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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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HY1906 HY1906P原装现货HY原厂原装大量现货优势N沟道MOSFET
HY1906 HY1906P原装现货HY原厂原装大量现货优势N沟道MOSFET
  • 品牌：

    HY,其他

  • 型号：

    HY1906P

  • 封装：

    原厂封装

  • 批号：

    New

  • 应用领域：

    网络通信

  • 导电方式：

    增强型

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

后羿半导体科技有限公司，成立于2008年，公司以高新技术为，致力于电子元器件国产化的设计研发和生产。经过五年的不懈努力，现已成为从事中高压大功率场效应管（MOSFET）及电源管理IC...

RSM002N06T2L ROHM VMT3
RSM002N06T2L ROHM VMT3
  • 型号/规格：

    RSM002N06T2L

  • 品牌/商标：

    ROHM（罗姆）

  • 封装形式：

    VMT3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

RSM002N06T2L ROHM产品概述 产品特点 RSM002N06T2L ROHM是一款高效能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。其封装采用 VMT3（SOT-723）形式，适用于表面...

FDC6305N场效应管(MOSFET)电位器
FDC6305N场效应管(MOSFET)电位器
  • 型号/规格：

    FDC6305N

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TSOT-23-6

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品描述： 三极管(BJT)FDC6305N/TSOT236/DIODES/ 全新原装现货品牌： DIODES(美台)厂家型号： FDC6305N封装： TSOT236商品毛重： 0.038克(g)包装方式： 编带商品目录 ： ...

场效应管IRF4905PBF 原装 假一罚十
场效应管IRF4905PBF 原装 假一罚十
  • 型号/规格：

    IRF4905PBF

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

IRF4905PBF产品详细规格生产商:Ir规格书:RohsLead free / RoHS Compliant标准包装50FET 型MOSFET P-Channel, Metal OxideFET特点Standard漏极至源极电压（VDSS）55V电流-连续漏极（编...

射频MOSFETs,BLC9G27LS-151AV
射频MOSFETs,BLC9G27LS-151AV
  • 型号/规格：

    BLC9G27LS-151AV

  • 品牌/商标：

    AMPLEON

  • 封装形式：

    SOT-1275-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    托盘

  • 功率特征：

    大功率

  • 起订量：

    1

BLC9G27LS-151AV：特性和优势专为宽带应用设计（1805 MHz至2025 MHz）采用去耦引脚，提高视频带宽性能出色的耐用性高效很好的热稳定性内部匹配，便于使用高功率增益集成ESD保护符合欧...

TK100E10N1
TK100E10N1
  • 型号/规格：

    TK100E10N1

  • 品牌/商标：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管件

  • 功率特征：

    小功率

产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...

NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管
NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管
  • 型号/规格：

    NTR4501NT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率：

    1.25W

NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管 场效应管 场效应管<span style="font-size: 16px; co...

IRF640NSTRLPBF 自有库存 原装现货
IRF640NSTRLPBF 自有库存 原装现货
  • 型号/规格：

    英飞凌InfineonIRF640NSTRLPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    D2PAK

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

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NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
  • 型号/规格：

    NTB18N06LT4G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25&#176;C 时） 15A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds O...

诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
诚信 全新MOS管IXFN80N50Q2型号齐全 欢迎选购
  • 型号/规格：

    IXFN80N50Q2

  • 品牌/商标：

    IXYS/艾赛斯

  • 封装形式：

    树脂封装

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    大功率

IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...

功率MOS管7N60
功率MOS管7N60
  • 型号/规格：

    7N60

  • 品牌/商标：

    UTC

  • 封装形式：

    TO

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

7N60 /8N60 /10N60 /12N60代理商 产品型号: 7N60品牌: UTC封装: TO包装: 原装电路名称: 功率MOS管本公司销售重点是为CCD、CMOS安防监控摄像机;汽车倒视;可视门铃;LED照明; HID氙气灯;...

AOTF4S60采购 AOTF4S60商
AOTF4S60采购 AOTF4S60商
  • 型号/规格：

    AOTF4S60

  • 品牌/商标：

    NA

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应！ 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处，专注于...

