19...

SI2301CDS-T1-GE3场效应管
SI2301CDS-T1-GE3场效应管
  • 型号/规格：

    SI2301CDS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY(威世)

  • 封装形式：

    SOT-23(SOT-23-3)

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳市芯巴巴科技有限公司是一家极具实力的集成电路代理分销商，分销：ST、TI、ON、ADI、NXP、MPS、ATMEL、MICROCHIP等品牌集成电路。广泛涵盖通信、家电、汽车、计算机、工业自动化...

RF MOSFETMRF8S18260HSR6
RF MOSFETMRF8S18260HSR6
  • 型号/规格：

    MRF8S18260HSR6

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    NI-1230S

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

型号：MRF8S18260HSR6 深圳市腾桩电子有限公司，是电子元器件的国际分销商，代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS，ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器...

产品种类: MOSFET B6NK90Z
产品种类: MOSFET B6NK90Z
  • 型号/规格：

    B6NK90Z

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    D2PAK-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    大功率

型号：B6NK90Z 深圳市腾桩电子有限公司，是电子元器件的国际分销商，代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS，ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件、电源...

4N60 TO-220 大量现货N沟道高压MOS管
4N60 TO-220 大量现货N沟道高压MOS管
  • 型号/规格：

    4N60

  • 品牌/商标：

    TG

  • 封装形式：

    251/252/220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装 盒装

  • 功率特征：

    中功率

  • 极低栅电荷：

    典型15nC

?<span style="-webkit-text-stroke-color: rgb(51, 51, 51); background-image: linear-gradient(to right, rgba(111, 75, 250, 0.12), rgba(111, 75, 250, 0.12)); backgro...

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A
  • 型号/规格：

    KU310N10D-RTF/H

  • 品牌/商标：

    KEC

  • 封装形式：

    DPAK(1)

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数： 品牌： KEC 型号：KU310N10D-RTF/H 封装：DPAK(1) 包装数:3000片/包 连续漏极电流（Id）（25&#176;C 时）:27A(Tc) 漏源...

LP2301BLT1G LRC 丝印01B P沟道场效应管
LP2301BLT1G LRC 丝印01B P沟道场效应管
  • 型号/规格：

    LP2301BLT1G

  • 品牌/商标：

    LRC

  • 封装形式：

    SOTER

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

LP2301BLT1G LP2301BLT1G LP2301BLT1G 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 P沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 2.8A 功率(Pd) 900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@4.5V,2.8A...

原装 英飞凌 MOSFET IRL540NPBF
原装 英飞凌 MOSFET IRL540NPBF
  • 型号/规格：

    IRL540NPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220(TO-220-3)

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    50/TUBE

一、IRL540NPBF 产品特点 1、逻辑电平门开 2、先进的工艺技术 3、动态的电压上升率 4、高达175&#176;C的工作温度 5、快速切换 6、足够高的雪崩系数 更多内容请参考产品PDF 二、IR...

CSD86330Q3D
CSD86330Q3D
  • 型号/规格：

    CSD86330Q3D

  • 品牌/商标：

    TI

  • 封装形式：

    SON8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

深圳市金亨利科技有限公司是国内市场较具规模的电子元器件供应商之一 ，可为客户提供13%的增值税票，开拓终端工厂市场， 提供的电子元件配套服务。经营各类电子元器件、集成电路 IC芯...

SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
  • 型号/规格：

    SQJ469EP-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    威世

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

  • 单位：

    个

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-eff...

FCPF1300N80Z ON（安森美） 场效应管
FCPF1300N80Z ON（安森美） 场效应管
  • 型号/规格：

    FCPF1300N80Z

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

因电子元器件涨幅较大，网站库存价格没办法实时更新，请联系客服，以当天报价为准。谢谢理解~ 品牌： ON/安森美 型号： FCPF1300N80Z 批号： 2050 封装： TO-220-3 数量： 3000 QQ： ...

DN2540N8-G N沟道MOS场效应管
DN2540N8-G N沟道MOS场效应管
  • 型号/规格：

    DN2540N8-G

  • 品牌/商标：

    Microchip

  • 封装形式：

    MOSFET 400V 25Ohm

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

DN2540N8-G N沟道MOS场效应管产品属性属性值选择属性制造商:Microchip产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-89-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 Ch...

AO4447A 分立半导体 晶体管
AO4447A 分立半导体 晶体管
  • 型号/规格：

    AO4447A

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 数量：

    5298

AO4447A 分立半导体 晶体管 属性：FET 类型 P 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta）驱动电压（Rds On，Rds On）：4V，1...

SPW47N60C3 场效应管 TO-247
SPW47N60C3 场效应管 TO-247
  • 型号/规格：

    SPW47N60C3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    直插

SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3 属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压（Vdss） 650V 连续漏极电流（Id）（25&#176;C 时） 47A 栅源极阈值电压 3.9V @ 2.7mA 漏源导通...

MOSFET行业资讯

  • Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用[2025-07-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

  • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

    基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

  • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

    在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

  • CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级[2025-07-02]

    德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

  • Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆[2025-06-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

  • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

    在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

  • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

    在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

  • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

    在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

热门产品推荐

电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购MOSFET进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

免责声明：以上所展示的MOSFET信息由会员自行提供，MOSFET内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒：为规避购买MOSFET产品风险，建议您在购买MOSFET相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务"，买卖都安全。

友情链接： 闪光灯

©2025 维库电子市场网　经营许可证编号：浙B2-20050339 版权声明
买家服务热线：0571-85317607 | 买家服务部QQ： QQ:1609526468
卖家服务热线：0571-85317607 | 卖家服务部QQ： QQ:331652727
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港