2N7002-T1介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

制造商标准提前期 33 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 200mW（Ta） TO-236

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 115mA（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 7.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 250μA

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 50pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 200mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-236

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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