IPA70R360P7S场效应管热卖13714450367
IPA70R360P7S场效应管热卖13714450367
  • 型号/规格：

    IPA70R360P7S

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒子管装

原装现货长期滚动式备货库存13714450367 NRF52832-QFAA-R NRF52833-QDAA-R NRF52810-QFAA-R ADR01AKSZ-REEL7 LT1964ES5-5#TRMPBF BTS3035EJ TLE4296-2GV50 TLE6250GV33 TLS810B1EJ V3...

N沟道增强型功率MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
  • 型号/规格：

    AP1A003GMT

  • 品牌/商标：

    APEC/富鼎

  • 封装形式：

    QFN5x6

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市汇莱威科技有限公司是国内首批斥巨资开发的电子元器件小批量采购电商之一。2017年拿到众山海润资产管理首轮天使投资，自营品牌：TI、ADI、XILINX、ALTERA/Intel汇聚中小企业殷...

SC8205A 富满微20V N沟道增强型MOS管
SC8205A 富满微20V N沟道增强型MOS管
  • 型号/规格：

    SC8205A

  • 品牌/商标：

    FM富满微

  • 封装形式：

    TSSOP-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

FM/富满微 SC8205A TSSOP-8 20V N沟道增强型MOS场效应管 深圳市科瑞芯电子供应中！欢迎致电咨询！深圳快速发货！</st...

MOS管AOZ8831DI现货低价
MOS管AOZ8831DI现货低价
  • 型号/规格：

    AOZ8831DI

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    SOD-923

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳市俊腾源电子有限公司成立于2008年，是一家从事半导体器件科研、生产、OEM、销售为一体的高新技术企业。专注于贴片半导体分立元器件，拥有国内外全方位的销售精英及完善的技术支...

MOS管原装现货SI7113DN-T1-GE3
MOS管原装现货SI7113DN-T1-GE3
  • 型号/规格：

    SI7113DN-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY

  • 封装形式：

    QFN8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品参数 SI7113DN-T1-GE3 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿...

贴片MOS场效应管MMBT7002K
贴片MOS场效应管MMBT7002K
  • 型号/规格：

    MMBT7002K

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市明昇电子有限公司 本公司秉承“以质为本，以诚取信”为宗旨，深得广大客户、厂商的信赖。 主营：先科ST 全系列二三极管 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOT-23 LL-34 LL-41 DO-35 DO-...

晶体管 MOSFET IPD90P04P4L-04 原装
晶体管 MOSFET IPD90P04P4L-04 原装
  • 型号/规格：

    IPD90P04P4L-04

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 货物：

    进口原装

标题产品描述：IPD90P04P4L-04 晶体管 MOSFET Infineon MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2产品属性 属性值 选择属性制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: ...

IPW60R037CSFD进口原装现货
IPW60R037CSFD进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPW60R037CSFD

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货，尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...

MOSFET行业资讯

  • Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用[2025-07-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，...

  • ST-SiC MOSFET并联的关键技术[2025-07-23]

    基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满足功率需求时，再并联...

  • Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器[2025-07-05]

    在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸、缩减成本、降低风险以及支持多源采购等方面，面临着诸多相互矛盾的挑战。　　Wolfsp...

  • CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级[2025-07-02]

    德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而精心设计，将为相关领域带来新的技术变革。　　提供了一系列精细化...

  • Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆[2025-06-24]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS8提供...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

  • 全面了解功率半导体 MOSFET 的奥秘[2025-07-10]

    在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了基于此原理的 MOSFET ...

  • 深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法[2025-06-19]

    在电力电子领域，为了确保 SiC（碳化硅）模块的安全使用，精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温，并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相似之处，又存在显著差异。相较于 IGBT，MOSFET 具备反向导通的特性，能够工作在同步整...

  • SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策[2025-05-30]

    在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联使用时，能够进一步提高系统的功率容量和性能。然而，受器件参数、寄生参数等诸多因素...

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