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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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TK100E10N1
TK100E10N1
  • 型号/规格：

    TK100E10N1

  • 品牌/商标：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管件

  • 功率特征：

    小功率

产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...

2SK3018 SOT-23 N沟道MOSFET 30V/2A
2SK3018 SOT-23 N沟道MOSFET 30V/2A
  • 型号/规格：

    2SK3018

  • 品牌/商标：

    SZXYL

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

<h3 class="header-OdWb_u auto-hide-last-sibling-br" style="-webkit-font-smoothing: antialiased; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgb...

Diodes MOSFET原装现货DMN6068SE-13 N沟道, 60 V, 5.6 A,SOT-223
Diodes MOSFET原装现货DMN6068SE-13 N沟道, 60 V, 5.6 A,SOT-223
  • 品牌：

    Diodes

  • 型号：

    DMN6068SE-13

  • 封装：

    SOT-223

  • 批号：

    18+

  • FET类型：

    N沟道

  • 漏源电压（Vdss）：

    60 V

  • 漏极电流(Id)：

    5.6 A

  • 漏源导通电阻(RDS On)：

    100 mΩ

产品详细信息N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc MOSFET 晶体管，Diodes Inc. 产品技术参数属性数值通道类型N连续漏极电流5.6 A漏源电压60 V漏源电阻值100 m&Omega;栅阈值电...

NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
  • 型号/规格：

    NTB18N06LT4G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25&#176;C 时） 15A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds O...

NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管
NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管
  • 型号/规格：

    NTR4501NT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率：

    1.25W

NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管 场效应管 场效应管<span style="font-size: 16px; co...

贴片MOS场效应管MMBT7002K
贴片MOS场效应管MMBT7002K
  • 型号/规格：

    MMBT7002K

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市明昇电子有限公司 本公司秉承“以质为本，以诚取信”为宗旨，深得广大客户、厂商的信赖。 主营：先科ST 全系列二三极管 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOT-23 LL-34 LL-41 DO-35 DO-...

场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
  • 型号/规格：

    BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    5000/盘

BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展，公...

FDMC2523P
FDMC2523P
  • 型号/规格：

    FDMC2523P

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SMD

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

上海意淼电子科技有限公司，代理经销世界众多品牌IC：美国ADI、爱特梅尔(Atmel)、 TI(BB) 、alterA、 美信Maxim（Dallas）、安森美(ON)、 恩智浦NXP(Philips)、仙童(Fairchild)、 三...

SM1105NSV原装微碧N沟道增强型功率MOSFET贴片SOT-223
SM1105NSV原装微碧N沟道增强型功率MOSFET贴片SOT-223
  • 型号/规格：

    SM1105NSV

  • 品牌/商标：

    微碧

  • 封装形式：

    SOT-223

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

VBsemi SM1105NSV N沟道 MOSFET概述SM1105NSV 是一款 N沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT-223 表面贴装封装。该器件在 100V 漏源电压下可提供 5A 的连续漏极电流，导通电阻为 100mΩ（...

MOSFET管BSC028N06NS
MOSFET管BSC028N06NS
  • 型号/规格：

    BSC028N06NS

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TDSON-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • ds-漏源极击穿电压:60 V：

    -连续漏极电流:100 A

产品种类: MOSFET REACH - SVHC: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流...

SI3447CDV-T1-GE3场效应管/LED
SI3447CDV-T1-GE3场效应管/LED
  • 型号/规格：

    SI3447CDV-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY(威世)

  • 封装形式：

    SOT-23-6

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品描述： 场效应管（MOSFET)/SI3447CDV-T1-GE3/SOT-23-6/DIODES/ 全新原装现货品牌： VISHAY(威世）厂家型号： SI3447CDV-T1-GE3封装： SOT-23-6包装方式： 编带商品目录： 场效应...

