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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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鹏领现货场效应管FDN338P
鹏领现货场效应管FDN338P
  • 型号/规格：

    FDN338P

  • 品牌/商标：

    鹏领

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

请新老顾客下单前先咨询客服。 封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216） 1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）FDN338P 电压：4V 6.3V 10V 16V 2...

JGSEMI/台湾金锆 NTD15N06LT4G TO-252 全新原装现货
JGSEMI/台湾金锆 NTD15N06LT4G TO-252 全新原装现货
  • 型号/规格：

    NTD15N06LT4G

  • 品牌/商标：

    JGSEMI/台湾金锆

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳中元伟业经营世界厂家，MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC，二三极管等SMD，产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...

N沟道增强型功率MOSFET
N沟道增强型功率MOSFET
  • 型号/规格：

    AP1A003GMT

  • 品牌/商标：

    APEC/富鼎

  • 封装形式：

    QFN5x6

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市汇莱威科技有限公司是国内首批斥巨资开发的电子元器件小批量采购电商之一。2017年拿到众山海润资产管理首轮天使投资，自营品牌：TI、ADI、XILINX、ALTERA/Intel汇聚中小企业殷...

MOSFET 晶体管 FDN306P
MOSFET 晶体管 FDN306P
  • 型号/规格：

    FDN306P

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管，电阻电容，拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...

PT7A7514WEX-2017 三极管MOS管 封装SOIC8场效应管 美台宏芯光代理商
PT7A7514WEX-2017 三极管MOS管 封装SOIC8场效应管 美台宏芯光代理商
  • 型号/规格：

    PT7A7514WEX-2017

  • 品牌/商标：

    美台DIODES宏芯光

  • 封装形式：

    SIOC8

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

型号 LTR-553ALS-WA LTR-308ALS-01 LTR-507ALS-01 LTR-329ALS-01 LTL-4231N LTE-2872U LTR-536AD LTST-C155KGJRKT LTR-559ALS LTV-354T-B2 LTST-C193TBKT-5A LTST-C195KGJSKT LTW-C19...

贴片MOS场效应管MMBT7002K
贴片MOS场效应管MMBT7002K
  • 型号/规格：

    MMBT7002K

  • 品牌/商标：

    ST

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市明昇电子有限公司 本公司秉承“以质为本，以诚取信”为宗旨，深得广大客户、厂商的信赖。 主营：先科ST 全系列二三极管 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOT-23 LL-34 LL-41 DO-35 DO-...

IPW60R037CSFD进口原装现货
IPW60R037CSFD进口原装现货
  • 型号/规格：

    IPW60R037CSFD

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 产品种类：

    MOSFET

IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货，尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件，专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...

SPW47N60C3 场效应管 TO-247
SPW47N60C3 场效应管 TO-247
  • 型号/规格：

    SPW47N60C3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    直插

SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3 属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压（Vdss） 650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 47A 栅源极阈值电压 3.9V @ 2.7mA 漏源导通...

RSM002N06T2L ROHM VMT3
RSM002N06T2L ROHM VMT3
  • 型号/规格：

    RSM002N06T2L

  • 品牌/商标：

    ROHM（罗姆）

  • 封装形式：

    VMT3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

RSM002N06T2L ROHM产品概述 产品特点 RSM002N06T2L ROHM是一款高效能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。其封装采用 VMT3（SOT-723）形式，适用于表面...

85V 120A 原厂华润微CRSS052N08N
85V 120A 原厂华润微CRSS052N08N
  • 型号/规格：

    CRSS052N08N

  • 品牌/商标：

    华润微

  • 封装形式：

    TO-263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • 交期：

    现货

深圳市鼎运世纪科技有限公司成立于2018年，代理分销MOS管、LED发光管、集成IC芯片、晶振、电容，电阻，电感等全系列电子元器件。是一家拥有一流产品、优质服务、完整技术支持的电子企...

MOSFET管BSC028N06NS
MOSFET管BSC028N06NS
  • 型号/规格：

    BSC028N06NS

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TDSON-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

  • ds-漏源极击穿电压:60 V：

    -连续漏极电流:100 A

产品种类: MOSFET REACH - SVHC: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流...

2SK3565(STA4,Q,M)原装东芝N沟道增强型高压功率MOSFET直插TO-220F
2SK3565(STA4,Q,M)原装东芝N沟道增强型高压功率MOSFET直插TO-220F
  • 型号/规格：

    2SK3565(STA4,Q,M)

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

东芝2SK3565(STA4,Q,M)是东芝（TOSHIBA）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，属于2SK系列高压开关器件，主打900V高耐压、低开关损耗与高可靠性，广泛应用于中小功率AC-DC电源、LED驱动...

