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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： MOS MOSFET继电器 mos管 P沟道MOS管 TL431 场效应MOSFET管

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FDMC2523P
FDMC2523P
  • 型号/规格：

    FDMC2523P

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SMD

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

上海意淼电子科技有限公司，代理经销世界众多品牌IC：美国ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、alterA、 美信Maxim（Dallas）、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三...

场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
  • 型号/规格：

    BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    5000/盘

BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展，公...

AO4815 8A/30V 场内效应管
AO4815 8A/30V 场内效应管
  • 型号/规格：

    AO4815

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

双P沟道 8A/30V MOS管场效应管 SOP8 <h1 data-spm="100...

仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
  • 型号/规格：

    BSS138NH6327

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 品牌：

    FAIRCHILD

  • 丝印：

    SS

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IRFP3206PBF MOSFET
IRFP3206PBF MOSFET
  • 型号/规格：

    IRFP3206PBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247AC

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    超大功率

  • FET 类型：

    N 通道

产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc） 驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs...

MOS场效应管 CJ2301 原装长电
MOS场效应管 CJ2301 原装长电
  • 型号/规格：

    MOS场效应管 CJ2301 原装长电

  • 品牌/商标：

    CJ长电

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

封装：SOT-23集射极击穿电压(VCEO)：标准晶体管类型：贴片三极管集电极电流(IC(max))：标准电流放大系数(hFE)：标准截止频率(ft)：标准耗散功率(Pd(max))：标准集电极-发射极饱和电压...

12N65 TO-220 650V 12A N沟道MOS管
12N65 TO-220 650V 12A N沟道MOS管
  • 型号/规格：

    12N65

  • 品牌/商标：

    SZXYL

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒装

  • 功率特征：

    中功率

12N65 TO-220的he心功能与技术特性型号与封装：12N65 TO-220 是一款高压 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用TO-220 双列直插封装，集成金属散热片，专为650V 高压、高频开关电路设计。其...

晶体管 2N7002-T1 半导体产品
晶体管 2N7002-T1 半导体产品
  • 型号/规格：

    2N7002-T1

  • 品牌/商标：

    Vishay （威世）

  • 封装形式：

    TO-236

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

2N7002-T1介绍： 描述 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 制造商标准提前期 33 周 详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSF...

BSS84LT1G 丝印PD P沟道 贴片场效应管
BSS84LT1G 丝印PD P沟道 贴片场效应管
  • 型号/规格：

    BSS84LT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市世纪成达电子科技有限公司主要代理，先科ST,乐山LRC,江苏长电。强势分销 ON（安森美）、BSS84LT1GNXP（恩智浦）、ROHM（罗姆）、RENESAS(瑞萨）TOREXSFI（特瑞仕）SFI（压敏）T...

仙童场效应MOS管FDPF5N60NZ适配器LED电源电焊
仙童场效应MOS管FDPF5N60NZ适配器LED电源电焊
  • 型号/规格：

    FDPF5N60NZ

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    中功率

本公司代理FAIRCHILD仙童快恢复二极管，部分型号如下FFPF20UP20DN,FFPF20UA60DN,FFPF20UP60DNTU,FFPF12UP20DNTU,FFPF20UP30DN,FFP15S60S,RHRP840,RHRP860,RHRP1540,RHRP1560,ISL9R860...

SWIRE 场效应管 SI2309 SOT-23 低压MOS管
SWIRE 场效应管 SI2309 SOT-23 低压MOS管
  • 型号/规格：

    SI2309

  • 品牌/商标：

    SWIRE

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 批号：

    23+

型号：SI2309 封装：SOT-23 品牌：SWIRE 类型：低压MOS管/低压MOS管/低压MOS管 <p...

IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)
IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)
  • 型号/规格：

    IRFP260NPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247AC-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    小功率

IRFP260NPBF 场效应管(MOSFET)产品描述： 类别分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET制造商Infineon Technologies包装管件零件状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化...

场效应管(MOSFET) 7N65
场效应管(MOSFET) 7N65
  • 型号/规格：

    7N65

  • 品牌/商标：

    XY

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    中功率

  • 类型：

    N沟道

深圳市星宇佳科技有限公司是一家集研发，生产，销售的电子元器件服务商。公司成立于2011年。是原星宇佳电子的转型升级。公司旗下有自主品牌“ING” “XYJ” .其中ING品牌的MOS管系列...

MEK600-04DA艾赛斯mos晶体管全新21+
MEK600-04DA艾赛斯mos晶体管全新21+
  • 型号/规格：

    MEK600-04DA

  • 品牌/商标：

    艾赛斯

  • 封装形式：

    标准封装

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    螺丝型

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

苏州新杰邦电子技术有限公司： 代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的...

STY112N65M5华芯盛科TO247原装ST
STY112N65M5华芯盛科TO247原装ST
  • 型号/规格：

    STY112N65M5

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    TO247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    超大功率

我司主营产品线：TI INFINEON ALTERA NXP ST MICROCHIP RENESAS XILINX LATTICE SEMTECH ADI ，等 坚持每一片都来自原厂； 坚持自营库存，一片起售，样品支持； 公司与多家经销商和代...

DIODES/美台 DMP2104V-7 MOSFET
DIODES/美台 DMP2104V-7 MOSFET
  • 型号/规格：

    DMP2104V-7

  • 品牌/商标：

    DIODES/美台

  • 封装形式：

    SOT-563

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

DMP2104V-7，DMP2104V-7产品属性介绍：产品型号 DMP2104V-7类别 分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET单 FET，MOSFET制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101包装 卷带（TR）...

【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
  • 型号/规格：

    1MI100H-025

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式：

    MODULE

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    中功率

产品信息(PRODUCT INFORMATION)： 品牌(BRAND)：富士（FUJI） 原产地（Place of Origin）：日本 规格(STANDARD)：100A/250V/MOS/1U ，详见pdf资料。 货品状况：全新 (100% NEW) 质保(...

2SK2504 TO-252贴片 K2504 MOS场效应管
2SK2504 TO-252贴片 K2504 MOS场效应管
  • 型号/规格：

    2SK2504

  • 品牌/商标：

    ROHM（罗姆）

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

2SK2504 TO-252贴片 K2504 MOS场效应管 晶康业电子商行 本公司主要经营石英晶振，电源模块，IC集成电路，场效应管、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、贴片电阻电容,BOM配单服务。 产...

MOS场效应管 厂家直销
MOS场效应管 厂家直销
  • 型号/规格：

    SI2301,SI2302,SI2305,AO3400,AO3401

  • 品牌/商标：

    TOREX,INFINEON,英飞凌,VISHAY

  • 封装形式：

    直插，贴片

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插，贴片

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳原装现货，型号齐全，欢迎来电咨询！！！

全新原装2N7002K-T1-GE3封装SOT-23
全新原装2N7002K-T1-GE3封装SOT-23
  • 型号/规格：

    2N7002K-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY(威世)

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

2N7002K-T1-GE3<p style="margin-top: 0px; margin-bottom: 0px; p...

MOSFET行业资讯

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    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

  • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

    基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

  • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

    在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

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    德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

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    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

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    MOSFET

MOSFET技术资料

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

  • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

    在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

  • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

    在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

  • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

    在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

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