【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
【现货】富士原厂功率模块1MI100H-025
  • 型号/规格：

    1MI100H-025

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式：

    MODULE

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    中功率

产品信息(PRODUCT INFORMATION)： 品牌(BRAND)：富士（FUJI） 原产地（Place of Origin）：日本 规格(STANDARD)：100A/250V/MOS/1U ，详见pdf资料。 货品状况：全新 (100% NEW) 质保(...

IRLML0040TRPBF晶体管
IRLML0040TRPBF晶体管
  • 型号/规格：

    IRLML0040TRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-236-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品简介：IRLML0040TRPBF晶体管 类别 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET? 包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制...

PT7A7514WEX-2017 三极管MOS管 封装SOIC8场效应管 美台宏芯光代理商
PT7A7514WEX-2017 三极管MOS管 封装SOIC8场效应管 美台宏芯光代理商
  • 型号/规格：

    PT7A7514WEX-2017

  • 品牌/商标：

    美台DIODES宏芯光

  • 封装形式：

    SIOC8

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

型号 LTR-553ALS-WA LTR-308ALS-01 LTR-507ALS-01 LTR-329ALS-01 LTL-4231N LTE-2872U LTR-536AD LTST-C155KGJRKT LTR-559ALS LTV-354T-B2 LTST-C193TBKT-5A LTST-C195KGJSKT LTW-C19...

IRFP3206PBF MOSFET
IRFP3206PBF MOSFET
  • 型号/规格：

    IRFP3206PBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247AC

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

  • 功率特征：

    超大功率

  • FET 类型：

    N 通道

产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc） 驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs...

MOS场效应管 厂家直销
MOS场效应管 厂家直销
  • 型号/规格：

    SI2301,SI2302,SI2305,AO3400,AO3401

  • 品牌/商标：

    TOREX,INFINEON,英飞凌,VISHAY

  • 封装形式：

    直插，贴片

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插，贴片

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳原装现货，型号齐全，欢迎来电咨询！！！

仙童场效应MOS管FDPF5N60NZ适配器LED电源电焊
仙童场效应MOS管FDPF5N60NZ适配器LED电源电焊
  • 型号/规格：

    FDPF5N60NZ

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    中功率

本公司代理FAIRCHILD仙童快恢复二极管，部分型号如下FFPF20UP20DN,FFPF20UA60DN,FFPF20UP60DNTU,FFPF12UP20DNTU,FFPF20UP30DN,FFP15S60S,RHRP840,RHRP860,RHRP1540,RHRP1560,ISL9R860...

SEP品牌AO3401 丝印A19T SOT-23 2.5A-2.8A20V贴片MOS管N沟道
SEP品牌AO3401 丝印A19T SOT-23 2.5A-2.8A20V贴片MOS管N沟道
  • 型号/规格：

    AO3401

  • 品牌/商标：

    SEP

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

商品属性品牌 SEP 型号 AO3401 封装 SOT-23 批号 2023+ 配置类型 贴片MOS管N沟道 FET类型 N沟道漏源电压 20V 漏源电流 2.8A 漏源导通电阻 4.5V栅源电压 12V 栅极电荷 14 工作温度范围...

IPW60R037CSFD进口原装现货
IPW60R037CSFD进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPW60R037CSFD

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货，尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...

场效应管(MOSFET) SUM110N10-09-E3
场效应管(MOSFET) SUM110N10-09-E3
  • 型号/规格：

    SUM110N10-09-E3

  • 品牌/商标：

    VISHAY(威世)

  • 封装形式：

    TO-263-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    编带

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MOSFET行业资讯

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    全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • 硅基 MOSFET 的 UIS 失效[2026-06-09]

    在电力电子拓扑领域，各类感性负载如电机绕组、变压器漏感、继电器线圈等十分常见。当硅基 MOSFET 高速关断时，若这些感性负载产生的反电动势无法及时释放，就会迫使 MOSFET 进入雪崩击穿状态，这种工况被称为 UIS（Unclamped Inductive Switching，非钳位感...

  • 几十纳米栅氧化层如何制约 SiC MOSFET 可靠性[2026-05-22]

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