IRF3205ZPBF TO-220 N沟道 55V/75A 直插MOSFET
IRF3205ZPBF TO-220 N沟道 55V/75A 直插MOSFET
  • 型号/规格：

    IRF3205ZPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

深圳市河锋鑫科技有限公司是一家的电子元器件代理经销商，营业范围主要包括代理电子元器件的市场推广、产品研发、技术支援以及销售业务，总部位于亚洲电子元器件集散地的深圳华强北中...

NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管
NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管
  • 型号/规格：

    NTR4501NT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率：

    1.25W

NTR4501NT1G N沟道 MOSFET 场效应管 场效应管 场效应管<span style="font-size: 16px; co...

AO4447A 分立半导体 晶体管
AO4447A 分立半导体 晶体管
  • 型号/规格：

    AO4447A

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 数量：

    5298

AO4447A 分立半导体 晶体管 属性：FET 类型 P 通道技术 MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta）驱动电压（Rds On，Rds On）：4V，1...

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A
KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A
  • 型号/规格：

    KU310N10D-RTF/H

  • 品牌/商标：

    KEC

  • 封装形式：

    DPAK(1)

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

KU310N10D-RTF N沟道MOS场效应管 100V 27A 芯片技术参数： 品牌： KEC 型号：KU310N10D-RTF/H 封装：DPAK(1) 包装数:3000片/包 连续漏极电流（Id）（25&#176;C 时）:27A(Tc) 漏源...

IRLML0040TRPBF晶体管
IRLML0040TRPBF晶体管
  • 型号/规格：

    IRLML0040TRPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-236-3

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

产品简介：IRLML0040TRPBF晶体管 类别 分立半导体产品晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET? 包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制...

SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
SQJ469EP-T1-GE3原装现货MOSFET
  • 型号/规格：

    SQJ469EP-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    威世

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

  • 单位：

    个

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-eff...

SWIRE 场效应管 SI2309 SOT-23 低压MOS管
SWIRE 场效应管 SI2309 SOT-23 低压MOS管
  • 型号/规格：

    SI2309

  • 品牌/商标：

    SWIRE

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 批号：

    23+

型号：SI2309 封装：SOT-23 品牌：SWIRE 类型：低压MOS管/低压MOS管/低压MOS管 <p...

AO4815 8A/30V 场内效应管
AO4815 8A/30V 场内效应管
  • 型号/规格：

    AO4815

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    超大功率

双P沟道 8A/30V MOS管场效应管 SOP8 <h1 data-spm="100...

MOSFET行业资讯

  • Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率[2026-03-23]

    这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案　　日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其...

  • Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET[2026-01-28]

    新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。　　伊利诺伊州罗斯蒙特，Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推...

  • Infineon-英飞凌拓展CoolSiC MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装[2026-01-27]

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出全新封装的CoolSiC MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供Q-DPAK、D2PAK等多种封装，产品组合覆盖在25°C...

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    三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV）主驱逆变器2，车载充电器3以及太阳能发电系统等可再生能源的功率系统等中的功率器件而设计。这些新型...

  • 英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件[2026-01-05]

    CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中，提供卓越的功率密度和系统效率，主要面向人工智能服务器电源、开关电...

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • MOSFET的30种封装形式[2025-11-19]

    MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来，最初采用金属外壳的TO（Transistor Outline）封装，如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架，通过环氧树脂密封，具备机械强度高、散热性能稳定的特点，能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET封装。　　一、早期金...

  • MOSFET 器件选型的三大核心法则[2025-08-11]

    功率 MOSFET 恐怕是工程师们最常用的器件之一了。然而，关于 MOSFET 的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选 N 型还是 P 型、封装类型，大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等。不同的应用需求千变万化，下面将详细总结 MOSFET 器件选型的三大核心法则，相信看完会...

  • MOSFET 噪声模型全揭秘：特性、建模与参数提取[2025-08-01]

    在现代电子电路设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）凭借其卓越的性能和广泛的应用，成为了不可或缺的关键器件。然而，MOSFET 中的噪声问题却对电路的性能和稳定性产生着重要影响，尤其在无线通信等对噪声要求极为严格的领域。因此，深入...

  • mosfet管导通条件[2025-07-22]

    MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电压）。漏源电压 VDSVD...

  • 安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者[2025-07-10]

    在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必须具备足够的续航里程，支持快速充电，同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中，...

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