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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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AUIRFP064N-IR 杰盛微原厂直供
AUIRFP064N-IR 杰盛微原厂直供
  • 型号/规格：

    AUIRFP064N-IR

  • 品牌/商标：

    杰盛微

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

AUIRFP064N-IR 杰盛微原厂直供深圳市杰興電子有限公司 专营二.三级管等电子,诚信合作. 欢迎大众惠顾! 强势推出原装大功率三极管打造市场 本公司zui新到货大功率功放音响配对管:2SA193...

鹏领现货场效应管FDN338P
鹏领现货场效应管FDN338P
  • 型号/规格：

    FDN338P

  • 品牌/商标：

    鹏领

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

请新老顾客下单前先咨询客服。 封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216） 1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）FDN338P 电压：4V 6.3V 10V 16V 2...

诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
  • 型号/规格：

    IXFN80N50Q2

  • 品牌/商标：

    IXYS/艾赛斯

  • 封装形式：

    树脂封装

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    大功率

IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A
  • 型号/规格：

    KU310N10D-RTF/H

  • 品牌/商标：

    KEC

  • 封装形式：

    DPAK(1)

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数： 品牌： KEC 型号：KU310N10D-RTF/H 封装：DPAK(1) 包装数:3000片/包 连续漏极电流（Id）（25°C 时）:27A(Tc) 漏源...

SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
  • 型号/规格：

    SQJ469EP-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    威世

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

  • 单位：

    个

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-eff...

MOS场效应管 CJ2301 原装长电
MOS场效应管 CJ2301 原装长电
  • 型号/规格：

    MOS场效应管 CJ2301 原装长电

  • 品牌/商标：

    CJ长电

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

封装：SOT-23集射极击穿电压(VCEO)：标准晶体管类型：贴片三极管集电极电流(IC(max))：标准电流放大系数(hFE)：标准截止频率(ft)：标准耗散功率(Pd(max))：标准集电极-发射极饱和电压...

华润微代理 CRTT150N15N
华润微代理 CRTT150N15N
  • 型号/规格：

    CRTT150N15N

  • 品牌/商标：

    CRMICRO华润微

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

华润微电子（CRMICRO）是国内功率半导体IDM厂商，其IGBT产品覆盖600V至1350V电压、数安培至数百安培电流范围，已演进至第七代微沟槽场截止技术，具有低饱和压降、低开关损耗和高功率...

UT3N06G-AE3-R SOT-23 场效应管
UT3N06G-AE3-R SOT-23 场效应管
  • 型号/规格：

    UT3N06G-AE3-R

  • 品牌/商标：

    UTC/友顺

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

深圳龙牛电子科技有限公司是国内的一家电子元器件混合型分销商。经营各类主动元器件( IC集成电路，存储芯片，IGBT，场效应管，二、三极管等)和被动元器件(电容，电阻，电感等)及机电...

IRFS7437TRLPBF TO-263 INFINEON 场效应管
IRFS7437TRLPBF TO-263 INFINEON 场效应管
  • 型号/规格：

    IRFS7437TRLPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/SMT

  • 包装方式：

    ·

  • 数量：

    16000

  • 批号：

    新年份

IRFS7437TRLPBF TO-263 INFINEON 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 TO-252-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 40...

FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管
FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管
  • 型号/规格：

    FS8205A

  • 品牌/商标：

    FORTUNE富晶

  • 封装形式：

    TSSOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

如需规格书产品完整资料，请联系我们销售团队!FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管FS8205A FORTUNE富晶 TSSOP8 场效应管FS8205A FORTUNE富晶 TS...

LBSS138LT1G MOS场效应管
LBSS138LT1G MOS场效应管
  • 型号/规格：

    LBSS138LT1G

  • 品牌/商标：

    LRC

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

LBSS138LT1G MOS场效应管 产品图片: 深圳市前海中鹏光电科技有限公司介绍： 深圳市前海中鹏光电科技有限公司与世界品牌生产商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通...

2SK3018 SOT-23 N沟MOS管 YFW佑风微
2SK3018 SOT-23 N沟MOS管 YFW佑风微
  • 型号/规格：

    2SK3018

  • 品牌/商标：

    YFW(佑风微)

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

2SK3018 SOT-23 N沟MOS管是我司自主研发生产，并且2SK3018 SOT-23 N沟MOS管性能优越及应用广泛，欢迎新老客户咨询采购2SK3018 SOT-23 N沟MOS管。谢谢！2SK3018 SOT-23 N沟MOS管 YFW佑...

NCE3080K MOS场效应管 30V80A TO-252 N沟道
NCE3080K MOS场效应管 30V80A TO-252 N沟道
  • 型号/规格：

    NCE3080K

  • 品牌/商标：

    NCE

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

NCE3080K 场效应管MOSFET 30V 80A TO-252 N沟道 深圳市亿科泰电子有限公司成立于2012年，致力于功率半导体器件的生产与销售。主要产品为：可控硅、MOS场效应管、肖特基二极管、快恢复...

BUK9Y40-55B 94055B MOS场效应管 SOT-669 原装进口汽车芯片
BUK9Y40-55B 94055B MOS场效应管 SOT-669 原装进口汽车芯片
  • 型号/规格：

    94055B

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    SOT669

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳创鑫兴电子科技郑重承诺：只做原装！ 我公司主营电容,兼营汽车电子产品IC芯片：包括汽车电脑板 CPU、存储器存储芯片、怠速驱动、节气门、非门、电源、转速 处理、仪表芯片、单片...

STF11NM80 STF11 ST MOS管 800V
STF11NM80 STF11 ST MOS管 800V
  • 品牌：

    STM

  • 型号：

    STF11NM80

  • 封装：

    TO-220F

  • 批号：

    18+

  • FET类型：

    MOSFET

  • 漏源电压（Vdss）：

    800V

  • 漏极电流(Id)：

    11A

  • 漏源导通电阻(RDS On)：

    400m

规格产品属性 属性值 搜索类似制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极...

SM2311PSA 二三极管 场效应管
SM2311PSA 二三极管 场效应管
  • 型号/规格：

    SM2311PSA

  • 品牌/商标：

    Sinopower

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市福启达科技有限公司是一家zhuan业半导体IC及分立器件的民营高科技企业。公司主营电子元器件-半导体电子管、晶体管、贴片三极管、直插三极管、肖特基二极管、贴片二极管、直插二...

IPD90P04P405ATMA2 场效应管(MOSFET)Infineon(英飞凌） TO-252-3-313
IPD90P04P405ATMA2 场效应管(MOSFET)Infineon(英飞凌） TO-252-3-313
  • 型号/规格：

    IPD90P04P405ATMA2

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-252-3-313

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

供应IPD90P04P405ATMA2 场效应管(MOSFET)Infineon(英飞凌） TO-252-3-313产品属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DPAK...

STS5N15F4 场效应管 ST/意法半导体 封装SOIC-8 批次21+
STS5N15F4 场效应管 ST/意法半导体 封装SOIC-8 批次21+
  • 型号/规格：

    STS5N15F4

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOP-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

Source Content uid STS5N15F4 Brand Name STMicroelectronics 生命周期 Active Objectid 1614158259 零件包装代码 SOT 包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 针数 8 Reach Compliance ...

JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383
JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383
  • 型号/规格：

    2N7383

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-253

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒装

  • 功率特征：

    大功率

  • 价格：

    12850.0

JANSR2N7383宇航级 抗辐射MOSFET 宇航级场效应管 IR 2N7383 场效应抗辐射晶体管, P沟道,硅,类型2N7382和2N7383JANTXV M,D ,R和R 英文标准名称:Semiconductor Device, Field Effect Ra...

主营华晶MOS管 全系列 代理
主营华晶MOS管 全系列 代理
  • 型号/规格：

    全系列

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

主营华晶MOS管 全系列 代理 场效应管工作原理，是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，...

MOSFET行业资讯

  • Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET[2026-06-11]

    Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27%　　该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅 (SiC) 功率器件、赋能实现真正耐久系统的坚定承诺　　 依托 Wolfspeed 已完成...

  • ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！[2026-05-29]

    ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。　　新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装相比，有望进...

  • Toshiba-东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD 系列IC样品[2026-05-26]

    －集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器，实现小型车载电机的直接驱动－　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电机控制器件。作为东芝...

  • Toshiba-东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率[2026-05-26]

    东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。　　随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中...

  • ROHM-罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元[2026-05-25]

    全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 硅基 MOSFET 的 UIS 失效[2026-06-09]

    在电力电子拓扑领域，各类感性负载如电机绕组、变压器漏感、继电器线圈等十分常见。当硅基 MOSFET 高速关断时，若这些感性负载产生的反电动势无法及时释放，就会迫使 MOSFET 进入雪崩击穿状态，这种工况被称为 UIS（Unclamped Inductive Switching，非钳位感...

  • 几十纳米栅氧化层如何制约 SiC MOSFET 可靠性[2026-05-22]

    在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核心材质多为二氧化硅（SiO），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重任，隔离栅极与沟道的电信号，防止电流泄漏；另一方面让外部栅电压精准调控沟道的导电...

  • MOSFET 源极与 Bulk 衬底短接的必要性[2026-05-20]

    在电子电路的广阔领域中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）无疑是一颗璀璨的明星，被广泛应用于开关电源、驱动电路、功率控制电路等众多场景。熟悉硬件电路与半导体器件的专业人士都清楚，MOSFET 本质上是一种四端器件，它包含栅极（G）、漏极（...

  • 功率 MOSFET 器件选型的 10 步法则[2026-05-20]

    功率 MOSFET 无疑是工程师们在电子设计中最常用的器件之一。然而，MOSFET 的器件选型是一个复杂且需要综合考虑多方面因素的过程，小到 N 型与 P 型的选择、封装类型的确定，大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等参数的考量，不同的应用场景有着千变万化的需求。下...

  • MOSFET 可靠性测试失效样品的背后真相[2026-05-18]

    在功率器件的可靠性评估体系中，可靠性测试无疑是验证其长期稳定性的关键环节。不过，器件失效的原因并非总是源于器件本体，有时候问题可能隐藏在外部封装的细微之处。本文将深入剖析一个典型的失效案例：某 MOSFET 在经过可靠性测试后，出现了 DS 短路（GS ...

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